公开(公告)号：CN100388488C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510092232.5

申请日：2005-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  宋珉宇 ,  金元洪

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/56

Abstract: 在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。