垂直双沟道绝缘硅晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN100524828C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200410049388.0

    申请日:2004-06-09

    Inventor: 金志永 朴珍俊

    CPC classification number: H01L29/78696 H01L29/66787

    Abstract: 一种垂直双沟道绝缘硅场效应晶体管,包括:与衬底上的一对平行浅沟槽隔离层接触的双垂直半导体层对;源区、漏区和沟道区,在一对垂直半导体层上每一层上,相对应的区域在一对垂直半导体层上以对准方式彼此面对,在一对垂直半导体层两者的沟道区上的栅极氧化层,以及栅电极、源电极和漏电极,与一对垂直半导体层的相应区域电连接。

    曝光物体的设备和方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100507717C

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN02140172.1

    申请日:2002-07-04

    Inventor: 朴珍俊 具斗训

    CPC classification number: G03F7/701 G03F7/70108 G03F7/70183

    Abstract: 公开了一种曝光物体的方法和设备,用于提高光效率。产生具有均匀强度分布的光之后,光被折射成多个发散光束。然后,多个发散光束再次被折射成多个平行光束。利用多个平行光束的光曝光物体。因此,使原始光束和用于曝光物体的平行光束之间的光通量的差最小化,因而提高了该设备的光效率。

    存储器件及其制造方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101183672A

    公开(公告)日:2008-05-21

    申请号:CN200710167827.1

    申请日:2007-10-26

    Inventor: 朴珍俊

    CPC classification number: G11C11/50 H01L2924/0002 H01L2924/00

    Abstract: 提供一种能在低电压下写入和读出数据的存储器件及其制造方法。该存储器件,包括:在一个方向上形成的位线;在位线上面交叉设置的多个字线,字线平行形成并在其间形成空余空间;翻转电极,被电连接到该位线,形成在位线上面的一个字线上方,以便穿过该空余空间,并被配置为通过多个字线之间引起的电场,相对于多个字线在一个方向上弯曲;以及接触部件,从翻转电极的下端突出,响应于通过字线施加的电荷,集中由翻转电极感应的电荷,以有选择地使该字线与翻转电极接触。

    具有多个基于应用的功能的可重新配置存储卡及其操作方法和形成方法

    公开(公告)号:CN101165711A

    公开(公告)日:2008-04-23

    申请号:CN200710110161.6

    申请日:2007-06-18

    Inventor: 朴珍俊

    Abstract: 一种存储卡可以包括:盒子形状印刷电路板,限定至少部分封闭的内部空间。控制芯片位于由该盒子形状印刷电路板限定的内部空间内,其中根据一个或者多个应用功能,选择性地配置该控制芯片。存储芯片位于该内部空间内,并电连接到该控制芯片,而且配置该存储芯片,以存储数据。接触垫形成在位于该内部空间之外的盒子形状印刷电路板上,其中该接触垫电连接到该控制芯片。转换件位于由该盒子形状印刷电路板限定的内部空间外部,而且电连接到该控制芯片。配置该转换件,以向该控制芯片提供指示,以根据该存储卡的外部输入改变该控制芯片的应用功能和该接触垫的接口功能。

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