公开(公告)号：CN111312715B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN201910836005.0

申请日：2019-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴株院 ,  朴庆晋 ,  金光洙

IPC: H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35

Abstract: 提供一种半导体器件。该半导体器件包括基板和堆叠结构，在该堆叠结构中多个绝缘层和多个电极层交替地堆叠在基板上。半导体器件包括穿过堆叠结构的多个虚设沟道结构。此外，半导体器件包括接触结构，该接触结构与所述多个虚设沟道结构中的与其相邻的至少一个接触，并与所述多个电极层中的一个接触。

公开(公告)号：CN112420713A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010644361.5

申请日：2020-07-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴株院 ,  李雄燮 ,  郑义完 ,  千志成

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11531 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  G11C16/04

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：外围电路区域，位于第一基底上并且包括电路器件；存储器单元区域，位于覆盖在第一基底上的第二基底上，其中，存储器单元区域包括在与第二基底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开地堆叠的栅电极；以及沟道结构，在第二基底上竖直地延伸并且穿透栅电极。沟道结构可以包括沟道层。半导体装置包括具有贯通接触插塞的贯通布线区域，贯通接触插塞在第一方向上延伸并且使存储器单元区域和外围电路区域彼此电连接，其中，贯通布线区域包括围绕贯通接触插塞的绝缘区域。贯通布线区域还包括遍及贯通布线区域规则地布置并且包括沟道层的虚设沟道结构。

公开(公告)号：CN106057813B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201610203765.4

申请日：2016-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑夛恽 ,  金智慧 ,  朴株院

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582

Abstract: 本发明公开了一种三维半导体器件，该三维半导体器件包括：在基板上的电极结构，该基板包括第一区和第二区，该电极结构包括顺序地层叠在基板上的接地选择电极、单元电极和串选择电极，其中接地选择电极、单元电极和串选择电极分别包括接地选择焊盘、单元焊盘和串选择焊盘，该接地选择焊盘、该单元焊盘和该串选择焊盘在基板的第二区中限定阶梯结构；穿透每个单元焊盘和在每个单元焊盘下面的电极结构的一部分的多个虚设柱；和电连接到每个单元焊盘的单元接触插塞，其中每个虚设柱穿透在相邻的单元焊盘之间的边界，以及其中相邻的单元焊盘共用虚设柱。

公开(公告)号：CN106057813A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610203765.4

申请日：2016-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑夛恽 ,  金智慧 ,  朴株院

IPC: H01L27/115

Abstract: 本发明公开了一种三维半导体器件，该三维半导体器件包括：在基板上的电极结构，该基板包括第一区和第二区，该电极结构包括顺序地层叠在基板上的接地选择电极、单元电极和串选择电极，其中接地选择电极、单元电极和串选择电极分别包括接地选择焊盘、单元焊盘和串选择焊盘，该接地选择焊盘、该单元焊盘和该串选择焊盘在基板的第二区中限定阶梯结构；穿透每个单元焊盘和在每个单元焊盘下面的电极结构的一部分的多个虚设柱；和电连接到每个单元焊盘的单元接触插塞，其中每个虚设柱穿透在相邻的单元焊盘之间的边界，以及其中相邻的单元焊盘共用虚设柱。