公开(公告)号：CN104979328A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510129060.8

申请日：2015-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤民 ,  前田茂伸

IPC: H01L23/525 ,  H01L27/06 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/11206 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种熔丝结构以及包括该熔丝结构的半导体装置，所述熔丝结构包括：设置在场绝缘层中的第一鳍状图案，包括在场绝缘层的上表面上方突出的上表面；在场绝缘层上的导电图案，与第一鳍状图案交叉；第一半导体区，位于导电图案的至少一侧上；以及第一接触件和第二接触件，设置在第一鳍状图案的两侧上的导电图案上。

公开(公告)号：CN104576604A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410528528.6

申请日：2014-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤民 ,  前田茂伸

IPC: H01L23/525

Abstract: 提供了一种半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构可以包括：由第一金属材料形成的熔断体，连接阴极与阳极；覆盖电介质，覆盖熔断体的顶表面；虚设金属塞，贯穿覆盖电介质并与熔断体的一部分接触。虚设金属塞可以包括金属层以及设置在金属层和熔断体之间的阻挡金属层。阻挡金属层可以由与第一金属材料不同的第二金属材料形成。

公开(公告)号：CN104576604B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201410528528.6

申请日：2014-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔贤民 ,  前田茂伸

IPC: H01L23/525

Abstract: 提供了一种半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构可以包括：由第一金属材料形成的熔断体，连接阴极与阳极；覆盖电介质，覆盖熔断体的顶表面；虚设金属塞，贯穿覆盖电介质并与熔断体的一部分接触。虚设金属塞可以包括金属层以及设置在金属层和熔断体之间的阻挡金属层。阻挡金属层可以由与第一金属材料不同的第二金属材料形成。