公开(公告)号：CN112701223A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202010668935.2

申请日：2020-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔炳德 ,  金炯永

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 提供了一种集成电路(IC)装置及其制造方法。所述集成电路(IC)装置包括：下电极，包括具有侧壁的主要部分和顶部部分，侧壁具有至少一个台阶部分，顶部部分在横向方向上具有比主要部分的宽度小的宽度。上支撑图案接触下电极的顶部部分。上支撑图案包括接缝部分。为了制造IC装置，在基底上形成模制图案和上牺牲支撑图案，多个孔穿过模制图案和上牺牲支撑图案。在多个孔的内部形成多个下电极。在模制图案上形成外围空间。通过减小顶部部分的宽度和高度来形成扩大的外围空间。形成上支撑图案以填充扩大的外围空间。

公开(公告)号：CN112530948A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010596850.8

申请日：2020-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东佑 ,  权赫宇 ,  秋成旼 ,  崔炳德

IPC: H01L27/108

Abstract: 提供集成电路器件。集成电路器件包括：下电极，形成在基底上；以及上支撑结构，围绕下电极设置并支撑下电极。上支撑结构包括：上支撑图案，围绕下电极并沿平行于基底的横向方向延伸，上支撑图案具有下电极所穿过的孔；以及上间隔件支撑图案，位于上支撑图案与孔内部的下电极之间并具有与上支撑图案接触的外侧壁和与下电极接触的内侧壁，其中，上间隔件支撑图案在横向方向上的宽度沿朝向基底的方向减小。

公开(公告)号：CN111180506A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201910680569.X

申请日：2019-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准原 ,  权赫宇 ,  金益秀 ,  崔炳德

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：衬底；下结构，所述下结构在所述衬底上并且包括焊盘图案，所述焊盘图案的上表面对应于所述下结构的最上表面；多个下电极，所述多个下电极与所述焊盘图案的所述上表面接触；介电层和上电极，所述介电层和所述上电极顺序地堆叠在每个所述下电极的表面上；以及氢供应层，所述氢供应层包含氢，位于所述下电极之间，并且比所述介电层更靠近所述衬底。

公开(公告)号：CN110752202A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910665606.X

申请日：2019-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫宇 ,  李河英 ,  崔炳德 ,  秋成旼

IPC: H01L23/522

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括基底、位于基底上的底电极、靠近底电极的侧壁位于基底上的第一支撑层、覆盖底电极的侧壁和顶表面的介电层以及位于介电层上的顶电极。底电极包括第一部分。底电极的第一部分可以位于第一支撑层上。

公开(公告)号：CN111106125A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN201910884495.1

申请日：2019-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金一宇 ,  罗相虎 ,  崔炳德 ,  金益秀 ,  吴民在

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种制造垂直存储器装置的方法，该方法包括：在基底上形成第一牺牲层，第一牺牲层包括第一绝缘材料；形成包括绝缘层和第二牺牲层的模制体，绝缘层和第二牺牲层交替地且重复地堆叠在第一牺牲层上，绝缘层和第二牺牲层分别包括与第一绝缘材料不同的第二绝缘材料和第三绝缘材料；穿过模制体和第一牺牲层形成沟道；穿过模制体和第一牺牲层形成开口以暴露基底的上表面；通过开口去除第一牺牲层以形成第一间隙；形成沟道连接图案以填充第一间隙；以及用栅电极替换第二牺牲层。

公开(公告)号：CN109427788A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810666188.1

申请日：2018-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李准原 ,  高在康 ,  文锦妃 ,  崔炳德

IPC: H01L27/108

Abstract: 第一位线结构设置在第一接触结构与第二接触结构之间。第一空气间隔物插置在第一接触结构与第一位线结构之间。第一分离空间连接到第一空气间隔物的空气入口，并且插置在第一接触结构与第一位线结构之间。具有间隙部分的盖绝缘图案插置在第一接触结构与第二接触结构之间。间隙部分具有向下减小的宽度。空气覆盖图案覆盖该盖绝缘图案以密封第一分离空间。