公开(公告)号：CN101740129A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910220889.3

申请日：2009-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  崔正达 ,  崔炳仁

IPC: G11C16/26

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C29/00

Abstract: 本发明构思的目的在于提供一种因补偿闪速存储单元的阈值电压而具有改善的可靠性的非易失性存储装置及其读取方法。根据本发明构思的非易失性存储装置包括：存储单元阵列，连接到多条字线；电压产生器，用于在执行读取操作时，将选择的读取电压提供到所述多条字线中的选择的字线，将未选的读取电压提供到所述多条字线中的未选的字线。电压产生器根据未选的字线是否与选择的字线相邻而产生电平不同的未选的读取电压。根据本发明构思的非易失性存储装置补偿因各种原因而升高或降低的阈值电压。根据本发明的构思，改善了非易失性存储装置的可靠性。