公开(公告)号：CN110066988B

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN201910034623.3

申请日：2019-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相烨 ,  池正根 ,  郑盛允 ,  崔在铭

IPC: C23C16/455 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/02 ,  B33Y80/00

Abstract: 提供了一种用于生成喷头的3D形状数据的设备、一种制造喷头的方法和一种用于制造喷头的系统。所述设备包括：数据处理器，生成包括指示晶圆的上表面与喷头之间的第一距离的值的信息、指示晶圆上的位置的信息以及关于流体流动物理量值的信息的数据集，并且确定表示各个信息之间的关系的函数；输入单元，接收状况数据和每个位置的目标流体流动物理量值；以及数据库，存储关于所述函数的信息。数据处理器获得关于每个位置处的晶圆的上表面与喷头之间的具有目标流体流动物理量值的第二距离的信息，提取喷头的下表面的空间坐标信息，并且利用空间坐标信息生成喷头的3D形状数据。

公开(公告)号：CN119337804A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410716467.X

申请日：2024-06-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昊俊 ,  边珍煜 ,  吴重锡 ,  金成烈 ,  金铃九 ,  崔承勋 ,  崔在铭

IPC: G06F30/392 ,  H01L21/66 ,  G06F30/398

Abstract: 本公开涉及用于变换测量数据的装置、方法和系统。用于变换测量数据的示例装置包括：通信器，其被配置为接收第一测量数据，该第一测量数据包括对其执行了化学机械抛光(CMP)工艺的半导体芯片上的台阶高度值，并且接收布局数据，该布局数据包括半导体芯片中所包括的布局；以及处理器，其被配置为基于布局数据将第一测量数据变换为第二测量数据，该第二测量数据包括沉积有金属的半导体芯片的台阶高度值。

公开(公告)号：CN117436232A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310820669.4

申请日：2023-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 南润俊 ,  姜宝景 ,  文晓元 ,  崔秉善 ,  崔在铭 ,  张铉在 ,  许仁

IPC: G06F30/20 ,  G06F18/214 ,  G06F18/27

Abstract: 一种用于半导体设计工艺中的仿真的神经网络的建模方法被提供。在神经网络的建模方法中，第一回归模型基于第一样本数据和第一仿真结果数据而被训练。第一回归模型用于根据第一样本数据预测第一仿真结果数据。第一样本数据表示半导体装置的制造工艺的条件和半导体装置的特性中的至少一个。第一仿真结果数据通过对第一样本数据执行仿真而被获得。响应于第一回归模型的一致性低于目标一致性，第一回归模型基于与第一样本数据不同的第二样本数据而被重新训练。第二样本数据与第一回归模型的一致性降低因素相关联，第一回归模型的一致性降低因素是第一回归模型的预测失败的原由。