公开(公告)号：CN101055706A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710096020.3

申请日：2007-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申暻周 ,  蔡钟哲 ,  尹珠爱

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0838 ,  G09G2300/0871 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78648

Abstract: 一种显示装置，包括具有第一栅电极、源电极和漏电极、在源电极和漏电极之间形成的沟道区、以及第二栅电极的开关元件。第二栅电极通过沟道区从第一栅电极电隔离，并根据第一栅电极的控制时间段将不同控制电压施加到第二栅电极。根据开关元件的导通/截止状态将不同控制电压施加到第二栅电极，从而增加沟道区中的导通电流以及将沟道区中的截止(泄露)电流最小化。

公开(公告)号：CN1627517A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410086667.4

申请日：2004-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金景旭 ,  尹珠爱 ,  李成荣

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，在基片上形成形成具有栅极的多条栅极线且在覆盖栅极线的栅极绝缘层上形成半导体层。在该栅极绝缘层上形成与栅极线交叉的多条数据线，并且沿着平行且邻接数据线的方向形成多个漏极。而且，形成多个存储电容器导体以与漏极连接且与邻接的栅极线重叠。在上述结构之上形成由有机材料组成的钝化层且具有接触孔。而且，形成多个像素电极以通过接触孔与漏极进行电连接。

公开(公告)号：CN1577025A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410070349.9

申请日：2004-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金聖万 ,  宋荣九 ,  孔香植 ,  奇桐贤 ,  李成荣 ,  尹珠爱 ,  张钟雄

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/016 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板，包括：多条信号线，含有用于与外部装置连接的连接部件；多个薄膜晶体管，与信号线连接；绝缘层，在信号线和薄膜晶体管上形成；以及多个像素电极，在绝缘层上形成且与薄膜晶体管连接，其中绝缘层包括设置在信号线的连接部件上且具有比其它部分厚度小的连接部，而绝缘层的连接部包括具有小于约45°倾角的倾斜部。

公开(公告)号：CN102157451A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110029299.X

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑斗喜 ,  文镜洙 ,  朴廷敏 ,  金周汉 ,  尹珠爱

IPC: H01L21/84

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/136231

Abstract: 本发明公开了一种显示基底的制造方法。该方法包括：在基体基底上顺序地形成沟道层和源极金属层；形成包括第一厚度部分和第二厚度部分的第一光致抗蚀剂图案，第一厚度部分形成在源极金属层的接触区域中，第二厚度部分形成在源极金属层的端部区域中，所述端部区域连接到接触区域，第二厚度部分比第一厚度部分薄；利用第一光致抗蚀剂图案将源极金属层和沟道层图案化，以形成接触电极和突出，接触电极在接触区域上，所述突出突出超过接触电极并从接触区域延伸到所述端部区域；在基体基底上形成钝化层；形成透明电极层，透明电极层与接触电极的被暴露的部分接触，通过去除钝化层的与接触电极和所述突出对应的部分来暴露接触电极的所述被暴露的部分。

公开(公告)号：CN101241918B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810009906.4

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑斗喜 ,  文镜洙 ,  朴廷敏 ,  金周汉 ,  尹珠爱

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/1362 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/136231

Abstract: 本发明公开了一种显示基底及该显示基底的制造方法。该显示基底包括：接触电极，设置在开关元件的端部上，开关元件设置在基体基底上；半导体图案，包括突出，所述突出设置在接触电极的下面并突出超过接触电极；透明电极，与接触电极和所述突出接触。

公开(公告)号：CN100437306C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200310115221.5

申请日：2003-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓英美 ,  白承洙 ,  尹珠爱 ,  金东奎

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78696

Abstract: 在电路板上形成栅极线及包含第一栅极部分和第二栅极部分栅极布线，其上部形成栅极绝缘层。接着在栅极绝缘层上部用非晶硅形成包含第一半导体部分和第二半导体部分半导体层，形成包括数据线、包含第一源极部分和第二源极部分源极及包含第一漏极部分和第二漏极部分漏极的数据布线，并形成与漏极连接的像素电极。这时用分割曝光的光学蚀刻工序形成栅极布线、数据布线或半导体层，使分割曝光区域边界线位于第一栅极部分和第二栅极部分之间或第一半导体部分和第二半导体部分之间或第一源极和第二源极之间或第一漏极和第二漏极之间，然后进行分割曝光。

公开(公告)号：CN101114657A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710138129.9

申请日：2007-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑斗喜 ,  朴廷敏 ,  文镜洙 ,  李义国 ,  尹珠爱

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  G03F1/14 ,  G02F1/1362

CPC classification number: G02F1/13454 ,  G02F2001/133388 ,  G02F2001/136236

Abstract: 一种显示面板包括：基板、信号线、薄膜晶体管、像素电极和伪开口。基板具有显示区域和围绕显示区域的外围区域。信号线位于基板上，并彼此相交以限定单位像素。薄膜晶体管与信号线电连接，并位于单位像素处。像素电极与薄膜晶体管电连接。像素电极形成在单位像素中。伪开口位于外围区域处，并与信号线分隔开。

公开(公告)号：CN101114119A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710090492.8

申请日：2007-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡钟哲 ,  尹铢浣 ,  金时烈 ,  尹珠爱

IPC: G03F1/08 ,  G03F1/14 ,  G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F1/54 ,  G03F1/50

Abstract: 一种多色调光掩模包括基底、阻光图案、第一半透射图案和第二半透射图案。阻光图案在基底上形成。第一半透射图案在基底上形成。第二半透射图案与第一半透射图案部分叠置。该多色调光掩模具有至少五种不同的透光率，这些透光率对应于在基底上划分的多个区域。