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公开(公告)号:CN107015916A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201611131046.2
申请日:2016-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02 , G11C11/408
CPC classification number: G06F12/00 , G06F3/0604 , G06F3/0629 , G06F3/0683 , G06F12/02 , G11C5/04 , G11C7/1042 , G11C7/1057 , G11C8/12 , G11C8/18 , G11C11/4076 , G11C11/408 , G11C11/4093 , G11C2207/2209 , G06F12/0223 , G11C11/4087
Abstract: 半导体存储设备包含半导体存储设备中的第一存储区和半导体存储设备中的第二存储区。基于使用选择信号,独立于第一存储区访问第二存储区。第一存储区和第二存储区共享命令和地址线,并且基于使用选择信号执行存储区块交错操作。
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公开(公告)号:CN108074622B
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN201710742400.3
申请日:2017-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42 , G11C7/10 , G06F11/10 , G06F12/0877
Abstract: 公开一种存储器控制器、数据芯片及其控制方法。公开一种可污染数据的数据芯片,包括:数据阵列;读取电路,用于从数据阵列读取原数据;缓冲器,用于存储原数据。使数据污染引擎可用存储在屏蔽寄存器中的污染模式,污染原数据。然后传输电路可从缓冲器发送污染的数据。
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公开(公告)号:CN115910146A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202210876120.2
申请日:2022-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4076 , G11C11/4091
Abstract: 提供存储器装置和存储器装置的操作方法。所述存储器装置包括:存储器单元阵列,包括存储器单元行;以及控制逻辑电路,用于响应于激活命令、写入命令、读取命令或预充电命令而对存储器单元行执行行操作、写入操作、读取操作或预充电操作,其中,控制逻辑电路还被配置为:在行锤击监视时间帧期间,针对第一存储器单元行,通过对激活命令进行计数来计算第一计数值并且通过对写入命令或读取命令进行计数来计算第二计数值;基于第一计数值与第二计数值的比率,确定第一存储器单元行的行锤击的类型;以及根据确定的行锤击的类型,通过改变预充电操作时间点来调整激活操作与预充电操作之间的预充电准备时间。
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公开(公告)号:CN115705862A
公开(公告)日:2023-02-17
申请号:CN202210774386.6
申请日:2022-07-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件和存储器系统。所述存储器件包括:存储单元,所述存储单元连接到第一字线,其中,所述存储单元包括存储数据的数据区域以及备份所述第一字线被激活的次数的计数值备份区域;计数表,所述计数表用于存储对应于所述第一字线的第一行地址以及存储第一计数值,所述第一计数值作为所述第一字线被激活的次数的计数结果;比较器,所述比较器被配置为:将所述第一计数值与存储在所述计数值备份区域中的第一备份计数值进行比较;以及当所述第一计数值大于所述第一备份计数值时,将所述第一计数值备份在所述计数值备份区域中;或者当所述第一备份计数值大于所述第一计数值时,将所述第一备份计数值覆写到所述计数表中。
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公开(公告)号:CN112749040A
公开(公告)日:2021-05-04
申请号:CN202010817449.2
申请日:2020-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开公开了一种被配置为控制存储器模块的存储器控制器,所述存储器模块包括多个存储器设备,所述多个存储器设备构成第一通道和第二通道,存储器控制器包括纠错码(ECC)引擎以及被配置为控制所述ECC引擎的控制电路。所述ECC引擎被配置为通过基于包括映射信息的设备信息根据经由所述多个存储器设备中的每一个的多个输入/输出焊盘接收的预定数量的数据比特自适应地构造多个符号中的每一个来生成包括所述多个符号的码字,并且将所述码字发送到所述存储器模块。所述映射信息指示所述多个输入/输出焊盘中的每一个是被映射到所述多个符号中的同一符号还是所述多个符号中的不同符号。所述多个符号中的每一个对应于所述ECC引擎的纠错单位。
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