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公开(公告)号:CN102883118A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201210246618.7
申请日:2012-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14641
Abstract: 在一个实施例中,一种图像传感器包括被配置为将光信号转换为光电荷的第一光电二极管,被配置为存储第一光电二极管的光电荷的感测节点,以及被配置为在输出线上选择性地输出与感测节点处的光电荷对应的电信号的电路。所述电路连接到至少第一导电接触件,并且所述输出线布置在感测节点和第一导电接触件之间。
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公开(公告)号:CN102137237A
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN201010614974.0
申请日:2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/341
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/3742 , H04N5/37457 , H04N9/045
Abstract: 本发明提供了互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其像素数据读出方法。CMOS图像传感器包括:第一读出线,其在水平时段期间,从拜耳(Bayer)图案的像素阵列的一列的奇数行中的共用像素组输出像素数据;以及第二读出线,其在水平时段期间,从该像素阵列的列的偶数行中的共用像素组输出像素数据,其中在水平时段期间通过第一至第四读出线输出的像素数据对应于基本拜耳图案,并且每列中从其读出像素数据的像素在每个水平时段在列方向上顺序移位。
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公开(公告)号:CN101110439A
公开(公告)日:2008-01-23
申请号:CN200710128377.5
申请日:2007-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N3/15
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14641 , H01L27/14656 , H04N5/347 , H04N5/37457
Abstract: 示例实施例可以提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器可以包括多个单元块,每个单元块包括两个单元像素。每个单元块可以包括:两个具有六边形形状的光电二极管;由两个单元像素共享的浮置扩散;分别在浮置扩散与所述两个光电二极管之间的第一转移晶体管与第二转移晶体管;连接到浮置扩散的重置晶体管;栅极与浮置扩散连接的驱动晶体管;和/或与驱动晶体管串联的选择晶体管。示例实施例CMOS图像传感器可以用于数字相机、移动设备、计算机相机等等。
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