公开(公告)号：CN100361271C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN03164983.1

申请日：2003-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金县裁 ,  姜淑映 ,  姜明求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法。在根据本发明的薄膜晶体管的制造方法中，首先在绝缘衬底上形成非晶硅薄膜并在其上形成平整层。其后，通过使用激光照射的固化工艺晶化非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，构图多晶硅薄膜和平整层以形成半导体层，并且形成覆盖半导体层的栅极绝缘层。接着，在与半导体层相对的栅极绝缘层上形成栅极电极。接着，把杂质注入到半导体层中形成相对于栅极电极彼此相对的源极区和漏极区，并且形成分别电连接到源极区和漏极区的源极电极和漏极电极。

公开(公告)号：CN1521806A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN200410031320.X

申请日：2004-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金县裁 ,  姜淑映 ,  金东范 ,  李秀卿 ,  姜明求

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/02678 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  Y10T428/24273

Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法，其包括：在绝缘衬底上沉积非晶硅层；使用掩模通过多次激光照射将非晶硅层转变为多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成多个栅极线；在栅极线上形成第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成多个数据线；在数据线上形成第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上形成多个像素电极，其中掩模包含以混合方向排列的多个透射区和多个阻挡区。