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公开(公告)号：CN1896853A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610083653.6
申请日：2006-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , G09G3/3614 , G09G3/3677
Abstract: 一种阵列基板，包括底部基板、多条栅极线、多条数据线、和像素矩阵。多条栅极线和多条数据线限定像素区域。像素矩阵形成于每一像素区域上，并且包括多个像素列和像素行。每个像素列具有第一像素组和第二像素组。第一像素组电连接至与该像素列邻近的第一栅极线。第二像素组电连接至与该像素行邻近的第二栅极线。每一个像素行电连接至与该像素列相邻的一条数据线。
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公开(公告)号：CN101217018B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200710199477.7
申请日：2007-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/20 , G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2310/0283 , G09G2310/0297 , G09G2330/021
Abstract: 本发明公开了一种显示设备及其驱动方法。所述显示设备包括：显示面板，其包括多个像素；栅极驱动器，在第一期间顺序施加栅极导通电压到多个像素；和数据驱动器，在第一期间为多个像素中的至少两个像素产生数据电压，且分别将数据电压施加到多个像素中至少两个像素，其中施加到多个像素中至少两个像素的数据电压施加顺序在两相邻帧中反转。
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公开(公告)号：CN101000868B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610171239.0
申请日：2006-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , B23K26/06 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L21/0268 , H01L21/02532 , H01L21/02691 , H01L27/1285
Abstract: 公开了一种能够使结晶化硅中晶界数量最小化的硅结晶化用的掩模、一种使用该掩模用于结晶化硅的方法、以及一种显示设备。掩模包括：相对于扫描方向以预定角度倾斜的一组狭缝；以及包括相对于前一组狭缝以预定角度倾斜的狭缝的一组狭缝。这些狭缝组沿扫描方向间隔一定的间隔，并且将基板和/或掩模在通过狭缝的激光照射之间移动所述间隔。通过减小在基板上水平地或垂直地延伸的晶界的数目，本发明消除了与顺序侧向固化(SLS)技术中的方向性的各向异性有关的设计限制。
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公开(公告)号：CN1636162B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN03804247.9
申请日：2003-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/136 , H01L29/40 , H01L29/768
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , G02F2202/104 , H01L21/02675 , H01L21/2026 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管和一种液晶显示器。为了在不增加驱动电路尺寸的情况下使得TFT的电荷迁移率一致，将栅极电极形成为包括沿垂直于晶粒生长方向延伸的至少一部分。根据本发明的薄膜晶体管包括一半导体图案，半导体图案包括含有在绝缘衬底上生长的晶粒的多晶硅薄膜。该半导体图案包括一沟道区以及关于该沟道区相对设置的源区和漏区。一栅极绝缘层覆盖半导体图案。在栅极绝缘层上，形成一包括沿着与晶粒生长方向交叉的方向延伸并与沟道区相重叠的至少一部分的栅极电极。在根据本发明的液晶显示器中，形成数据驱动电路的多个薄膜晶体管包括通过顺序横向固化形成的多晶硅薄膜，各薄膜晶体管的栅极电极的至少一部分沿横跨晶粒生长方向的方向延伸，而且，所述多个薄膜晶体管中至少一个的栅极电极具有不同于其它薄膜晶体管的图案。
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公开(公告)号：CN100590501C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200610083653.6
申请日：2006-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02F1/134336 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , G09G3/3614 , G09G3/3677
Abstract: 一种阵列基板，包括底部基板、多条栅极线、多条数据线、和像素矩阵。多条栅极线和多条数据线限定像素区域。像素矩阵形成于每一像素区域上，并且包括多个像素列和像素行。每个像素列具有第一像素组和第二像素组。第一像素组电连接至与该像素列邻近的第一栅极线。第二像素组电连接至与该像素行邻近的第二栅极线。每一个像素行电连接至与该像素列相邻的一条数据线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100361271C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN03164983.1
申请日：2003-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78675
Abstract: 本发明公开了一种用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法。在根据本发明的薄膜晶体管的制造方法中，首先在绝缘衬底上形成非晶硅薄膜并在其上形成平整层。其后，通过使用激光照射的固化工艺晶化非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，构图多晶硅薄膜和平整层以形成半导体层，并且形成覆盖半导体层的栅极绝缘层。接着，在与半导体层相对的栅极绝缘层上形成栅极电极。接着，把杂质注入到半导体层中形成相对于栅极电极彼此相对的源极区和漏极区，并且形成分别电连接到源极区和漏极区的源极电极和漏极电极。
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公开(公告)号：CN1655056A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510064031.4
申请日：2005-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/066 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 公开了一种用于使非晶硅结晶的光学掩模，其包括第一狭缝区域，所述第一狭缝区域包括规则排布以用于限定激光束入射区域的多个狭缝，其中在结晶工艺中第一狭缝区域的狭缝形成为与光学掩模的移动方向倾斜成预定角度，并且其中第一狭缝区域的狭缝包括具有第一长度的第一狭缝和具有第二长度的第二狭缝，所述第二长度大于所述第一长度。
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公开(公告)号：CN1521806A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410031320.X
申请日：2004-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L29/786 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02678 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法，其包括：在绝缘衬底上沉积非晶硅层；使用掩模通过多次激光照射将非晶硅层转变为多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成多个栅极线；在栅极线上形成第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成多个数据线；在数据线上形成第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上形成多个像素电极，其中掩模包含以混合方向排列的多个透射区和多个阻挡区。
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公开(公告)号：CN100568447C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200410094884.8
申请日：2004-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0268 , B23K26/066 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L29/66757
Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，首先，在绝缘基片上形成非晶硅薄膜，通过利用具有透射区域狭缝的多晶硅掩模局部照射激光束的连续结晶工序将非晶硅薄膜结晶为多晶硅薄膜。接着，通过利用由半透射层组成狭缝以调整激光束能量的掩模的连续结晶工序，再结晶多晶硅薄膜表面。接着，制作多晶硅薄膜布线图案形成半导体层，形成覆盖半导体层的栅极绝缘层后，在半导体层栅极绝缘层上形成栅极。接着，向半导体层注入杂质，以栅极为中心两侧形成源极及漏极区域，分别形成分别与源极及漏极区域电连接的源极及漏极，然后形成与漏极连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN100397560C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410031320.X
申请日：2004-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/84 , H01L29/786 , G09F9/30
CPC classification number: H01L21/02678 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/2026 , H01L27/1229 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T428/24273
Abstract: 本发明提供一种多晶硅薄膜晶体管阵列板及其制造方法，其包括：在绝缘衬底上沉积非晶硅层；使用掩模通过多次激光照射将非晶硅层转变为多晶硅层；在多晶硅层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成多个栅极线；在栅极线上形成第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上形成多个数据线；在数据线上形成第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层上形成多个像素电极，其中掩模包含以混合方向排列的多个透射区和多个阻挡区。
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