公开(公告)号：CN111384008A

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201910997715.1

申请日：2019-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李政泌 ,  姜明成 ,  金永锡 ,  徐光仙 ,  刘惠仁 ,  崔容元

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  C09J7/28

Abstract: 公开了一种粘合膜包括：多孔金属层，在其中具有多个孔；第一粘合层，在多孔金属层的一侧上；粘合物质，至少部分地填充多孔金属层的孔隙；以及多个第一导热构件，分布在第一粘合层中。

公开(公告)号：CN107527885A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710416609.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元基 ,  李东沅 ,  姜明成 ,  刘惠仁

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在封装衬底上堆叠第一半导体芯片。第一半导体芯片中的每一个包括第一粘合膜。所述方法包括在第一半导体芯片上分别堆叠第二半导体芯片。第二半导体芯片中的每一个包括第二粘合膜。所述方法包括挤压第一粘合膜及第二粘合膜以形成粘合结构。粘合结构包括设置在第一半导体芯片的侧壁上及第二半导体芯片的侧壁上的延伸部。所述方法包括移除延伸部。所述方法包括形成实质上覆盖第一半导体芯片及第二半导体芯片的第一模制层。所述方法包括对第一半导体芯片之间与第二半导体芯片之间的封装衬底执行切割工艺，以形成多个半导体封装。所述制造半导体装置的方法可有效地移除覆盖半导体芯片的粘合结构的延伸部。

公开(公告)号：CN103700633A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310452241.5

申请日：2013-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜明成 ,  高廷旼 ,  朴商植 ,  金沅槿 ,  洪志硕

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/28 ,  H01L21/486 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2225/1017 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，位于第一半导体芯片上；第三半导体芯片，位于第二半导体芯片上；第四半导体芯片，位于第三半导体芯片上。第一底填充层位于第二半导体芯片和第一半导体芯片之间；第二底填充层位于第三半导体芯片和第二半导体芯片之间；第三底填充层位于第四半导体芯片和第三半导体芯片之间。在一些实施例中，第二底填充层包括与第一底填充层和第三底填充层不同的材料。