公开(公告)号：CN114724607A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111192474.7

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐荣德 ,  金真怜 ,  朴世桓 ,  申东旻 ,  姜宇现 ,  吴信镐

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/26 ,  G06N3/04

Abstract: 提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。该方法包括：将设置在非易失性存储器设备中的多个存储器块中的存储器块划分为多个保留组；生成包括与多个保留组对应的多个擦除编程间隔(EPI)值的时间差信息；生成包括与多个默认读取电压和多个纠正的读取电压之间的差对应的多个偏移值的偏移信息；基于偏移信息和时间差信息生成与读取地址对应的补偿的读取电压；和基于读取地址和补偿的读取电压执行读取操作以从非易失性存储器设备读取数据。

公开(公告)号：CN107943712A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201710697138.5

申请日：2017-08-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴信镐 ,  姜宇现 ,  金珉奎

IPC: G06F12/02

CPC classification number: H03M13/05 ,  G11C16/26 ,  G11C29/52 ,  H03M13/611 ,  G06F12/0253

Abstract: 在控制对包括多个存储块的非易失性存储器设备的回收的方法中，其中每个存储块包括多页，恢复读取操作是当第一数据包括不可校正的错误时，使用基于第一数据确定的最佳读取电压来对第一数据执行的，其中第一数据是从存储块中的第一存储块的第一页中读取的，以及当第一数据的错误在恢复读取操作被执行后被校正时，是否执行对第一页的回收是基于第一页的存储单元的阈值电压分布来确定的，其中存储单元被设置在与最佳读取电压相邻的感兴趣区域中。