-
公开(公告)号：CN114639676A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111304820.6
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一沟槽和第二沟槽，在基底中的相应的第一区域和第二区域中；第一隔离结构，具有顺序地堆叠在第一沟槽中的第一内壁氧化物图案、第一衬里和第一填充绝缘图案；第二隔离结构，具有顺序地堆叠在第二沟槽中的第二内壁氧化物图案、第二衬里和第二填充绝缘图案；第一栅极结构，具有顺序地堆叠在第一区域上的第一高k介电图案、第一P型金属图案和第一N型金属图案；以及第二栅极结构，具有顺序地堆叠在第二区域上的第二高k介电图案和第二N型金属图案；其中，第一衬里和第二衬里分别突出到第一内壁氧化物图案和第二内壁氧化物图案以及第一填充绝缘图案和第二填充绝缘图案的上表面上方。
Search Results
11
records
(took 0.018 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
