公开(公告)号：CN108695073A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810269346.X

申请日：2018-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁度源 ,  卢钟旭 ,  梁大珍 ,  郭灿 ,  金亨俊 ,  李宇镇

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/06 ,  H01G4/14

CPC classification number: H01G4/1281 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/08 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/78 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/47 ,  C04B35/472 ,  C04B35/491 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C07C211/01 ,  C07C211/63 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/14 ,  H01G4/232 ,  H01G4/242 ,  H01G4/30 ,  H01G4/33 ,  H01G4/06

Abstract: 二维钙钛矿材料、包括其的介电材料和多层电容器。所述二维钙钛矿材料包括：包括层叠的具有正电荷的第一层和具有负电荷的第二层的层状金属氧化物、从所述层状金属氧化物剥落的单层纳米片、多个所述单层纳米片的纳米片层叠体、或其组合，其中所述二维钙钛矿材料以大于或等于约80体积％的量包括具有二维晶体结构的第一相，基于100体积％的所述二维钙钛矿材料，和所述二维钙钛矿材料由化学式1表示。

公开(公告)号：CN105278787A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510422696.1

申请日：2015-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭灿 ,  崔在荣 ,  金光熙 ,  卢钟旭 ,  朴贤哲 ,  辛源镐 ,  禹轮成 ,  李孝锡 ,  黄珍荣

IPC: G06F3/044

Abstract: 本公开提供了电极结构以及利用其的触摸检测传感器。该电极结构包括：第一非导电层；第一导电层，设置在第一非导电层上；第二非导电层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在第二非导电层上；以及第三非导电层，设置在第二导电层上，其中第一导电层和第二导电层中的至少一个包括二维导电材料。