公开(公告)号：CN115955910A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202211209632.X

申请日：2022-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全寅铎 ,  林汉镇 ,  丁炯硕 ,  崔在亨

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：下电极，设置在基底上；绝缘支撑图案，支撑下电极；介电膜，围绕下电极和绝缘支撑图案；高k界面层，布置在下电极与介电膜之间以及绝缘支撑图案与介电膜之间，其中，高k界面层接触绝缘支撑图案且包括氧化锆层；以及上电极，与下电极相邻地设置，其中，高k界面层和介电膜设置在上电极与下电极之间。

公开(公告)号：CN117015236A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310373577.6

申请日：2023-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全寅铎 ,  林汉镇 ,  丁炯硕

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/538

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置包括：层间绝缘层、嵌入在层间绝缘层中的多个第一接触焊盘、嵌入在层间绝缘层中并且布置在多个第一接触焊盘上的第一功函数调整图案、以及布置在多个第一功函数调整图案上的多个下电极。

公开(公告)号：CN116419665A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202211634729.5

申请日：2022-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  蔡志旼 ,  朴赞勋 ,  申东珉 ,  林载顺 ,  全寅铎

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底：下电极，设置在衬底上；至少一个支撑层，与下电极接触；介电层，设置在下电极上；上电极，设置在介电层上；第一界面膜，在下电极与介电层之间；以及第二界面膜，在上电极与介电层之间。第一界面膜和第二界面膜中的至少一个包括多个层，其中该多个层包括第一金属元素和第二金属元素、以及氧和氮中的至少一种。下电极包括第一金属元素。第一界面膜的第一区域包括第一浓度的第二金属元素，并且第一界面膜的第二区域包括与第一浓度不同的第二浓度的第二金属元素。

公开(公告)号：CN116406227A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211688472.1

申请日：2022-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全寅铎 ,  朴瑛琳

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 本公开的半导体器件包括：衬底；电容器接触结构，所述电容器接触结构与所述衬底电连接；下电极，所述下电极与所述电容器接触结构连接；电容器绝缘层，所述电容器绝缘层覆盖所述下电极；以及上电极，所述上电极覆盖所述电容器绝缘层。所述上电极包括位于所述电容器绝缘层上的多层和位于所述多层上的覆盖层。所述多层包括第一电极层、第二电极层以及在所述第一电极层与所述第二电极层之间的第一金属硅化物层。所述第一金属硅化物层的功函数大于所述第一电极层的功函数和所述第二电极层的功函数。