公开(公告)号：CN110970433A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910891256.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞尚旼 ,  金柱然 ,  罗炯住 ,  徐凤锡 ,  郑主护 ,  黄义澈 ,  李城门

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。

公开(公告)号：CN110797339A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910640800.2

申请日：2019-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞尚旼 ,  金柱然 ,  罗炯柱 ,  徐凤锡 ,  郑主护 ,  黄义澈 ,  李城门

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一有源图案，所述第一有源图案沿第一方向纵长地延伸；第二有源图案，所述第二有源图案沿所述第一方向纵长地延伸并沿所述第一方向与所述第一有源图案间隔开。所述器件还包括位于所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的场绝缘膜。所述场绝缘膜的上表面低于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面或与所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面共面。所述器件还包括位于隔离沟槽中的元件隔离结构，所述隔离沟槽位于所述第一有源图案和所述场绝缘膜中。所述元件隔离结构的上表面高于所述第一有源图案的上表面和所述第二有源图案的上表面。