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公开(公告)号：CN101188250B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200710305140.X
申请日：2007-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/38 , H01L29/43 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/665 , H01L29/165 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括堆叠在衬底上的栅绝缘体和栅电极，填充凹槽区域的源/漏图形，该凹槽区域形成在邻近于该栅电极的相对侧面处，该源/漏图形由掺杂杂质的硅-锗构成，且金属硅化锗层布置在该源/漏图形上。该金属硅化锗层电连接到该源/漏图形。在该金属硅化锗层中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例低于在该源/漏图形中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例。
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公开(公告)号：CN101188250A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710305140.X
申请日：2007-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/38 , H01L29/43 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/665 , H01L29/165 , H01L29/6659 , H01L29/66636 , H01L29/7834 , H01L29/7848
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括堆叠在衬底上的栅绝缘体和栅电极，填充凹槽区域的源/漏图形，该凹槽区域形成在邻近于该栅电极的相对侧面处，该源/漏图形由掺杂杂质的硅－锗构成，且金属硅化锗层布置在该源/漏图形上。该金属硅化锗层电连接到该源/漏图形。在该金属硅化锗层中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例低于在该源/漏图形中的锗的含量和硅的含量的总和中的锗的含量的比例。
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公开(公告)号：CN101079422A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710105057.8
申请日：2007-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L27/12 , H01L21/8238 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/7843 , H01L29/7848
Abstract: 提供了一种具有改善的晶体管操作特性和闪烁噪声特性的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底，设置在所述衬底上的模拟NMOS晶体管和压缩应变沟道模拟PMOS晶体管。所述器件还包括分别覆盖所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管的第一蚀刻停止衬层(ESL)和第二ESL。在500Hz的频率，对于参考未应变沟道模拟NMOS和PMOS晶体管的闪烁噪声功率的所述NMOS和PMOS晶体管的闪烁噪声功率的相对测量小于1。
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公开(公告)号：CN1828836A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006728.0
申请日：2006-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/322 , H01L29/02
CPC classification number: H01L21/3221 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 在本发明的外延半导体衬底的制造方法的示范性实施例中，在半导体衬底上方生长吸杂层。在所述吸杂层上方形成外延层，且在所述外延层上可以形成半导体器件。
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