公开(公告)号：CN113224056B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202011271904.X

申请日：2020-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  姜旻局 ,  金知炯 ,  安正勋 ,  刘海利 ,  崔允基

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和连接区域；虚设晶体管，所述虚设晶体管位于所述连接区域上；中间连接层，所述中间连接层位于所述虚设晶体管上；第一金属层，所述第一金属层位于所述中间连接层上；蚀刻停止层，所述蚀刻停止层位于所述中间连接层与所述第一金属层之间；贯穿接触，所述贯穿接触位于所述第一金属层下方，所述贯穿接触穿透所述连接区域，所述贯穿接触的上部突出超过所述蚀刻停止层；以及保护绝缘图案，所述保护绝缘图案位于所述蚀刻停止层上，所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的所述上部。所述保护绝缘图案覆盖所述贯穿接触的上侧表面和所述贯穿接触的顶表面。

公开(公告)号：CN116190345A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211500173.0

申请日：2022-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宇珹 ,  朴媛智 ,  安正勋 ,  吴在熙 ,  金知炯 ,  丁少锋 ,  洪锡俊 ,  黄帝官

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种插入结构和包括其的半导体封装，该插入结构包括：插入基板；在插入基板的上表面上的层间绝缘层；在层间绝缘层内的电容器结构；在垂直方向上穿透层间绝缘层的第一通路，第一通路连接到电容器结构；在层间绝缘层上的绝缘层；在垂直方向上穿透绝缘层的第二通路，第二通路连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个，贯穿通路的上表面与第二通路的上表面共面。

公开(公告)号：CN116031249A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211181515.7

申请日：2022-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  金知炯 ,  朴媛智 ,  安正勋 ,  吴在熙 ,  崔允基

IPC: H01L25/065 ,  H01L23/48

Abstract: 公开了一种三维集成电路结构，其包括有源器件管芯和堆叠在有源器件管芯上的无源器件管芯。有源器件管芯包括：第一基板，包括彼此相反的正面和背面；在第一基板的背面上的供电网络；在第一基板的正面上的器件层；在器件层上的第一布线层；以及从供电网络垂直地延伸到第一布线层的贯通接触。无源器件管芯包括：第二基板，包括彼此相反的正面和背面，第二基板的正面面对第一基板的正面；在第二基板的正面上的层间电介质层，层间电介质层包括至少一个孔；在孔中的无源器件；以及在无源器件上的第二布线层，其中第二布线层面对并连接到第一布线层。

公开(公告)号：CN111128954A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911035178.9

申请日：2019-10-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴桭胡 ,  方镛胜 ,  安正勋

IPC: H01L23/522 ,  H01L49/02

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的第一电极；在第一电极上的第二电极；在第一电极和第二电极之间的第一电介质层；在第二电极上的第三电极；在第二电极和第三电极之间的第二电介质层；以及穿透第三电极并接触第一电极的第一接触插塞，第一接触插塞接触第三电极的顶表面和第三电极的侧表面。

公开(公告)号：CN110890319A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910342775.X

申请日：2019-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴英锡 ,  李敬雨

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种制造半导体器件的互连线的方法包括：在衬底上的第一层间绝缘层、蚀刻停止层和第二层间绝缘层中形成通路和下互连沟槽；在通路和下互连沟槽内部形成下扩散阻挡层、下籽晶层和下互连层；使用化学机械抛光(CMP)工艺平坦化下互连层，以形成接触插塞和下互连线；在第二层间绝缘图案和下互连线的顶部上沉积第三层间绝缘层；在第三层间绝缘层中形成上互连沟槽；在上互连沟槽内部形成上扩散阻挡层、上籽晶层和上互连层；以及使用CMP工艺平坦化上互连层，以形成上互连线。

公开(公告)号：CN110875275A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910491844.3

申请日：2019-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  安正勋

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。更具体地，提供了包括通过简化工艺来改善静电容量的电容器的半导体器件和/或制造该半导体器件的方法。所述半导体器件包括：限定第一沟槽的绝缘结构，所述绝缘结构位于衬底上；位于所述绝缘结构中的第一导电层，所述第一导电层的上表面的第一部分由所述第一沟槽暴露；电容器结构，所述电容器结构包括位于所述第一导电层上的第一电极图案、位于所述第一电极图案上的介电图案和位于所述介电图案上的第二电极图案，所述第一电极图案沿着所述第一沟槽的侧壁和底表面以及所述绝缘结构的上表面延伸；以及位于所述电容器结构上的第一布线图案。

公开(公告)号：CN110648976A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910530743.2

申请日：2019-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁少锋 ,  朴小螺 ,  安正勋

IPC: H01L23/00 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 可以提供一种半导体器件，其包括：衬底，具有第一表面和面对第一表面的第二表面，衬底具有通路孔，通路孔从衬底的第一表面朝向衬底的第二表面延伸；在通路孔中的穿通通路；在衬底的第一表面上的半导体部件；以及内部缓冲结构，与通路孔间隔开并在通路孔与半导体部件之间，内部缓冲结构从衬底的第一表面朝向衬底的内部延伸，内部缓冲结构的顶端在比穿通通路的顶端高的水平处。