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公开(公告)号：CN105073931B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480017966.4
申请日：2014-03-25
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
Inventor： 林下英司
IPC: C09J7/02 , H01L21/301
CPC classification number: C09J7/0235 , C09J7/20 , C09J7/405 , C09J123/142 , C09J123/20 , C09J2201/28 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明的目的是提供一种精度良好地预切割加工成规定形状的叠层膜的制造方法，所述叠层膜具有：长条状脱模膜，及设置于其上且包含沿着长度方向而相互邻接的岛状粘着膜A和岛状粘着膜B的多个岛状粘着膜，所述制造方法包括：获得具有脱模膜与粘着膜的长条状叠层体的工序；将该叠层体的粘着膜预切割而获得第一剥离部的工序；将第一剥离部从脱模膜剥离的工序；第一剥离部包含：岛状粘着膜A的脱模膜的宽度方向一端侧的周缘部A1、岛状粘着膜B的脱模膜的宽度方向另一端侧的周缘部B2、及将周缘部A1与周缘部B2连接的连接部C，且不含岛状粘着膜A的脱模膜的宽度方向另一端侧的周缘部A2与岛状粘着膜B的脱模膜的宽度方向一端侧的周缘部B1。
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公开(公告)号：CN102986007B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180033494.8
申请日：2011-09-28
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/6836 , B32B27/08 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B2270/00 , B32B2274/00 , B32B2405/00 , B32B2457/14 , C08J5/18 , C08J2323/16 , C08J2323/20 , C09J7/241 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , C09J2423/006 , Y10T156/1052 , Y10T428/24942 , Y10T428/28
Abstract: 本发明的课题在于获得一种低污染、具有对于以往的烯烃系扩张性基材而言不充分的高扩张性、且不易颈缩的烯烃系扩张性基材及切割膜。为了达成上述课题，本发明提供一种扩张性膜，其为含有在23℃时的拉伸弹性模量为100MPa～500MPa的1-丁烯·α-烯烃共聚物（A）、以及包含丙烯·α-烯烃共聚物（b1）且在23℃时的拉伸弹性模量为10MPa～50MPa的丙烯系弹性体组合物（B）的基材，并且相对于（A）与（B）的合计100重量份，上述（B）的含量为30重量份～70重量份。
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公开(公告)号：CN107851602B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201680036275.8
申请日：2016-06-14
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
Inventor： 林下英司
IPC: H01L21/683 , H01L21/301 , C09J7/25 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序、拾取工序的半导体部件制造用膜、半导体部件的制造方法、半导体部件以及评价方法。即，半导体部件制造用膜1具备基层11和设于其一面侧的粘着材层12，基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与‑40℃时的弹性模量E’(‑40)之比RE(＝E’(160)/E’(‑40))为RE≥0.01，并且E’(‑40)为10MPa以上且小于1000MPa。本方法具备：将粘着材层12粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的工序、将半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的工序、以及将半导体部件从粘着材层12分离的拾取工序，在拾取工序前，具备对半导体晶片或半导体部件进行评价的工序。
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公开(公告)号：CN110235236A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201880008938.4
申请日：2018-01-26
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/683 , B32B15/08 , B32B27/00 , B32B27/36 , C09J7/20 , H01L21/301
Abstract: 本发明的目的在于提供具有能在不同工序间通用的通用性并且在加热环境下能可靠地吸附于卡盘台的部件制造用膜、部件制造用具以及部件制造方法，本发明的膜(1)具有第1区域S1和包围区域S1而配置的第2区域S2，区域S1由基层11和设置在其一面侧的粘着材层12形成，区域S2由基层11和粘着材层12、以及贴附在层12上的附加层13形成，在温度190℃以下的范围，附加层13的拉伸弹性模量大于或等于基层11的拉伸弹性模量。本发明的方法具备部件固定工序、以区域S1与区域S2的边界位于与卡盘台端缘相比靠内侧的方式进行载置的膜载置工序、吸附工序以及加热工序。
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公开(公告)号：CN109075045A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780021670.3
申请日：2017-03-27
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
Inventor： 林下英司
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下4个工序。(A)工序，准备结构体(100)，所述结构体(100)具备：依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性叠层膜(50)，以及粘贴于粘着性树脂层(30)上的1或2个以上的半导体芯片(70)；(B)工序，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，确认半导体芯片(70)的动作；(C)工序，在工序(B)之后，从粘着性叠层膜(50)剥离耐热性树脂层(10)；(D)工序，在工序(C)之后，从粘着性树脂层(30)拾取半导体芯片(70)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107851602A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680036275.8
申请日：2016-06-14
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
Inventor： 林下英司
IPC: H01L21/683 , H01L21/301 , C09J7/25 , C09J201/00
CPC classification number: C09J7/255 , C09J7/20 , C09J7/25 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J133/12 , C09J201/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2433/00 , C09J2467/006 , C09J2477/006 , H01L21/6836 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供能够共通地进行伴随温度变化的评价工序、单片化工序、拾取工序的半导体部件制造用膜、半导体部件的制造方法、半导体部件以及评价方法。即，半导体部件制造用膜1具备基层11和设于其一面侧的粘着材层12，基层11的160℃时的弹性模量E’(160)与-40℃时的弹性模量E’(-40)之比RE(＝E’(160)/E’(-40))为RE≥0.01，并且E’(-40)为10MPa以上且小于1000MPa。本方法具备：将粘着材层12粘贴在形成有电路的半导体晶片的背面的工序、将半导体晶片进行单片化而得到半导体部件的工序、以及将半导体部件从粘着材层12分离的拾取工序，在拾取工序前，具备对半导体晶片或半导体部件进行评价的工序。
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公开(公告)号：CN107735855A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201680033414.1
申请日：2016-06-08
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
Inventor： 林下英司
IPC: H01L21/56 , B32B27/00 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供电子部件保护膜、电子部件保护构件、电子部件的制造方法和封装体的制造方法，所述电子部件保护膜是在将经单片化的半导体部件再配置后使用密封剂以阵列状密封时所利用的电子部件保护膜，无须将密封剂的固化温度调整为较低。即，其为具备基层11和粘着材层12的电子部件保护膜1，该电子部件保护膜1用于如下的得到电子部件的方法，该方法为：以覆盖具有开口部71的框体7的开口部71的方式将电子部件保护膜1的粘着材层12粘贴于框体7的一面7a后，在露出于开口部71的粘着材层12的表面12a，以彼此分离的状态粘贴多个半导体部件，接着，使用密封剂覆盖粘着材层12的表面12a和半导体部件，然后将密封剂加热固化，从而得到以阵列状密封而成的电子部件；基层11的160℃时的拉伸弹性模量与50℃时的拉伸弹性模量之比RE为0.05＜RE＜1。
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公开(公告)号：CN102763211B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201180009655.X
申请日：2011-05-31
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/683 , B24B1/00 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/67132 , Y10T428/1471
Abstract: 本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）
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公开(公告)号：CN102763211A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180009655.X
申请日：2011-05-31
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
IPC: H01L21/683 , B24B1/00 , B24B7/22
CPC classification number: H01L21/67132 , Y10T428/1471
Abstract: 本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量EA（25）和在60℃时的储能模量EA（60）满足EA（60）/EA（25）
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公开(公告)号：CN109075045B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN201780021670.3
申请日：2017-03-27
Applicant: 三井化学东赛璐株式会社
Inventor： 林下英司
IPC: H01L21/301 , B32B27/00 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法至少具备以下4个工序。(A)工序，准备结构体(100)，所述结构体(100)具备：依次具有耐热性树脂层(10)、柔软性树脂层(20)和粘着性树脂层(30)的粘着性叠层膜(50)，以及粘贴于粘着性树脂层(30)上的1或2个以上的半导体芯片(70)；(B)工序，在粘贴于粘着性树脂层(30)上的状态下，确认半导体芯片(70)的动作；(C)工序，在工序(B)之后，从粘着性叠层膜(50)剥离耐热性树脂层(10)；(D)工序，在工序(C)之后，从粘着性树脂层(30)拾取半导体芯片(70)。
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