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公开(公告)号：CN108605105B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201780010924.1
申请日：2017-02-13
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Abstract: 一种固体摄像装置，具有像素，上述像素具有生成电荷的光电变换部和使上述电荷向电压变换的电荷蓄积部，上述固体摄像装置还具备控制部和信号处理部，上述控制部，使上述像素，以第一曝光模式曝光并以第一增益使电荷向电压变换从而输出第一像素信号，以第二曝光模式曝光并以第二增益使电荷向电压变换从而输出第二像素信号，上述第二曝光模式的曝光时间比上述第一曝光模式短，上述第二增益比上述第一增益小，上述信号处理部对上述第一像素信号和放大后的上述第二像素信号进行合成。
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公开(公告)号：CN105723239B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201480061442.5
申请日：2014-11-19
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Inventor： 伊藤顺治
IPC: G01S17/10 , G01S17/894 , G01C3/06 , G01S17/42 , G02B7/28 , G02B7/40 , G03B13/36 , H01L27/146 , H04N5/232
Abstract: 测距摄像系统具备：控制部，产生指示光照射的发光信号和指示曝光的曝光信号；脉冲光源部，按照发光信号来照射脉冲光；摄像部，具备固体摄像元件，并且按照曝光信号进行曝光及摄像；以及运算部，算出距离信息，固体摄像元件，具有接受来自被摄体的放射光的第一像素和接受脉冲光的反射光的第二像素，运算部，利用来自第一像素的图像摄像信号和来自第二像素的摄像信号来算出距离信息。
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公开(公告)号：CN111863811A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010696748.5
申请日：2017-08-01
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/417 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明的半导体装置及半导体封装装置，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，背面电极厚度为25μm以上35μm以下，在平面视下，半导体基板以向背面电极侧凸起的方式弯曲，设其对角尺寸为Lmm时，背面电极厚度相对于包括半导体基板和低浓度杂质层的半导体层的比例为(－0.48×L+2.07)以上(－0.48×L+2.45)以下。
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公开(公告)号：CN111801587A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201980014332.6
申请日：2019-02-21
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
IPC: G01R31/396 , G01R19/00 , B60L58/20 , H01M10/48 , H02J7/02
Abstract: 电压测定装置(100)是具备以串联连接的多个单元为对象而测定单元电压的多个电压检测电路的电压测定装置，电压检测电路(1)具备保持将多个电压检测电路(1)中的某个电压检测电路指定为通信终端位置的通信终端信息的通信终端信息保持电路(51，71)、以及根据通信终端信息来控制将从前级电压检测电路接收到的通信命令向次级电压检测电路进行发送的传送的通信控制电路(52，72)。
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公开(公告)号：CN111684582A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201980011546.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Abstract: 面朝下安装芯片尺寸封装型的半导体装置(1)，具备具有第1电极(11)、第2电极(21)、对第1电极(11)与第2电极(21)之间的导通状态进行控制的控制电极(55)的晶体管元件(100)以及多个第1电阻元件(110)，多个第1电阻元件(110)的一方的电极均与第2电极(21)电连接，半导体装置(1)具有一个以上的外部电阻端子(30)、与第1电极(11)电连接的外部第1端子(10)、与控制电极(55)电连接的外部控制端子(40)，多个第1电阻元件(110)的另一方的电极均与一个以上的外部电阻端子(30)中的任一个接触连接，一个以上的外部电阻端子(30)、外部第1端子(10)、外部控制端子(40)是被形成在半导体装置(1)的表面的外部连接端子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111670488A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201880088260.5
申请日：2018-12-20
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
IPC: H01L21/60 , B23K20/10 , H01L21/607 , H01L33/40 , H01L33/62
Abstract: 半导体装置(1)具备：安装基板(20)；以及半导体元件(10)，隔着金属凸块(30)被配置在安装基板(20)，半导体元件(10)，具有半导体层叠结构(11)以及第1电极，安装基板(20)，具有第2电极，金属凸块(30)具有与半导体元件(10)的第1电极相接的第1层(31)、以及位于该第1电极的相反侧的第2层(32)，构成第1层(31)的结晶的平均结晶粒径，比构成第2层(32)的结晶的平均结晶粒径大，第2层(32)位于与半导体元件(10)的第1电极隔开的位置。
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公开(公告)号：CN107430889B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201680012430.2
申请日：2016-03-02
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Inventor： 永井裕康
IPC: G11C13/00
Abstract: 包括：第一改写步骤，向多个位线以及多个源极线的双方施加预充电电压；第二改写步骤，向选择位线或选择源极线的任一方施加改写电压；第三改写步骤，向选择位线以及选择源极线的双方施加改写电压；第四改写步骤，向选择位线或选择源极线的任一方施加预充电电压；以及第五改写步骤，向选择位线以及选择源极线的双方施加预充电电压。
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公开(公告)号：CN108700905B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201780014006.6
申请日：2017-03-07
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Abstract: 调节器电路(101)具有第一停止状态、第二停止状态、以及工作状态，且具备：检测电路部(11)，对调节器电路(101)的输出电压的大小进行检测，将示出检测结果的反馈电压VFB输出到反馈节点；运算放大电路部(12)，对基准电压VREF与反馈节点的电压进行比较，并输出示出比较结果的电压；以及输出电路部(13)，按照运算放大电路部(12)的输出，生成输出电压，在第一停止状态与第二停止状态，反馈节点的状态不同，与从第一停止状态切换到工作状态时的过渡时间相比，从第二停止状态切换到工作状态时的过渡时间短。
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公开(公告)号：CN107113388B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201680004754.1
申请日：2016-01-22
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
Abstract: 固体摄像装置(1)，具备：像素阵列部(10)，具有被配置为矩阵状的多个像素电路(3)；垂直信号线(19)，传播像素信号；列AD电路(25)，对来自垂直信号线(19)的像素信号进行AD转换；列切换电路(50)，插入在像素阵列部(10)与列AD电路(19)之间的垂直信号线(19)，对垂直信号线(19)与列AD电路(25)的连接进行切换；控制部(20)，按每个水平扫描期间使所述连接切换；以及复原电路(52)，将AD转换后的像素信号的排列顺序复原为，与像素阵列部(10)中的排列顺序对应。
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公开(公告)号：CN112271178A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011145820.1
申请日：2017-08-01
Applicant: 松下半导体解决方案株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/36 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/488 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/522 , H01L29/78 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H02J7/00
Abstract: 本发明的半导体装置及半导体模块，具有：半导体基板，包括第一导电型的杂质；低浓度杂质层，形成于半导体基板的正面，包括浓度比半导体基板低的第一导电型的杂质；背面电极，形成于半导体基板的背面，由金属材料构成；第一、第二晶体管，分别形成于低浓度杂质层内的邻接的第一、第二区域，并在低浓度杂质层的正面具有源极电极及栅极电极；半导体基板作为共同漏极区域发挥功能，作为多个第一源极电极中的一个的第三源极电极与作为多个第二源极电极中的一个的第四源极电极分别是相对于第一区域与第二区域的边界最近的源极电极，并且沿着边界的全区域而配置。
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