半导体存储装置的改写方法以及半导体存储装置

    公开(公告)号:CN107430889B

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201680012430.2

    申请日:2016-03-02

    Inventor: 永井裕康

    Abstract: 包括:第一改写步骤,向多个位线以及多个源极线的双方施加预充电电压;第二改写步骤,向选择位线或选择源极线的任一方施加改写电压;第三改写步骤,向选择位线以及选择源极线的双方施加改写电压;第四改写步骤,向选择位线或选择源极线的任一方施加预充电电压;以及第五改写步骤,向选择位线以及选择源极线的双方施加预充电电压。

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