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公开(公告)号：CN112213283B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202010967494.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 江苏方天电力技术有限公司 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G01N21/39
Abstract: 本发明公开了一种气体浓度测量方法，属于激光吸收光谱技术领域。传统的免标定方法是利用激光器调制波长通过被测气体的特征吸收区，将通过基准气体和待测气体后两路光信号，利用数字锁相滤波技术处理后得到二次谐波与一次谐波比值，由此确定谐波的峰值点的高度。再根据测量确定的峰值点值，比较现有数据库中已有峰值点高度值，根据峰值点的高度值的差值反演出待测气体的浓度。而本发明所采用的半标定法则是免标定法的基础上，通过定期测量已知浓度的标定气体的峰值点，按原数据库中比例对该数据库中的数据进行修正，以此提高测量的精确度。该方法相比于传统免标定法测量精确度大幅度提高，同时相比于标定方法也可大量节省时间和计算成本。
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公开(公告)号：CN119538814A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411644749.X
申请日：2024-11-18
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/337
Abstract: 本发明公开了一种触发器合并及放置方法、电子设备及存储介质，获取电路版图的网表信息，构建图数据结构；获取电路单元的位置，构建用于触发器最大团识别的树状数据结构；依次对每个区域进行触发器最大团的识别，得到每个区域对应的触发器最大团集合；为触发器最大团集合中每个最大团选择待合并触发器集合和对应的多比特触发器；依次对每个区域的每个最大团所选择的待合并触发器集合和对应的多比特触发器进行多比特触发器的放置；根据放置后的多比特触发器和对应的待合并触发器集合进行引脚匹配，选择最优的匹配方案并计算引脚时序恶化量，若时序恶化量大于阈值，则对最大团重新进行处理。本发明在保证触发器合并率的同时，尽可能减少时序劣化。
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公开(公告)号：CN118944626A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411135416.4
申请日：2024-08-19
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: H03H7/18
Abstract: 本发明公开了一种面向5G毫米波应用的片上无源宽带数控移相器，移相步进为5.625°，能够实现从0°到354.375°范围内的共64种状态的移相。该移相器由180°、90°、45°、22.5°、11.25°、5.625°六位移相单元级联构成，180°移相单元采用开关切换π型高通网络和π型低通网络的结构，90°移相单元采用开关切换T型高通网络和π型低通网络的结构，45°、22.5°、11.25°移相单元采用开关切换π型低通网络和带通网络的结构，5.625°移相单元采用单个电感外加一个旁路开关的结构。本发明通过精心选择和设计各个移相单元电路结构，并对连接顺序进行精心设计，在5G毫米波频段内实现6比特高精度移相，在20％相对带宽内保持良好的均方根相位误差和均方根幅度误差性能。
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公开(公告)号：CN118862794A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411135411.1
申请日：2024-08-19
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种结合先验知识的机器学习辅助运算放大器优化方法。本发明针对机器学习辅助运算放大器优化时维度升高后优化难以实现的问题，提出了一种结合先验知识的改进方法，引入中间变量直流参数(跨导gm/漏电流id与id)，先学习晶体管尺寸与直流参数的关系，再学习直流参数与电性能之间的关系，同时在每一级代理模型的建立过程中进行特征选择降维，结合先验知识的代理模型在高维取得了较好的预测精度；最后通过全局优化算法进行全局优化得到符合性能要求的设计参数。实验表明，本发明方法在较高维的运算放大器优化中能获得更好的性能。
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公开(公告)号：CN118607423A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410753550.4
申请日：2024-06-12
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
Abstract: 本发明提供一种快速计算半导体场效应管工艺波动效应的方法，包括TCAD计算半导体场效应管稳态解一次，获得参考电流值及参考转移特性曲线；生成工艺波动随机分布样本；计算电势格林函数和电流格林函数，并通过离散化处理及对工艺波动响应的非线性叠加，计算电极处的电流波动；并将电流波动与参考电流值相加，获得特定工艺波动下的电流值；并通过变化工艺波动随机分布样本及变化栅极电压，获得不同波动情况下半导体场效应管的转移特性曲线族，并由此推导器件电学特性参数的分布。本发明仅需TCAD计算稳态解一次，并且考虑了器件的非线性扰动，降低了快速求解的模型误差，在保证计算效率的同时保障了求解精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117933186A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410010883.8
申请日：2024-01-04
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/398 , G06F30/392
Abstract: 本发明公开了一种面向设计规则检查的候选边快速构建方法,在版图融合图形布尔运算阶段，将距离类型的设计规则检查任务拆分为边对距离检查和边对属性判别两个子任务，通过保证边的有向性及记录边所属的版图图层，判断两条边的属性，从而确定边对的检查符合规则要求。本发明提出了候选边快速构建算法以解决版图融合阶段图形布尔运算耗时长、内存开销大、难以并行化这一问题，在加速构建规则检查所需的版图布尔运算结果边集合的同时，显著降低运行期间的内存开销，该方法输出结果为后续流程所需的有序有向边，稳定性好，受版图图形数据分布影响小，可并行化。
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公开(公告)号：CN117763208A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311671988.X
申请日：2023-12-07
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F16/903 , G06F16/901
Abstract: 本发明公开了一种基于DYNAMIC BUCKETING改进的矩形数据区域查询方法，水平目录的空间是包围整个版图最小边界矩形的目录边界矩形，水平目录将进一步用垂直线将水平目录空间划分成若干个垂直目录空间，每个垂直目录将进一步用水平线将垂直目录空间划分成若干个桶空间，每个桶将进一步利用版图上与桶相交的矩形与桶空间的位置关系将矩形存入到四个不同的矩形列表中。根据查询窗口边的坐标与每个桶空间边的坐标，获得每个桶内需要检测的矩形数据，并从每个桶内需要检测的矩形数据中选出与查询窗口相交的矩形数据。本发明在原数据结构的基础上增强了应对矩形分布的鲁棒性，提高了区域查询的效率。
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公开(公告)号：CN119918478A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510014672.6
申请日：2025-01-06
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/3312 , G06F30/394 , G06N3/042 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/082
Abstract: 本发明公开了一种数字集成电路可感知优化的布线前时序预测方法、电子设备及存储介质，根据电路网表构建异构图，将异构图与各单元、互连线对应的特征向量相融合后输入训练好的异构图神经网络，得到图网络嵌入；将版图的特征矩阵输入训练好的卷积神经网络，得到卷积网络嵌入；将图网络嵌入与卷积网络嵌入进行拼接，得到多模态局部嵌入；将多模态局部嵌入根据路径中逻辑单元与互连线连接关系，构建路径的特征序列，将路径的特征序列输入训练好的Transformer网络，得到布线后路径延时残差预测值；将布局后路径延时值与布线后路径延时残差预测值相加，最终得到布线后路径延时预测值。本发明可以在布线前准确且高效地预测布线后路径延时。
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公开(公告)号：CN119358502A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411617471.7
申请日：2024-11-13
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/392 , G06F30/327 , G06F30/27 , G06N3/042 , G06F17/16 , G06F18/214 , G06F18/21 , G06N3/045
Abstract: 本发明公开了一种基于图神经网络的布局后物理特征预测方法及系统，将逻辑综合阶段的电路网表转换为由节点和边构成的拓扑图，根据节点之间的连接关系构建邻接矩阵，提取各节点的初始特征向量得到特征矩阵，输入由嵌入层、多层GNN层、合并层以及全连接层构成的图神经网络模块，聚合邻居节点的特征信息并对布局后网络的半周长进行预测。本发明通过引入基于图神经网络的物理特征预测模型，用于估计布局后网络线长，预测的结果能够作为后续早期时序预测框架的特征之一，显著提升布局后路径延时的预测精度，从而指导设计师或者工具进行优化，减少设计的迭代，降低芯片设计的时间成本。
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公开(公告)号：CN117521571A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311479243.3
申请日：2023-11-08
Applicant: 东南大学 , 南京集成电路设计自动化技术创新中心
IPC: G06F30/3308 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供一种预测半导体场效应管金属功函数波动效应的方法，包括求解多组金属功函数条件下的目标器件，提取器件工作过程中的电学特性参数，组成构建金属功函数波动效应预测模型所需要的数据集；根据数据集中不同电学特性参数与金属功函数的拟合关系，计算得到金属功函数波动效应预测模型拟合函数并验证，得到经过验证的预测模型；根据工艺生产过程中金属功函数波动产生的机制建立金属功函数波动分布概率模型，并生成金属功函数波动随机分布样本；向验证完毕的预测模型输入待预测的器件金属功函数波动随机分布样本，得到该器件在金属功函数波动下电学特性参数的波动分布。本发明能够快速准确地预测器件性能受金属功函数波动影响产生的效应。
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