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公开(公告)号：CN103124734B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201180036572.X
申请日：2011-05-30
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/02 , C07F7/10 , C23C16/42 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: C07F7/025 , C23C16/345 , C23C16/401 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271
Abstract: 本发明提供一种在500℃以下的低温下即使不使用等离子体等也可以高效地制作含硅薄膜的材料。本发明使氯硅烷衍生物(3)和化合物M2Z(4)进行反应，制造通式(1’)所示的含氢硅烷衍生物，并以该含氢硅烷衍生物作为材料制造含硅薄膜，在通式(1’)中，R1及R2分别独立地表示碳原子数3~12的烷基。在Z为异氰酸基或异硫氰酸基的情况下，M2表示钠原子等。在Z为氨基、NHR3所示的一取代氨基或NR4R5所示的二取代氨基的情况下，M2表示氢原子等。R3表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基。R4及R5分别独立地表示碳原子数1~4的烷基。在Z为碳原子数2~6的链烯基的情况下，M2表示卤化镁基团。
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公开(公告)号：CN101675038B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200880011841.5
申请日：2008-03-14
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07D401/10 , C07D401/14 , C09K11/06 , H01L51/50 , C07B61/00
CPC classification number: H01L51/0067 , C07D251/24 , C07D401/10 , C07D401/14 , H01L51/5048 , H05B33/22
Abstract: 本发明涉及通式(1)所示的苯基取代1，3，5-三嗪化合物，该化合物作为有机电致发光元件是有用的。[式中，Ar1和Ar2独立地表示取代或非取代的苯基、萘基或联苯基，R1、R2和R3独立地表示氢原子或甲基，X1和X2独立地表示取代或非取代的亚苯基、亚萘基或亚吡啶基，p和q独立地表示0到2的整数，Ar3和Ar4独立地表示取代或非取代的吡啶基或苯基]。
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公开(公告)号：CN102239161A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200980148741.1
申请日：2009-10-02
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07D401/14 , C09K11/06 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC classification number: C07D403/14 , C07D401/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , C09K2211/1044 , C09K2211/1059 , H01L51/0003 , H01L51/001 , H01L51/0067 , H01L51/5048
Abstract: 公开一种由以下通式(1)表示的1，3，5-三嗪衍生物[其中，R1、R2和R3独立地表示氢原子或甲基；X表示碳原子或氮原子；Ar1表示可被取代的芳族烃基；Ar2表示可为稠环的具有一个或两个氮原子的六元芳族杂环基团，以及可被C1-4烷基取代]。还公开一种包括所述1，3，5-三嗪衍生物的有机电致发光器件，其具有低的驱动电压和长的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114096528B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202080050694.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Inventor： 内田直树 , 相原秀典 , 山县拓也 , 早川直辉 , 中岛菜摘 , 服部一希 , 上原史成 , 小野洋平 , 平野雅也 , 森中裕太 , 野村桂甫 , 太田惠理子 , 荘野智宏 , 尾池华奈 , 林和史 , 青柳圭哉 , 佐藤宏亮 , 西浦利纪
IPC: C07D401/10 , C07D213/61 , C07F5/02 , H10K50/16 , H10K85/60
Abstract: 本发明的目的在于提供一种兼具优异的驱动电压特性和电流效率特性的环状吖嗪化合物。目标环状吖嗪化合物是具有式(1)所示的特定结构的环状吖嗪化合物。[化1]#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118434704A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202280085119.6
申请日：2022-12-06
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C13/62 , C07C13/66 , C07C15/28 , C07C211/54 , C07C211/61 , C07D333/76 , C07D403/08 , C07F5/02 , C09K11/06 , C07B61/00 , C07D209/86 , C07D213/16 , C07D215/14 , C07D239/26 , C07D307/91 , C07D241/42 , C07D251/24 , H10K50/00 , H10K50/16 , H10K50/15
Abstract: 本发明提供能够制作可发挥优异的发光效率特性、尤其是优异的驱动电压特性和优异的发光效率特性的有机电致发光器件的双金刚烷化合物、以及包含该双金刚烷化合物的有机电致发光器件用材料。另外，提供能够高水平地实现发光效率特性、尤其是驱动电压特性和发光效率特性的有机电致发光器件。本发明的双金刚烷化合物具有下述式(1)所示的基团和下述式(2)所示的基团。#imgabs0#(式(1)中，双金刚烷环中的碳原子上可取代有碳原子数6～12的芳基。式(1)中，*表示结合键。a表示1～6的整数。)#imgabs1#(式(2)所示的Ar表示：(i)可被取代的碳原子数6～60的芳香族烃基，(ii)可被取代的碳原子数3～60的杂芳基，或(iii)所述(i)和所述(ii)的基团组合而成的基团。其中，关于Ar，构成Ar的碳原子的总数为8以上，在Ar仅由上述(i)的碳原子数6～60的芳香族烃基构成的情况下，构成Ar的碳原子的总数为13以上。式(2)中，*表示结合键。b表示1～6的整数。)。
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16.发明公开公开(公告)号：CN117355511A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202280035514.3
申请日：2022-05-16
Applicant: 东曹株式会社 , 东曹精细化工株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07D319/12
Abstract: 一种以式(2)和/或式(10)表示的1,4‑二烷衍生物的制造方法，该方法包括使水、无机碱及以式(1)表示的氟代环氧烷烃进行反应。一种(1,3‑二氧戊环)‑2‑羧酸衍生物的制造方法，该方法包括：通过上述制造方法制造以式(2)和/或式(10)表示的1,4‑二烷衍生物；以及使以式(2)和/或式(10)表示的1,4‑二烷衍生物在加热下进行缩环。在式(1)中，R表示氟原子或氟烷基。在式(2)及式(10)中，R表示氟原子或氟烷基，存在的两个R相同或不同，Μ’+表示抗衡阳离子。
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公开(公告)号：CN117263781A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310710270.0
申请日：2023-06-15
Applicant: 捷恩智株式会社 , 捷恩智石油化学株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07C43/225 , C07C43/192 , C07C25/22 , C07D309/04 , C07D309/20 , C07D307/42 , C07D307/79 , C07D333/16 , C07D333/54 , C07D213/30 , C07D493/08 , C09K19/32 , C09K19/34 , C09K19/44 , G02F1/1333
Abstract: 本发明的课题在于提供一种液晶性化合物、液晶组合物、液晶显示元件，所述液晶性化合物充分满足以下物性的至少一种，所述物性为对热或光的稳定性高、透明点高(或向列相的上限温度高)、液晶相的下限温度低、粘度小、光学各向异性适当、介电各向异性为负且大、弹性常数适当、与其他液晶性化合物的相容性良好等。一种化合物，由式(1)表示。R1及R2为碳数1至15的烷基等；A1及A2为1,2‑亚环丙基、1,3‑亚环戊基等；环N1及环N2为1,4‑亚环己基、1,4‑亚苯基等；Z1、Z2、Z3、及Z4为单键等；环PN为经氟化烷基、氟化烷氧基、氰基等取代的菲等；d及g独立地为0或1，e及f独立地为0、1、或2。
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公开(公告)号：CN112839924B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN201980067199.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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公开(公告)号：CN112839924A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201980067199.0
申请日：2019-11-08
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供对于在不使用氧化性气体的条件下制造含钴薄膜有用的且室温下为液体的钴配合物。下述式(1)所示的钴配合物中，L1、L2表示下述式(A)的单齿酰胺配体、式(B)的双齿酰胺配体或式(C)的含杂原子配体。式(A)中，R1及R2表示碳原子数1～6的烷基或三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，波浪线表示与钴原子的键合位置。式(B)中，R3表示三(碳原子数1～6的烷基)甲硅烷基，R4、R5表示碳原子数1～4的烷基，X表示碳原子数1～6的亚烷基。式(C)中，R6及R8表示碳原子数1～6的烷基，R7表示氢原子或碳原子数1～4的烷基，Y表示氧原子或NR9，Z表示氧原子或NR10，R9及R10分别独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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公开(公告)号：CN108473521B
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN201680079068.0
申请日：2016-12-12
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
Abstract: 本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R1表示通式(2)(式中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯)所示的钴络合物。
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