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公开(公告)号：CN118414376A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280080196.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Inventor： 芝上基成
Abstract: 本申请提供一种由包含β‑1,3‑葡聚糖的亚微米原纤维形成的新型的网状结构体及其制造方法。本申请还提供β‑1,3‑葡聚糖珠及其制造方法。本申请涉及一种网状结构体，其包含网眼结构，所述网眼结构包含β‑1,3‑葡聚糖且平均纤维直径超过100nm且小于1000nm的原纤维相互连接且线状延伸而划分网眼。优选原纤维连续地连接并以直线状或曲线状延伸而划分网眼。
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公开(公告)号：CN118355527A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202280076363.6
申请日：2022-11-21
Applicant: 旭碳株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: H01M4/587 , H01M4/36 , H01M10/054
Abstract: 本发明的课题是提供一种能够高度兼顾二次电池的高容量化和循环特性提升的负极活性物质以及使用它的二次电池。一种二次电池用负极活性物质，是作为活性物质的炭黑粒子和降低因充放电导致的前述炭黑粒子的活性物质特性劣化的劣化抑制材料粒子的复合粒子，前述劣化抑制材料粒子具有比前述炭黑粒子的粒子直径大的粒子直径，是不作为活性物质起作用的粒子；前述复合粒子是前述炭黑粒子与前述劣化抑制材料粒子的混合物粒子。
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公开(公告)号：CN112562955B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202011254011.4
申请日：2017-01-12
Applicant: 株式会社村田制作所 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明涉及含有Sm和Fe的磁铁用原料、通过将磁铁用原料氮化而得到的磁铁以及它们的制造方法。根据本发明的第1的主旨，提供一种磁铁用原料，是以Sm－Fe二元系合金为主成分的磁铁用原料，其中，通过X射线衍射法测定的Sm2Fe17(024)峰相对于SmFe7(110)峰的强度比小于0.001。
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公开(公告)号：CN112236170B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201980037079.6
申请日：2019-05-31
Applicant: 国立大学法人东海国立大学机构 , 国立大学法人东京医科齿科大学 , 地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供了对温度变化高度抵抗的糖响应性凝胶，以及包括这种凝胶的糖响应性药物递送装置。除了基于苯基硼酸的单体之外，由包含具有羟基的单体的凝胶组合物构成的糖响应性凝胶可以表现出合适的耐热性。包括此类糖响应性凝胶的糖响应性药物递送装置较不易受温度变化的影响，因此，即使佩戴该装置的患者的体温由于某些原因下降时，也可以防止希望使用药物(例如胰岛素)的过度释放。
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公开(公告)号：CN117881642A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202280058264.5
申请日：2022-06-16
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C04B35/465 , C01G23/00 , C01G25/00 , C01G27/00 , C04B35/48
Abstract: 本发明为一种包含碱土金属元素、选自Ti、Zr和Hf中的至少1种元素以及氧、且具有60％以上的相对密度的致密质的钙钛矿型陶瓷成型体的制造方法，所述制造方法具备如下的接触反应工序：使单独包含含有选自Ti、Zr和Hf中的至少1种的氧化物以及水的凝胶的前体成型体、和包含碱土金属元素的氢氧化物的液体接触。得到的成型体是钙钛矿型陶瓷晶体(1)的集合体形成晶畴(2)、该晶畴(2)多个连接而成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115053502B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202180013249.4
申请日：2021-02-04
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: H04L49/10 , H04Q11/00 , H04L49/111
Abstract: 为了能高可靠且低延迟地传输数据，控制各经由光网络且经由电网络连接、并且各负责一个或多个装置的第一电交换机与第二电交换机之间的通信的通信控制方法包括以下处理：(A)与从第一电交换机向第二电交换机的光路的第一设定请求关联来判定阻塞的有无；(B)在存在阻塞的情况下，执行从第一电交换机发送从第一电交换机向第二电交换机的光路的第二设定请求的第一处理、以及从第一电交换机经由电网络发送第一设定请求的包或包流的第二处理中的至少任一个处理。
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公开(公告)号：CN114423820B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202080052767.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 地方独立行政法人神奈川县立产业技术综合研究所 , 佳能株式会社
Abstract: 本发明旨在通过将负热膨胀性材料添加到热塑性树脂并热加工时通过抑制负热膨胀性质的功能劣化而获得具有低的热膨胀性质的树脂组合物。本发明提供包括具有负热膨胀性质的金属氧化物颗粒和热塑性树脂的树脂组合物。颗粒的负热膨胀性归因于由构成金属之间的电子转移驱动的晶相转变，并且在颗粒和热塑性树脂之间形成抑制电子转移的共价保护层。
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公开(公告)号：CN112823139B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201980066506.3
申请日：2019-10-11
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供一种氨化学种脱附方法，其与使用盐或强酸的水溶液的情况相比能够以简便、廉价及温和的条件，并且与仅使用水的情况相比，能够有效地使吸附于普鲁士蓝衍生物的氨化学种脱附。该氨化学种脱附方法具有使二氧化碳和水与吸附有氨化学种的下述通式(1)所表示的普鲁士蓝衍生物接触而使氨化学种脱附的氨化学种脱附工序。AxM[M′(CN)6]y·zH2O···(1)，其中，x为0～3，y为0.1～1.5，z为0～6。A为氢、铵、碱金属和碱土金属中的一种以上的阳离子。M和M′各自独立为除了铵、碱金属和碱土金属以外的
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公开(公告)号：CN117413366A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202280037917.1
申请日：2022-04-28
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: H01L29/78
Abstract: 半导体装置在层叠半导体基板SB上具备功率晶体管UMOS、n型晶体管NMOS及p型晶体管PMOS，层叠半导体基板SB在n型半导体基板SUB上层叠有n型的漂移层DL、p型的埋入基底层BBL及p型的基底层BL，功率晶体管UMOS具有贯通基底层BL的沟槽栅极电极EGU，p型晶体管PMOS形成于基底层BL内形成的n型阱区NW内，n型晶体管NMOS形成于在基底层BL内或n型阱区内进一步形成的p型阱区内，p型晶体管PMOS的埋入沟道区域EBC的p型杂质浓度与基底层BL的p型杂质浓度相等。
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公开(公告)号：CN117377794A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202280037075.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 三菱电机株式会社
IPC: C30B33/06
Abstract: 一种拼接金刚石晶片与异质半导体的接合体(10)，其由具有多个单晶金刚石基板(1A、1B)间的接合边界部(B1)的拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)接合而成，其中，拼接金刚石晶片(1)与异质半导体(2)的接合面(1aa)上的最大起伏差为10nm以下。
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