公开(公告)号：CN114510900B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202210036319.4

申请日：2022-01-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 林亦波 ,  张昊懿 ,  高笑涵 ,  王润声 ,  黄如

IPC: G06F30/394 ,  G06F9/451 ,  G06F111/04

Abstract: 本发明公布了一种用于模拟电路版图布线的交互式编辑方法及工具，通过使用命令行窗口或图形化界面对版图布线进行交互式编辑，交互式地产生布线约束，实现实时、高效地调整版图布线结果；包括：利用模拟电路版图自动工具生成初始模拟电路版图，并展示在可视化界面上；定义布线命令集，通过命令行键入布线命令序列/命令流；将布线命令序列转化为布线内部操作命令，交互式地产生布线约束，并记录在模拟电路版图设计的数据结构中；通过设计布线拓扑优化算法，快速调整对应线网结点的布线拓扑，对布线结果进行实时更新。采用本发明的技术方案，能够在提升模拟电路版图设计效率的同时保证了版图设计的质量。

公开(公告)号：CN118335691A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410434569.2

申请日：2024-04-11

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如 ,  卜伟海 ,  康劲

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法、版图。该制备方法包括：提供衬底；刻蚀衬底，形成间隔排布的多个有源结构；其中，每个有源结构包括依次堆叠的第一有源部、绝缘部和第二有源部；对多个有源结构中至少一个目标有源结构进行鳍切处理，直至去除目标有源结构的第一有源部和/或目标有源结构的第二有源部；基于保留的有源结构的第一有源部，形成第一晶体管；基于保留的有源结构的第二有源部，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN118315336A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410353312.4

申请日：2024-03-26

Applicant: 北京大学 ,  北京知识产权运营管理有限公司

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卜伟海 ,  张丽杰 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成沿第一方向排布的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；其中，第一晶体管包括：第一源漏结构、第一源漏金属和第一栅极结构；第一源漏金属与第一源漏结构连通；对第一晶体管进行倒片，并去除半导体衬底；基于第二有源结构，依次形成第二源漏结构、覆盖第二有源结构的第二层间介质层，以及与第二有源结构沿第二方向交替间隔排布的第二栅极结构；光刻第二层间介质层和第二栅极结构，直至分别形成源漏互连凹槽和栅极互连凹槽；在源漏互连凹槽内形成源漏互连结构以及在栅极互连凹槽内形成栅极互连结构，以形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN118116932A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410178650.9

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L23/528 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一堆叠结构和第二堆叠结构，第一堆叠结构包括沿第二方向间隔排布的一对第一晶体管，第二堆叠结构包括沿第二方向间隔排布的一对第二晶体管，第二方向和第一方向垂直；第一介电壁和第一电源轨，位于一对第一晶体管之间；第二介电壁和第二电源轨，位于一对第二晶体管之间；其中，第一介电壁、第一电源轨、第二电源轨和第二介电壁沿第一方向依次堆叠；第一电介质层，位于第一电源轨和第一晶体管以及第一电源轨和第二电源轨之间；第二电介质层，位于第二电源轨和第二晶体管以及第一电介质层和第二电源轨之间。

公开(公告)号：CN117995780A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410146093.2

申请日：2024-02-01

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L23/528

Abstract: 本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括提供衬底，衬底包括依次堆叠的第一衬底层、绝缘层和第二衬底层；基于第一衬底层，形成逻辑电路，逻辑电路位于绝缘层靠近第一衬底层的一侧；基于第二衬底层，形成硅光电路，硅光电路位于绝缘层靠近第二衬底层的一侧；形成至少贯穿衬底的连接结构，连接结构分别连接逻辑电路和硅光电路。

公开(公告)号：CN117995753A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202410130550.9

申请日：2024-01-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备。上述方法包括：在衬底上依次堆叠设置第一有源结构、隔离有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；在第一晶体管朝向第二有源结构的第一表面上沉积第一绝缘材料，以形成第一半导体材料层；在第二有源结构和第一半导体材料层上沉积第二绝缘材料，以形成第二半导体材料层；去除第二半导体材料层中覆盖第一半导体材料层的一部分，以暴露第一半导体材料层；去除第一半导体材料层，以暴露隔离有源结构；对隔离有源结构进行氧化处理，以形成隔离介质结构；去除第二半导体材料层中覆盖第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN117936462A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410177681.2

申请日：2024-02-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠叉板晶体管的制备方法、堆叠叉板晶体管及器件，该方法包括：提供一衬底；在顶部衬底的第一区域中沉积第一半导体材料，以形成相对设置的心轴结构；在心轴结构的内侧沉积第二半导体材料，以形成相对设置的侧墙结构；以心轴结构和侧墙结构为掩模，刻蚀衬底，以形成第一凹槽；在第一凹槽中沉积介质材料，以形成介质叉板结构；去除心轴结构，并以侧墙结构和介质叉板结构为掩模，依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成正面有源结构、第一中间牺牲层和背面有源结构；基于正面有源结构和背面有源结构，形成正面晶体管和背面晶体管。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。

公开(公告)号：CN117832173A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311740316.X

申请日：2023-12-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  黄如

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；倒片并去除衬底，以暴露鳍状结构的下部；去除场区的第二部分，以暴露第一层间介质层；基于鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；第一层间介质层和第二层间介质层中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一源漏金属、第二源漏金属连接。

公开(公告)号：CN117476640A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202311295787.4

申请日：2023-10-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  张磊 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本申请提供一种半导体制备方法、半导体结构和芯片。该方法包括：在衬底上形成第一层叠结构和第二层叠结构，其中，第一层叠结构用于形成第一晶体管，第二层叠结构用于形成第二晶体管，第一层叠结构和第二层叠结构与衬底之间均形成有第一牺牲层；去除第一牺牲层位于第二层叠结构和衬底之间的部分，以在第二层叠结构和衬底之间形成间隙；在间隙内形成BDI层；形成第一晶体管的第一外延结构和第二外延结构、以及第二晶体管的第三外延结构，其中，第一外延结构和第二外延结构构成第一晶体管的源极和/或漏极，第三外延结构构成第二晶体管的源极和/或漏极，BDI层介于第三外延结构和衬底之间。通过本申请，同时了提供BDI层以及ESD保护。

公开(公告)号：CN117334693A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311319773.1

申请日：2023-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  张磊 ,  黎明 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体制备方法、半导体结构和芯片。该方法包括：在第一衬底上形成第一晶体管和第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管与第一衬底之间形成有BDI层；对第一衬底所在的晶圆进行倒片；去除第一衬底，以暴露出BDI层；去除BDI层中与第一晶体管对应的部分，以暴露出第一晶体管的第一外延结构，其中，第一外延结构构成第一晶体管的源极和/或漏极；在第一外延结构上形成第二外延结构，其中，第一外延结构和第二外延结构构成静电放电路径。通过本申请的方案，能够为具有BDI层的GAA晶体管提供ESD保护。