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公开(公告)号：CN115167606A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210715788.9
申请日：2022-06-22
Applicant: 清华大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开一种可关断器件的驱动芯片及其控制方法，其中，驱动芯片包括集成在驱动芯片内的采样比较电路、电源管理电路和隔离驱动电路。本发明将采样比较电路、电源管理电路和隔离驱动电路集成到一个芯片中，在复杂的脉冲电磁环境下，兼顾信号传输效率和质量，还可显著降低成本和体积、减少元件数量、提高器件可靠性，降低功耗和延时。本发明通过低温漂、高精度的电路设计和元件参数优化设计隔离驱动电路，通过隔离驱动电路实现多个开关管精确的时序控制，保证驱动芯片的可靠性与系统安全性。
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公开(公告)号：CN114726356B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210532868.0
申请日：2022-05-17
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: H03K17/73 , H03K17/732 , H03K17/04 , H02M1/06 , H02M1/32
Abstract: 本发明提供一种可关断晶闸管驱动电路及控制方法，所述可关断晶闸管驱动电路包括驱动电源模块、关断电路以及开通电路；所述驱动电源模块分别和所述关断电路以及开通电路电性连接，实现所述驱动电源模块分别向所述关断电路以及开通电路直接充电。从而可以实现各模块独立上电，满足驱动上电时的快速解锁需求。并且本发明针对上述可关断晶闸管驱动电路在驱动上电过程中对电路模块上电时序进行控制，使得可关断晶闸管器件分别具备进行开通和关断动作的能力，然后结束上电操作。极大缩短了器件上电后闭锁的时间。
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公开(公告)号：CN115015725A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210653956.6
申请日：2022-06-09
Applicant: 中国长江三峡集团有限公司 , 清华大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/327 , G01R19/165 , G01R15/06
Abstract: 本发明提出一种门极换流晶闸管故障检测电路及其方法，检测电路包括：IGCT器件和与所述IGCT器件反向并联的第一二极管，其特征在于，所述IGCT器件的阳极‑门极间设置关断检测单元，所述IGCT器件的门极‑阴极间设置驱动单元，所述关断检测单元与所述驱动单元连接，通过检测IGCT器件阳极‑门极间的电压判断IGCT器件关断故障，具有检测电路简单，灵敏度高，实时性好等优点，能有效检测器件故障，实现对设备的保护；同时本发明的检测方法还能够对反向并联二极管的通流状态进行准确判断，提高检测效果。
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公开(公告)号：CN111766494B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202010562557.X
申请日：2020-06-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于半导体器件测试技术领域，公开一种具有保护功能的半导体器件测试装置及方法，半导体器件测试装置包括：测试回路单元，电性连接于被测器件单元形成保护支路；采集保护单元，采集所述被测器件单元的至少一电性能参数信号，所述采集保护单元根据所述电性能参数信号判断所述被测器件单元是否失效，当所述被测器件单元失效时，所述采集保护单元控制所述测试回路单元使得电流从所述被测器件单元换流到所述保护支路。
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公开(公告)号：CN112462221B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011219880.3
申请日：2020-11-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种用于压接式半导体的高温老化失效的模拟测试装置，包括加热器、压接组件和被测半导体芯片；所述被测半导体芯片设置在压接组件内，所述压接组件放置在加热器内，所述加热器上设置测试引出孔，所述被测半导体芯片通过所述测试引出孔用于和外部测试设备连接。本发明的用于压接式半导体的高温老化失效的模拟测试装置，解决现有的压接式半导体器件为密闭管壳结构，若成为失效器件，则在长期通流过程中内部的各项物理参数难以探测和分析的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114598167A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210117300.2
申请日：2022-02-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种高压直流换流器及其可加速换流方法，在现有的常规高压直流换流器的每个桥臂中改造加入桥臂耦合电抗器或者将已有的阳极电抗替换为桥臂耦合电抗器，实现非常简单、简易，成本很低，但能实现本发明的有益效果为：通过配置一定数值的桥臂耦合电抗器，加快桥臂换流过程，减小换相重叠角，从而扩大高压直流换流器的运行范围，增大可传输功率，减小功率损耗；甚至可以依靠桥臂耦合电抗器创造出的换流电压，在交流电压发生意外跌落时，进行电压补偿，从而抑制换相失败的发生，在高压直流输电HVDC的应用中具有非常优良的经济性和可靠性，提升对国民经济的促进作用。
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公开(公告)号：CN114498560A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011265695.8
申请日：2020-11-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件的金属氧化物避雷器复合式直串结构，包括可关断管单元，所述可关断管单元包括可关断管和与所述可关断管连接的复合式辅助电路；所述复合式辅助电路包括并联的缓冲支路和金属氧化物避雷器支路。本发明的功率半导体器件的金属氧化物避雷器复合式直串结构在采用并联的缓冲支路和金属氧化物避雷器支路实现动静态均压的基础上，实现快速关断，钳制电压过电压，并能在某一功率半导体器件拒导通时，有效保护其他功率半导体器件不受损坏；可以实现功率半导体器件在开通和关断过程的电压均衡，并钳制电压过电压，保护好功率半导体器件不受过电压损坏。
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公开(公告)号：CN111600497B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010262660.2
申请日：2020-04-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明应用于直流输电领域，公开了一种抑制高压直流换相失败的串联双向二极管桥换流器，包括：换流变压器、串联二极管桥辅助电路及多个桥臂；串联二极管桥辅助电路，电性连接于换流变压器；串联二极管桥辅助电路电性连接于每一桥臂的交流端；串联二极管桥辅助电路为具有双向耐压和双向通流能力的拓扑结构，在即将发生换相失败的时刻，通过直接增大换相电压，获得更大的换相面积，以提高串联双向二极管桥换流器的抵御换相失败能力。本发明的串联双向二极管桥换流器利用具有双向耐压和双向通流能力的二极管桥辅助电路，提高混合换流器的抵御换相失败能力。
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公开(公告)号：CN114050708A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202210029282.2
申请日：2022-01-12
Applicant: 清华大学
IPC: H02M1/06 , H02M1/088 , H02M1/32 , H02M7/5387
Abstract: 本发明提供一种用于换相换流器的全控器件的控制方法和装置、电子设备以及计算机可读存储介质。控制方法包括：控制全控器件关断，其包括：当被换流桥臂上的电流正常过零时，全控器件的驱动板控制全控器件关断；当被换流桥臂上的电流不能正常过零时，换相换流器的阀基电子设备发送关断信号至驱动板，驱动板根据关断信号控制全控器件关断。本发明针对全控器件的主动关断特性，提出一种专用的控制策略，使得全控器件的特性能够发挥，从而起到防止换相失败的作用。
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公开(公告)号：CN111431189B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010198150.3
申请日：2020-03-19
Applicant: 清华四川能源互联网研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种直流耗能装置的控制方法，包括：当受端交流系统发生故障，从而导致直流系统电压标幺值Upu升高至大于投入阈值UEab时，记录此时直流系统的盈余功率标幺值Ppu0，并解锁直流耗能装置；在直流耗能装置解锁期间，根据Ppu0确定基准信号Dp，然后基于Dp确定用于控制电力电子开关的占空比信号D；以占空比信号D为调制波，调制生成控制电力电子开关的开关信号，对直流耗能装置进行控制；当受端交流系统故障消失后，Upu在恢复过程中下降到小于退出阈值UDEab时，闭锁直流耗能装置。本发明仅采集直流电压作为唯一的输入信号，即可控制直流耗能装置自动投入和退出，将直流系统电压稳定在指定参考值的功能。
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