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公开(公告)号：CN103785856A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410067105.9
申请日：2014-02-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种铜纳米颗粒负载碳球复合材料及其制备方法，属于复合粉末制备技术领域。铜纳米粒子负载于碳球表面，铜纳米粒子无有机物包覆，表面洁净，碳球和铜纳米粒子尺寸可调，碳球尺寸在100纳米到100微米之间，铜纳米粒子尺寸在1纳米到30纳米之间。制备上是以铜盐、碳源、去离子水为原料，铜盐和碳源的摩尔比例为0.01-100。将混合液体放入水热反应釜，于80-250℃温度下保温2-50小时；取出反应釜，冷却至室温，倒出沉淀，清洗，在干燥箱进行干燥；最后，粉末放入氧化铝烧舟，保护气氛下管式炉中进行煅烧处理，保温温度300-900℃，保温时间0.5-10小时，自然冷却到室温，得到产物。本发明优点在于避免使用有机表面活性剂，快速得到具有洁净表面的铜纳米颗粒负载于碳球的复合材料。
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公开(公告)号：CN101973534A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010527704.6
申请日：2010-11-02
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01B21/072 , C04B35/581
Abstract: 一种制备氮化铝陶瓷粉末的方法，属于陶瓷粉末制备领域。铝源为硝酸铝或氯化铝或硫酸铝；碳源为碳黑；添加剂为尿素、硝酸铵、硝酸。首先将碳黑均匀分散于一定量的水中形成悬浮液，然后将所述铝源及添加剂溶解分散于碳黑的悬浮液中得到混合溶液，将混合溶液加热发生反应后得到前驱物。前驱物在流动氮气或氨气气氛中碳热还原,碳热还原反应产物在500～800℃的温度下氧化除碳30～600min，得到氮化铝粉末。本发明前驱物中铝源和碳源粒度细小、混合均匀，反应活性好，能降低碳热还原反应温度，提高反应速率，制备出分散性能良好的纳米级氮化铝陶瓷粉末；且原材料来源广泛，价格低廉，生产成本低，制备的氮化铝纳米粉性能稳定，生产工艺简单，可实现大批量生产。
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公开(公告)号：CN110722171B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201910947263.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种制备3D打印用稀土氧化物掺杂钨、钼球形粉末的方法，属于粉末冶金粉末制备技术领域。具体制备方法为：采用低温溶液燃烧合成法制备稀土氧化物/氧化钨(氧化钼)复合粉末，然后通过氢气还原得到稀土氧化物掺杂的纳米钨(钼)粉末，接着使用喷雾造粒设备将纳米粉末进行造粒，造粒粉末经过煅烧、研磨、筛分后得到可用于3D打印的球形钨(钼)粉末。本发明原料简单易得，设备简单，工艺快捷，可以在短时间内制备大量的产物，适合大规模生产。制备的钨、钼球形粉末中稀土氧化物可以均匀地分散，且颗粒细小，不会出现氧化物粒子的偏聚，且稀土氧化物的加入量可以通过低温溶液燃烧合成过程进行调整。所制备的钨、钼球形粉末的球形度和流动性优异，极为适合3D打印工艺。
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公开(公告)号：CN115229189B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210737242.3
申请日：2022-06-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种均匀多孔钨制品的制备方法，属于多孔金属材料制备领域。解决现有方法制备的多孔钨制品晶粒粗大、烧结体致密化、孔隙率低、孔结构不均匀以及机械性能差等问题。本发明以钨粉为钨源，金属硝酸盐为氧化剂和造孔剂，利用低温燃烧合成产生大量气体形成金属负载多孔钨复合前驱物，经过SPS低温烧结实现对钨颗粒及孔尺寸的可调可控，最后利用金属的腐蚀特性去除金属颗粒，在钨基体中二次形成大量孔隙，提高孔隙率。本发明具有工艺简单、重复性好、成本低、能耗低、周期短等优点，能够制备出晶粒尺寸可在小于1μm范围内调控，孔径可在0.1～2μm范围内调控，孔隙率在15～45％之间，满足多种使用要求的多孔钨制品，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117535729A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311460413.3
申请日：2023-11-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种超声电化学液相沉积制备片状纳米铜粉的制备方法。所述片状铜为六方片状，尺寸为纳米级。步骤包括：S1、配置饱和铜盐溶液后调节至一定pH值；S2、在酸性饱和铜盐电解液中加入一定分散剂，搅拌均匀至充分溶解后作为电化学反应中的电解液；S3、电解槽阳极为纯铜，阴极为铝块，在恒定电压，一定电流密度下、一定超声频率的超声场中进行牺牲阳极的电解反应制备纳米片状铜粉；S4、收集电解槽底部析出的铜粉粉末，依次用超纯水/无水乙醇/超纯水离心清洗后真空烘干。收集烘干后的粉末并真空封装。该方法通过电化学液相沉积法单步合成片状六方形纳米铜，原料廉价易得，制备工艺简单，所得铜纳米片纯度较高，颗粒细小，分散均匀，有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115121788B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202210741829.1
申请日：2022-06-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米多孔球形钨的制备方法，属于多孔难熔金属制备领域。将钨盐、硝酸铵、燃料、水溶性碳源和纳米Ti粉按照1：(16～28)：(8～16)：(25～75)：(9～45)的摩尔比例配成溶液，通过溶液燃烧合成和随后的500～800℃真空煅烧将钨盐分解和碳还原为球形钨颗粒，得到W@Ti复合粉末。同时以上过程产生大量气体，在球形钨颗粒内部形成大孔和微孔。最后，将复合粉末浸泡于过量氢氟酸溶液中进行去合金化反应去除Ti颗粒，在纳米球形钨颗粒内部留下大量介孔。本发明所制得的纳米多孔球形钨具有40～950nm的钨颗粒尺寸，460～650m2/g的高比表面积，0.1～0.5μm的平均孔径，且粒度和孔径大小均匀。若采用这种粉末制备多孔钨材，孔隙不仅存在于颗粒间，还存在于纳米球形钨颗粒中，显著提高孔隙率。
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公开(公告)号：CN114289722B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202111494192.2
申请日：2021-12-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种细粒度球形钨粉的制备方法，属于粉末冶金技术领域。针对目前由于原料细粒度钨粉形貌不规则，且易团聚而导致球化过程球化后颗粒长大、粉末粒度分布宽、收得率低的问题，本发明首先采用流化床处理改善钨粉的粉末状态，提高粉末的分散性并改变其表面形貌。然后将处理后的粉末送入送粉装置，施加压力形成等离子炬，对粉末进行球化处理。最后得到了表面光滑，球化率高的球形钨粉。本发明采用对流化分散技术与等离子球化技术相结合来制备细粒度球形钨粉，球化后钨粉活性低，没有污染，球形度好，球化充分且收得率高。
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公开(公告)号：CN113735594B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202110982679.9
申请日：2021-08-25
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明属于陶瓷制备领域，具体涉及一种热压烧结制备高导热氮化硅陶瓷的方法。该方法是将氮化硅粉体与烧结助剂按一定比例混合均匀，首先将混合后的粉体在低温、常压、通氮气条件下进行预处理；再经过研磨、过筛；随后在热压炉中进行高温烧结。经过预处理的粉体氧含量有明显降低，热压制备的氮化硅陶瓷热导率沿压力方向大于80W/m·K，垂直于压力方向大于120W/m·K。经过处理后的粉体氧含量低，烧结样品不仅具有高致密度，第二相分布均匀且含量少，可一步得到高导热氮化硅陶瓷。该方法可有效减少陶瓷中第二相含量，降低氧对陶瓷导热性能的影响，制备工艺简单、高效。为高氧含量氮化硅粉体制备导热性能优异的陶瓷提供方向。
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公开(公告)号：CN115329554A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210899774.7
申请日：2022-07-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明涉及一种乳液软模板法制备空心纳米结构工艺智能优化方法及系统，属于无机材料制备技术领域，能够准确快速预测乳液聚合反应的微/纳米产物形貌和均匀度，并解决细粒度、窄分布、不含实心杂质的纳米空心球工艺优化的难题；该方法根据乳液软模板法制备空心纳米结构时的反应物数据、合成参数以及产物形貌进行数据分类，并利用分类后的数据构建空实心预测模型和尺寸均匀度预测模型，用于对产物进行预测；通过SHAP特征分析，得到各反应物和各合成参数对产物空心形貌以及尺寸均匀度的影响程度，用于对乳液软模板法制备空心纳米结构的过程进行优化和调控。
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公开(公告)号：CN115229189A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210737242.3
申请日：2022-06-27
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种均匀多孔钨制品的制备方法，属于多孔金属材料制备领域。解决现有方法制备的多孔钨制品晶粒粗大、烧结体致密化、孔隙率低、孔结构不均匀以及机械性能差等问题。本发明以钨粉为钨源，金属硝酸盐为氧化剂和造孔剂，利用低温燃烧合成产生大量气体形成金属负载多孔钨复合前驱物，经过SPS低温烧结实现对钨颗粒及孔尺寸的可调可控，最后利用金属的腐蚀特性去除金属颗粒，在钨基体中二次形成大量孔隙，提高孔隙率。本发明具有工艺简单、重复性好、成本低、能耗低、周期短等优点，能够制备出晶粒尺寸可在小于1μm范围内调控，孔径可在0.1～2μm范围内调控，孔隙率在15～45％之间，满足多种使用要求的多孔钨制品，具有广阔的应用前景。
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