公开(公告)号：CN118748173A

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN202410827201.2

申请日：2024-06-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：提供一半导体衬底；刻蚀半导体衬底以形成鳍状结构；鳍状结构包括第一部分和第二部分；基于第一部分，形成第一单扩散隔离结构、位于第一单扩散隔离结构的第一侧的第一晶体管以及位于第一单扩散隔离结构的第二侧的第二晶体管；倒片并去除半导体衬底；基于第二部分，形成第二单扩散隔离结构、位于第二单扩散隔离结构的第一侧的第三晶体管以及位于第二单扩散隔离结构的第二侧的第四晶体管；其中，第一单扩散隔离结构用于电学隔离第一晶体管和第二晶体管；第二单扩散隔离结构用于电学隔离第三晶体管和第四晶体管；第一单扩散隔离结构和第二单扩散隔离结构自对准。

公开(公告)号：CN117116942B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202310986859.3

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/48

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、以及半导体结构。该方法包括：在衬底上形成有源结构，其中，有源结构至少包括第一部分和第二部分；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，其中，有源结构的第一部分对应的第一有源区与衬底之间形成有隔离结构；对衬底所在的晶圆进行倒片处理；在隔离结构中形成通孔，以暴露有源结构的第一部分对应的第一有源区和/或第一接触金属；对通孔进行金属化处理；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，其中，有源结构的第二部分对应的第二接触金属与第一有源区和/或第一接触金属通过通孔互连。通过本申请的方案，能够实现堆叠晶体管中上下层晶体管的源漏互连。

公开(公告)号：CN117476466B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311452213.3

申请日：2023-11-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  滕飞宇 ,  卢浩然 ,  黄如 ,  黎明 ,  王润声

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本申请提供一种底部介质隔离的制备方法、半导体结构、器件及电子设备，该方法包括：在衬底上依次沉积牺牲层以及叠层，叠层由第一半导体材料层和第二半导体材料层交替层叠形成的；刻蚀牺牲层和叠层，以形成鳍状结构；在鳍状结构的两端，外延生长源极结构和漏极结构；刻蚀牺牲层，以在叠层、源极结构、漏极结构与衬底之间形成底层间隙；在底层间隙处填充隔离材料，以形成底部介质隔离层。本申请实施例提供的底部介质隔离的制备方法，可以改善源漏外延的生长质量，对沟道提供更好的应力。

公开(公告)号：CN118629957A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410757959.3

申请日：2024-06-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L27/06

Abstract: 本申请提供一种半导体器件的制备方法、半导体器件、存储器及电子设备。所述方法包括：刻蚀衬底，形成至少一个有源结构；其中，有源结构包括第一有源部和第二有源部；基于第一有源部，形成第一半导体结构的第一晶体管；在第一晶体管上进行后道工艺处理，形成第一互连层，第一互连层内形成有至少一个存储结构；存储结构与第一晶体管的源漏金属结构连接；倒片并去除保留的衬底，以暴露第二有源部；基于第二有源部，形成第二半导体结构的第二晶体管；在第二晶体管上进行后道工艺处理，形成第二互连层；第二互连层内形成有至少一个存储结构，存储结构与第二晶体管的源漏金属结构连接。

公开(公告)号：CN118538671A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410787821.8

申请日：2024-06-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  孙嘉诚 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：提供一衬底；衬底包括在第一方向上依次堆叠设置的第一半导体材料层、牺牲层和第二半导体材料层；刻蚀第二半导体材料层和牺牲层，以形成鳍状结构和第一牺牲结构；鳍状结构的宽度在靠近第一半导体材料层的方向上逐渐加宽；基于第一鳍状结构，形成第一晶体管；倒片并去除第一半导体材料层；在形成第一晶体管之前，或在倒片并去除第一半导体材料层之后，刻蚀第一牺牲结构的至少一部分；基于刻蚀后的第一牺牲结构，刻蚀第二鳍状结构的一部分；刻蚀后的第二鳍状结构的宽度在靠近第一鳍状结构的方向上逐渐加宽；基于刻蚀后的第二鳍状结构，形成第二晶体管。

公开(公告)号：CN118538668A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410759538.4

申请日：2024-06-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L23/522

Abstract: 本公开提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及电子设备；该方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括制备第一晶体管的第一有源结构和制备第二晶体管的第二有源结构；基于有源结构，形成浅沟槽隔离层、第一源漏结构、第一层间介质层、第一源漏金属、第一金属互连层、第二源漏结构和第二层间介质层；基于第二层间介质层、浅沟槽隔离层和第一层间介质层，形成第一导电通道，并基于第二层间介质层和第二源漏结构，形成第二源漏金属；第一导电通道与第一源漏金属间隔设置；第一导电通道的一端连接第二源漏结构，另一端连接第一金属互连层。本公开通过第一导电通道提高半导体结构的布线灵活性。

公开(公告)号：CN118507426A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410414514.5

申请日：2024-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/76 ,  H01L23/52 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的场区直接连接方法、堆叠晶体管及器件。其中，场区直接连接方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第一有源结构相对于第二有源结构远离衬底；基于第一有源结构，形成第一晶体管；对第一晶体管进行倒片并去除衬底，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管；在双扩散隔离区域内刻蚀第一晶体管和第二晶体管，以形成第一凹槽，双扩散隔离区域用于隔离相邻的两个堆叠晶体管；在第一凹槽内填充金属材料，以形成互连通孔结构，互连通孔结构用于连接第一晶体管的第一金属互连层与第二晶体管的第二金属互连层。

公开(公告)号：CN118486686A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410468077.5

申请日：2024-04-18

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  刘煜 ,  卢浩然 ,  葛延栋 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/07 ,  H01L29/423 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：形成沿第一方向堆叠的第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；第一晶体管中的第一栅极结构在第二方向上的长度值为第一值；基于第二有源结构，形成第二晶体管；第二晶体管中的第二栅极结构在第二方向上的长度值为第二值；第一值与第二值不同，第一栅极结构的正投影和第二栅极结构的正投影形成一个重合区域和至少一个非重合区域；第一栅极结构和第二栅极结构之间设置有隔离层结构；在堆叠晶体管的第一区域内形成贯穿隔离层结构的栅极直连通孔；第一区域落入任意一个非重合区域内，且与重合区域相邻；在栅极直连通孔内形成栅极直连结构。

公开(公告)号：CN118352341A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410298110.4

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成一个或多个互连单元；其中，每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备：在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构和第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一凹槽，并在第一凹槽内沉积金属材料，形成第一金属结构；在第一金属结构上形成第一金属互连层；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构；在浅沟槽隔离结构上形成第二介质层；刻蚀第二介质层、浅沟槽隔离结构和第一介质层直至暴露第一金属结构，形成第二凹槽，并在第二凹槽内沉积金属材料，形成第二金属结构；在第二金属结构上形成第二金属互连层。

公开(公告)号：CN118352299A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410298364.6

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黄如

IPC: H01L21/764 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；基于第二有源结构，形成第二晶体管；其中，第一源漏结构的高度大于第一有源结构的高度，或，第二源漏结构的高度大于第二有源结构的高度；位于第一晶体管的第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二晶体管的第二栅极区域中的第二有源结构之间具有中间隔离结构，中间隔离结构内部具有空气间隙，中间隔离结构用于隔离位于第一栅极区域中的第一有源结构和位于第二栅极区域中的第二有源结构。通过本申请，可以有效降低第一栅极结构和第二栅极结构之间的耦合效应。