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公开(公告)号：CN115236880A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210857713.4
申请日：2022-07-20
IPC: G02F1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根据施加的瞬时能量大小非易失性且可逆的改变碲化锗的相态，从而实现透射太赫兹波在不同调制状态间可逆的转化。本发明利用碲化锗的相变原理及不同相态碲化锗的光学性能在较宽的频率范围内都有着极大的对比度，通过在碲化锗上施加瞬时能量，改变其相态，从而实现对较宽频率范围内的太赫兹波调制，且本发明结构简单，无需持续向碲化锗施加能量，即可维持碲化锗的状态，具有能耗低的特点。
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公开(公告)号：CN115188884A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210706282.1
申请日：2022-06-21
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种三维相变存储器及其制备方法，包括多个相变存储器单元；相变存储器单元由下到上依次包括：底电极层、选通材料层、缓冲层、存储材料层以及顶电极层；选通材料层和存储材料层为同质材料，均为X元素和Te元素的化合物；其中，X元素为In、Ge、Ga、As、Sn及Sb中的一种；选通材料的化学通式为XnTe100‑n，5≤n≤25；存储材料的化学通式为XmTe100‑m，30≤m≤60；将多个相变存储器单元在三维方向上进行堆叠，得到三维相变存储器。本发明同质集成三维相变存储单元中的选通材料和存储材料为同一种体系的不同组分，简化了工艺，实现了工艺的完美兼容，且这种三维同质集成结构能极大地提高存储密度，降低漏电流。
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公开(公告)号：CN114944342B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210856839.X
申请日：2022-07-21
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/60 , H01L21/66 , H01L23/485
Abstract: 本公开实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个底部芯片，所述底部芯片上键合有多个顶部芯片；获取各个所述顶部芯片的实际键合位置相对于所述底部芯片的偏移量和各个所述顶部芯片上的待形成再布线层的设置位置相对于所述底部芯片的预设误差精度；构建包含预补偿参数的所述待形成再布线层的设置位置相对于各个所述顶部芯片的补偿量，以所述预设误差精度作为边界条件，计算得到所述预补偿参数；其中，所述预补偿参数为所述待形成再布线层的设置位置相对于所述底部芯片的补偿参数。
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公开(公告)号：CN115084369A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210706279.X
申请日：2022-06-21
Abstract: 本发明公开了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述选通管材料为包括In、Te及M的化合物，其中，M为掺杂元素，且为C、Si、N、As、Sc、Ti、Ga、Hf及Y中的至少一种。所述选通管材料的化学通式为InxTeyM100‑x‑y，其中，x，y为元素的原子百分比，且10≤x≤45，55≤y≤90，0≤100‑x‑y≤15。该选通管材料由In、Te和掺杂元素构成，在In‑Te化合物的基础上进行掺杂，组分相对简单，易于调控，且该化合物热稳定性高，漏电流小，通过进一步元素掺杂可以提高其耐用性，热稳定性以及开态电流密度。
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公开(公告)号：CN115000429A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210365231.7
申请日：2022-04-07
Abstract: 本发明公开了一种LNCAF电极材料、燃料电池及其制备方法，所述制备方法包括：将满足摩尔比为Li:Ni:Co:Al:F＝1:0.8:0.15:0.05:0.2或1:0.8:0.15:0.05:0.1的原料Co3O4、Al2O3、LiOH·H2O、Ni(OH)2、NiF2进行研磨，得到混合粉体；将混合粉体在500～600℃进行4～6小时第一次煅烧，煅烧后再次研磨为粉体；将煅烧后研磨得到的粉体在800～900℃进行4～6小时第二次煅烧，得到所述LNCAF电极材料，该电极材料在中低温下具有良好催化活性，所得燃料电池的操作温度可降低至550℃，同时该电极材料与燃料电池各组件间的化学相容性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114975079A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210355105.3
申请日：2022-03-31
Abstract: 本发明提供了一种超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向所述反应腔体内加入水；向所述反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为380～424K，反应时间为1～2h。本发明的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，采用超临界二氧化碳流体技术，以水为反应物，对已制备好的掺钛氧化铌选通管进行处理，成功降低了器件的OFF态电流，大幅提高了选通比，为器件的进一步集成和运用提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN114959773A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210454476.7
申请日：2022-04-27
IPC: C25B11/089 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种NiFeZn LDHs/NF及其制备方法和应用，属于电解水制氢技术领域。本发明提供了一种NiFeZn LDHs/NF的制备方法，本发明采用水浴法在泡沫镍(NF)电极上原位生长NiFeZn LDHs，Zn的加入改变了Ni与Fe元素的电子云排布，从而提升催化剂的析氧催化性能，有效降低了电解电位。实施例结果表明，本发明制备得到的层状氢氧化物催化剂在电流为10mA/cm2时，电压为1.355V，低于同等电流下NiFe LDHs/NF电极的电压。
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公开(公告)号：CN114937659A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210858221.7
申请日：2022-07-21
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
Abstract: 本公开提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一基板；位于所述第一基板上阵列排布的多个第一功能芯片；以及位于所述第一功能芯片表面上的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第一基板上的投影分别与至少两个所述第一功能芯片在所述第一基板上的投影至少部分重叠；所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片在重叠的区域内键合连接；键合连接的所述第一功能芯片与所述第二功能芯片之间具有多路连接通道；所述多路连接通道被配置为使所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片之间具有信号通信。
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公开(公告)号：CN114925819A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210608814.8
申请日：2022-05-31
Abstract: 本发明提供一种感受稀疏性的神经网络运行系统及方法，包括：通过在神经网络突触区增加一行电子突触器件作为稀疏性感受区，且控制增加的电子突触器件的电导值一致，使得稀疏性感受区将输入信号对应的电压按比例转化为对应的电流，以在神经网络运行过程中感受输入信号的稀疏程度，通过预设的一个或多个阈值电压判断输入信号的稀疏程度，并根据判断的稀疏程度控制采样输出信号所需的ADC精度和相应的功耗，因而相较于传统的神经网络运行系统，本发明提升了神经网络运行能效。
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公开(公告)号：CN114864832A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210505418.2
申请日：2022-05-10
Abstract: 本申请属于太阳能电池技术领域，提供了一种CuxO空穴传输层的低温制备方法及钙钛矿太阳能电池，首先将十二烷基苯磺酸钠溶解在第一溶剂内得到第一溶液，将第一溶液与铜盐溶液均匀混合形成第二溶液，然而在第二溶液中加入氢氧化物溶液得到第三溶液，在第三溶液中加入还原剂均匀混合后得到第四溶液；其中，十二烷基苯磺酸钠、铜盐、氢氧化物、还原剂的摩尔比为1000：1：x：34，4≤x≤9；最后对第四溶液进行恒温陈化处理得到第五溶液，将第五溶液旋涂在基底上，并退火处理形成空穴传输层，可以避免空穴传输层的制备过程中容易引入杂质缺陷的问题。
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