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公开(公告)号：CN104671777A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510103498.9
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种同时具备高电致应变、高储能密度以及高温稳定介电常数等多功能无铅电子陶瓷材料及其制备方法，成分通式为：(1-u-v)(Bi0.5Na0.5)1-x(Ca0.65Mg0.35)xTiO3-uBaTiO3-v(A0.5Ln0.5)Ti1-yZryO3+0.05(0.5CeO2-0.4Y2O3-0.1MnO2)。其中A为一价金属元素，选自Li、 Na、K与Ag的一种或两种，Ln为三价金属元素，选自Nd、La、Sm、Eu的一种或两种。x、y、u、v表示摩尔分数，0.001≤x≤0.3；0.001≤y≤0.4；0.02≤u≤0.2；0.08≤v≤0.3。本发明采部分组成采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体作为原料，通过电子陶瓷制备技术制备而成。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的多功能无铅电子材料组成是一种绿色环保型陶瓷，电致应变大，储能密度高，介电性能高温性好。
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公开(公告)号：CN104671766A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510103536.0
申请日：2015-03-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种高温压电性能、高储能密度无铅陶瓷介电材料，成分以通式(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeNbO3 +0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeTaO3 +0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeSbO3 +0.005 (0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)来表示，其中Me为碱金属元素Li、Na、K中的一种或两种，x、y表示摩尔分数，0.1≤x≤0.5，0.05≤y≤0.3。本发明采用分步合成结合两歩烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的高温压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达1.1J/cm3，压电常数d33可达282pm/V、应变可达0.22%，居里温度可达501oC，绿色环保，实用性好。
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公开(公告)号：CN103956266A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410146863.X
申请日：2014-04-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法，包括衬底硅片上溅射金属下电极、溅射Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜中间层、薄膜上溅射金属上电极形成三层结构。Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层具体由(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3（0.01≤x≤0.1）组成；金属上、下电极材料为金属Ag、Au、Pt中的一种。先制备(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷靶材，然后采用磁控溅射工艺将其溅射到已溅射有金属下电极的硅片衬底上形成Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层；再在薄膜上使用溅射工艺制备金属上电极。本发明制备的高储能密度薄膜电容器体积小，薄膜层厚度0.5~1.5μm，其储能密度为20~45J/cm3。
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公开(公告)号：CN103219466A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310154664.9
申请日：2013-04-28
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚酰亚胺（PEI）的共混物。制备时，先在衬底上制备条状下电极，然后涂覆有机阻变层膜，低温固化后，在阻变层膜的表面制备交叉的条状电极，形成阵列存储结构。本发明的优点是，该有机阻变存储器具有高的开关比，稳定的存储性能，极小的关态电流，较低的制备温度。
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公开(公告)号：CN103187527A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310067831.6
申请日：2013-03-05
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属薄膜上电极并获得相应的阻变电容。本发明的优点是：（1）薄膜的组分控制精确，而且易于调整（掺杂）组分，能够大面积制膜，成本低；（2）采用多次匀胶，分层预热、线性升温加保温的工艺方案，可提高结晶度，减少薄膜内应力，提高薄膜的质量和性能；（3）与半导体Si集成工艺兼容；（4）通过适量的Ce掺杂，可以明显提高Bi4-xCexTi3O12薄膜的阻变性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102244010A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110150070.1
申请日：2011-06-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种玻璃衬底p-CuAlO2/n-ZnO:Al透明薄膜异质结的制备方法，(1)采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺制备p-CAO透明导电薄膜后，再采用超声喷雾热解(USP)工艺制备n-AZO透明导电薄膜；(2)制备p-CAO薄膜时需多次匀胶、分层预热处理；(3)p-CAO薄膜需经退火处理，且退火在氩气气氛下进行；(4)采用USP工艺，在已覆盖CAO薄膜衬底上沉积n-AZO透明导电薄膜；(5)沉积n-AZO透明导电薄膜时衬底需加热，且衬底温度不超过320℃，样品自然冷却即得p-CuAlO2/n-ZnO:Al(p-CAO/n-AZO)透明薄膜异质结。该方法新颖、简单，且能满足大面积成膜工艺要求，其制备的p-CAO/n-AZO异质结为全透明结构并能实现p-n结功能，具有良好的光电性能。
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公开(公告)号：CN209296847U
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201822214203.7
申请日：2018-12-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本实用新型公开了一种数字电位器调节特性和调节灵敏度的测量装置，包括电阻箱和电路主板模块及与电路主板模块连接的数字电压表和数字电流表，电路主板模块设有单片机及与单片机电连接的数字电位器和电源，数字电位器包含RH端、RL端和RW端，其中RH端为数字电位器的高电压端，RL端为数字电位器的低电压端，RW端为数字电位器的滑动端，通过数字电位器的RH端、RL端和RW端可实现数字电位器分压电路和限流电路的连接，单片机外接键盘和数码管，电源外接开关和指示灯。这种装置可精确地控制和显示数字电位器的RW位置，提高数字电位器的读数精度，而且操作方便，测定的调节特性曲线和调节灵敏度曲线与理论曲线相一致。
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公开(公告)号：CN203415628U
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201320459034.8
申请日：2013-07-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种肖特基特性自整流阻变存储器，包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极，所述底电极是导电薄膜电极，所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜，所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本实用新型不仅保持器件具有较好的双极性存储功能，而且增加了存储器的自整流功能，可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题，其自整流功能具有肖特基特性，较之pn结自整流阻变存储器，具有肖特基二极管带来的开关速度快，开关损耗小等一切优点，降低了功耗，提高了读写速度。
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公开(公告)号：CN205429011U
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201620211105.6
申请日：2016-03-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L43/10
Abstract: 本实用新型公开了一种低漏电流铁酸铋薄膜，所述薄膜包括衬底，以及衬底上的Bi4?xNdxTi3O12薄膜层，Bi4?xNdxTi3O12薄膜层上是BiFeO3薄膜层，并且Bi4?xNdxTi3O12薄膜层与BiFeO3薄膜层交替搭配，形成Bi4?xNdxTi3O12/BiFeO3复合薄膜，其中X的取值范围是0.4?0.85。本实用新型通过在BiFeO3薄膜与衬底间引入Bi4?xNdxTi3O12铁电薄膜缓冲层来降低BiFeO3薄膜的漏电流，提高铁电性能，在高电场下，该复合薄膜的漏电流密度比纯BiFeO3薄膜降低了4个数量级，铁电性能也得到了很大的提高。
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公开(公告)号：CN204464323U
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201520089165.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L51/50
Abstract: 本实用新型公开了一种基于梯度结构空穴注入传输的紫外有机电致发光器件，包括衬底层、阳极层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层，其特征是，还包括梯度结构空穴注入传输体系层，所述衬底层、阳极层、梯度结构空穴注入传输体系层、发光层、电子传输层、电子注入层、反射金属阴极层顺序叠接为一体，从阳极层由正向负连接反射金属阴极层构成外电路。这种器件梯度结构空穴注入传输体系有效地促进了空穴的注入和传输，增加了发光层中空穴的数量，促进了空穴-电子的平衡性，因而有更多的空穴与电子在发光层中复合产生近紫外光发射，提高了紫外OLED器件的辐照度和发光效率。
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