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公开(公告)号：CN101215183A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200710144953.5
申请日：2007-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/08 , C04B35/584 , C04B35/645
Abstract: 一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种氮化硅陶瓷的制备方法。它解决现有技术中多孔氮化硅陶瓷制备工艺复杂、成本高、材料强度低、热导率高，很难制备大的闭合气孔和规则形状气孔的材料，及氮化不完全的残留问题。制备方法：将复合氮化硅粉和粉煤灰空心微珠混合，得混合粉体，混合粉体经干压成形后冷等静压，然后将冷等静压后所得坯体在保护气氛下烧结。本发明用粉煤灰空心微珠为造孔剂和助烧剂原料成本低廉，且省去了烧除造孔剂的过程，工艺简单，粉煤灰空心微珠还能促使材料热导率的下降，耐热性能好，同时避免了产生残留的问题，增大材料强度，能够制备大的闭合气孔和规则形状气孔。
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公开(公告)号：CN101186341A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710144718.8
申请日：2007-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种(100)择优取向铁酸铋薄膜的制备方法，它涉及一种薄膜材料的制备工艺。它解决现有技术中制备BiFeO3薄膜工艺复杂、成本高、结晶温度高、薄膜致密度低、颗粒分布不均、表面粗糙和无择优取向性的问题。其方法步骤是分别将硝酸铁和次硝酸铋与醋酸混合，再分别加乙二醇溶液，将两溶液混合搅拌得BiFeO3溶胶，然后将BiFeO3溶胶旋涂到清洗过的Pt/Ti/SiO2/Si基片上，干燥、焙烧，晶化热处理后得BiFeO3薄膜。本发明BiFeO3薄膜的制备成膜质量高、呈现(100)择优取向、铁电铁磁性能好、适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN119735438A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411973784.6
申请日：2024-12-30
Applicant: 哈尔滨驰恩科技有限公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 一种非等摩尔比钙钛矿型高熵陶瓷及其制备方法，它属于高温结构陶瓷领域。本发明要解决现有钙钛矿型氧化物陶瓷作为热障涂层材料，与金属基体热膨胀系数不匹配，且热导率高的问题。非等摩尔比钙钛矿型高熵陶瓷，它是通过机械合金化法与无压烧结制备得到，非等摩尔比钙钛矿型高熵陶瓷的化学通式为(Ba0.8Me0.2)(Ti0.2Zr0.4Hf0.2Ce0.2)O3；方法：一、机械合金化处理；二、无压烧结；三、机械合金化处理；四、压力成型；五、无压烧结。本发明用于非等摩尔比钙钛矿型高熵陶瓷及其制备。
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公开(公告)号：CN119638443A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411808826.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/589 , C04B35/596 , C04B35/5835 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/63 , C04B35/632 , B33Y70/10 , B33Y10/00
Abstract: 一种直写式3D打印用SiBCN陶瓷浆料及其制备方法和打印方法，它属于陶瓷增材制造领域。本发明要解决现有直写打印中SiBCN前驱体填料选择和分散不均的问题。浆料：它由固化后的聚硼硅氮烷PBSZ粉体、无机流变助剂、流变增效剂及聚硼硅氮烷PBSZ液体制备而成。制备方法：一、聚硼硅氮烷PBSZ固化；二、球磨破碎；三、称取；四、浆料制备。打印方法：一、打印初坯；二、固化和烧结。本发明用于直写式3D打印用SiBCN陶瓷浆料及其制备和打印。
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公开(公告)号：CN119552401A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411713748.6
申请日：2024-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种三维连续碳纤维增强有机无机杂化树脂基复合材料的制备方法，它涉及一种纤维增强树脂基高温隔热复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有技术无法制备隔热温度达1200℃以上、且线烧蚀率低于0.01mm/s的纤维增强树脂基复合材料的问题。方法：一、三维连续碳纤维的预处理；二、制备杂化树脂预浸料；三、制备纤维增强杂化树脂。本发明可获得一种隔热温度达1200℃、线烧蚀率小于0.01mm/s的纤维增强树脂基复合材料，对我国再入式飞行器表面烧蚀型热防护材料发展具有十分重大的意义。本发明可获得一种隔热温度达1200℃以上的三维连续碳纤维增强有机无机杂化树脂基复合材料的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116947490B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310946144.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种低温烧结致密块体陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。制备方法包括以无机陶瓷粉体和前驱体溶液/粉体为原料，经混合分散后，制得混合粉体，其中，前驱体溶液/粉体占混合粉体的重量百分比为10‑40wt％；将混合粉体在保护气氛下进行低温烧结，得到低温烧结致密块体陶瓷材料。本发明中，前驱体溶液/粉体在高温下发生裂解生成无机非晶陶瓷相，均匀包覆和填充在原有无机陶瓷粉体表面与空隙中，在烧结过程这些无机非晶陶瓷网络结构为原有无机陶瓷粉体颗粒的重排提供了驱动力，进而实现无机陶瓷粉体的低温烧结致密化得到致密的块体陶瓷材料。本发明所制备的块体陶瓷材料具有高的致密度,高的强度和良好的抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN119287474A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411452419.0
申请日：2024-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 一种高功率器件用散热基板表面大厚度高致密电绝缘‑抗腐蚀陶瓷涂层一体化的制备方法，它涉及铝合金及其复合材料表面处理技术领域。本发明将预处理后的基板作为阳极、不锈钢板作为阴极放置于基础抑弧型电解液中，利用非对称双极脉冲微弧氧化技术在所述预处理后的基板表面进行低温软等离子电解氧化原位生长大厚度高致密陶瓷层；具体通过插入附加负向脉冲电压来诱发低温软火花放电，稳定等离子体温度和能量，火花放电均匀且密度增加一个数量级，以实现对基体表面钝化膜进行以不损伤表面平整度为等离子体强度上限的持续轰击，且对孔隙和裂纹等缺陷进行持续愈合和修复，促进涂层致密化，以获得大厚度高致密高电绝缘‑抗腐蚀的氧化铝涂层。
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公开(公告)号：CN116375464B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202310310587.5
申请日：2023-03-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法。其中，温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料，其化学组成为(1‑x)MgTiO3‑xCaTi1‑yHfyO3，其中，0.06≤x≤0.3，0.05≤y≤0.9。较于0.95MgTiO3‑0.05CaTiO3复相微波介质陶瓷，本发明制备得到的温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料的介电常数有了明显的提高；通过调整特定成分配比，本发明的温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料的介电常数εr在21～32之间连续可调。
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公开(公告)号：CN117902903A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410082905.1
申请日：2024-01-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 一种大块致密非晶SiBCN陶瓷块体及其制备方法，它涉及非晶SiBCN陶瓷块体及其制备方法。本发明要解决现有技术难以实现大块致密非晶SiBCN块体陶瓷的制备。方法：一、有机‑无机混合块体素坯/粉体的制备；二、大块致密非晶SiBCN陶瓷块体的制备。本发明用于大块致密非晶SiBCN陶瓷块体及其制备。
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公开(公告)号：CN116947490A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310946144.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/515 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种低温烧结致密块体陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。制备方法包括以无机陶瓷粉体和前驱体溶液/粉体为原料，经混合分散后，制得混合粉体，其中，前驱体溶液/粉体占混合粉体的重量百分比为10‑40wt％；将混合粉体在保护气氛下进行低温烧结，得到低温烧结致密块体陶瓷材料。本发明中，前驱体溶液/粉体在高温下发生裂解生成无机非晶陶瓷相，均匀包覆和填充在原有无机陶瓷粉体表面与空隙中，在烧结过程这些无机非晶陶瓷网络结构为原有无机陶瓷粉体颗粒的重排提供了驱动力，进而实现无机陶瓷粉体的低温烧结致密化得到致密的块体陶瓷材料。本发明所制备的块体陶瓷材料具有高的致密度,高的强度和良好的抗氧化性能。
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