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公开(公告)号：CN116544535B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310687162.6
申请日：2023-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种无负极锂金属电池的补锂添加剂、正极浆料及正极，属于无负极锂金属电池领域，所述补锂添加剂包括苯甲酸锂、苯乙酸锂、苯丙酸锂、苯丁酸锂、苯异丁酸锂、邻羟基苯甲酸锂、间羟基苯甲酸锂、对羟基苯甲酸锂、邻苯二甲酸锂、间苯二甲酸锂、邻苯二乙酸锂、间苯二乙酸锂和对苯二乙酸锂的任意一种；由此，本发明通过采用补锂添加剂为电池补充活性锂，且由于补锂添加剂的加入，在电池循环过程中能够促进正负极表面生成大量的LiF，通过LiF的电子绝缘性能提高了正极CEI层的稳定性和抑制了负极多孔树枝状锂枝晶的生长，从而提高了无负极(56)对比文件Minog Kim等.Li8ZrO6 as a Pre-lithiation Additive for Lithium-IonBatteries.ACS Appl. Energy Mater..2022,第5卷14433−14444.
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公开(公告)号：CN117025211A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310997285.X
申请日：2023-08-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用异质核壳结构增强稀土掺杂CaF2晶体紫外发射的方法，它涉及提高CaF2晶体紫外发射的方法。它是要解决现有的CaF2紫外发光弱、改性方法成功率低的技术问题。本发明的方法是在CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+纳米晶核的外表面制备NaGdF4壳层；具体是先用水热法合成CaF2:(15％～25％)Yb3+,(0.5％～2％)Tm3+晶核，然后再用注射法在晶核表面制备NaGdF4壳层。晶体在980nm激发照射下可控输出紫外荧光，紫外波段的发射光强度比包覆前增强约20倍。可用于光学领域。
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公开(公告)号：CN114589616A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210423800.9
申请日：2022-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种加热与振动协同化学机械抛光CaF2晶片的装置及方法，本发明涉及晶片抛光的装置及方法。它是要解决现有的CaF2晶体元件抛光方法的作业时间长、表面质量差的技术问题。本装置包括第一电机、抛盘、加热垫、抛光垫、支撑架、第二电机、工件盘、振动装置、配重块、气动夹持装置；第一电机带动抛盘逆时针转动；加热垫和抛光垫置于抛盘表面，第二电机带动工件盘顺时针转动；在工件盘上方设置振动装置和配重块，气动夹持装置用于调整配重块对工件盘的压力。方法：一、粗磨；二、沥青盘抛光；三、精抛；四、精整；抛光后的CaF2晶片表面的粗糙度Ra达到0.07～0.08nm，可用作透镜、棱镜和红外成像设备的窗口等光学领域。
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公开(公告)号：CN110668447B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201911054722.4
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/977 , B82Y40/00
Abstract: 碳化硅纳米线的合成方法，它涉及一种碳化硅纳米线的合成方法。本发明是为了解决现有制备碳化硅纳米线的方法原材料浪费严重、成本高、结构不均匀、长径比低的技术问题。本方法如下：将处理后的生长基底放于坩埚内硅树脂的上方，将坩埚放于真空高温炉中在升温，保温，降温，即得。该方法在生长SiC纳米线的同时，在模具内部生成SiC纳米颗粒，这样可以极大的提高原料利用率从而降低了成本，同时合成了链珠状的SiC纳米线，特殊的链珠状结构使其在复合材料、场致发射体、光催化剂、储氢及疏水表面具有更大的应用潜力。链珠状纳米线的生成同时伴有超长超直的SiC纳米线的生成。产品结构均匀。本发明属于纳米线的制备领域。
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公开(公告)号：CN114335735A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111527537.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/0569 , H01M10/0568 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种‑70℃锂离子电池低温电解液及其制备方法，属于锂离子电池电解液技术领域。本发明以宽温区锂盐二氟草酸硼酸锂作为锂离子供体，添加抗高压氧化性、利于负极成膜剂的氟代碳酸乙烯酯和与锂离子形成有效配位的亚硫酸二甲酯助溶剂，结合具有高吸附性能的甲酸异丁酯助溶剂，获得具有低凝固点、粘度低和高锂离子电导率的低温电解液，有效改善对锂离子在低温下的传输和扩散，构筑稳定的SEI界面，抑制锂枝晶的形成，进而使得低温电解液在‑70℃下稳定安全运行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110420652B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201910749923.X
申请日：2019-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B01J27/132
Abstract: 一种NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶及其制备方法，本发明涉及上转换@二维半导体材料及其制备方法。本发明的NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶是以Yb3+、Er3+双掺杂NaYF4微米晶为内核并在核外包覆MoS2构成的。制法；将Na2MoO4·2H2O、SC(NH2)2、H2C2O4加入水中制成壳层原液；再将Yb3+、Er3+双掺杂NaYF4微米晶加入到壳层原液中反应，再转入反应釜中进行水热反应，洗净，干燥，得到NaYF4:Yb/Er@MoS2核壳结构微米晶。该核壳结构微米晶结构稳定。可用于光催化领域。
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公开(公告)号：CN110734552B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201911053435.1
申请日：2019-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08G77/54 , C08G77/50 , C01B32/977
Abstract: 一种高纯碳化硅多晶粉源前驱体的制备方法，本发明涉及硅碳树脂的制备方法，本发明是要解决现有的碳化硅多晶粉源的制备方法的纯度低、成本高的技术问题。本方法：在超声振荡条件下，将高纯聚合类单体和高纯催化类单体的混合液滴入温度为60～80℃超纯水中反应，反应完毕后过滤，得到硅碳树脂；再用高纯氩气对硅碳树脂除杂处理，过滤、干燥后，得到高纯碳化硅多晶粉源。本发明制备的高纯碳化硅多晶粉源中金属杂质含量在0.01～0.05ppm之间，金属杂质累计含量低于1ppm，且成本低，可用于高纯碳化硅热解制备领域。
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公开(公告)号：CN108899495B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201810654400.2
申请日：2018-06-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M10/0525
Abstract: 锂离子电池硅氧碳基负极材料及其制备方法，它涉及锂离子电池负极材料及其制法。它是要解决现有的SiOC负极材料容量低、循环性能差的技术问题。本发明的负极材料是硅氧碳纳米颗粒或硅‑硅氧碳复合纳米颗粒。制法：把有机硅烷加入到碱液中反应得到微球乳液，再破乳，离心分离出聚倍半硅氧烷微球；将中空SiO2纳米带与微球混合后高温热解，再去除SiO2，得到硅氧碳纳米颗粒；它的首次放电容量1500～1550mAh/g，循环100次后容量保有率60％。将纳米硅粉与微球混合后高温热解，得到硅‑硅氧碳复合纳米颗粒。它的首次放电容量1000～1500mAh/g，循环100次后容量保有率85％。均可用于锂离子二次电池领域。
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公开(公告)号：CN109161970B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201811181541.3
申请日：2018-10-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种可视三温区硒化镓单晶生长装置及生长方法，它涉及晶体的生长装置及生长方法。本发明是要解决现有的坩埚下降法生长的硒化镓单晶应力分布不均匀、透过率低的技术问题。本发明的置包括外套筒、内套筒、加热电阻丝、环形腔、反射膜、测温热电偶、端盖和保温塞；其中反射膜附于外套筒的内壁；透明材质的外套筒和内套筒之间的环形腔为真空腔，加热电阻丝设置在环形腔中。方法：将硒化镓籽晶放在PBN舟中，并悬空倾斜密封于真空石英管中，将石英管放在生长装置中部，调节三个温区的温度梯度，先将籽晶部分熔化且多晶料全部熔化，然后再降温固化，最后降至室温，得到硒化镓单晶，该单晶的透过率达到64％～66％，可用于民用和国防领域。
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公开(公告)号：CN112103086A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010915048.0
申请日：2020-09-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种近红外宽带吸收的染料敏化太阳能电池的光阳极及其制备方法，它涉及上转换基染料敏化太阳能电池光阳极材料及其制备方法。它是要解决现有的上转换基染料敏化太阳能电池对近红外太阳光的吸收带较窄的技术问题。本发明的光阳极由FTO导电玻璃基板、负载N‑719染料的二氧化钛层中间层和NaLuF4@NaErF4@NaLuF4核壳型上转换纳米晶层表层组成。制法：先制备核壳型上转换纳米晶，再通过浸渍法平铺于中间层表面而成。该电极能实现红外750‑850nm、950‑1050nm和1450‑1600nm的宽带吸收并转换成可见光，利用该电极的太阳能电池的光电转化效率为8.5％～8.8％，可用于太阳能电池领域。
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