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公开(公告)号：CN101917119B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201010260406.5
申请日：2010-08-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种开关式电源的高瞬态响应数字控制系统与方法，控制系统设有采样模块、AD转换模块、数据处理模块、模糊PID模块及DPWM模块，与受控的开关电源连接起来，构成一个闭环系统，采样模块对开关电源的输出进行采样，采样输出经过A/D转换为数字信号，连续的数字信号进入数据处理模块被数字滤波处理并与设定的电压值进入比较，产生的偏差和偏差变化率供给模糊PID模块，在模糊PID模块中执行控制算法，递交给DPWM输出模块合适的占空比，生成开关控制管的PWM信号并输出，从而更好的控制数字电源的开关管用于稳压。同时对输出电压的数字信号进行欠压检测，如果出现电压出现异常，则立即送出关断PWM信号，终止系统。
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公开(公告)号：CN103050940A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210545358.3
申请日：2012-12-14
Applicant: 东南大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路，设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路，温度检测电路输出连接到电压比较器，电压比较器输出连接到输出整形电路，输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路，输出整形电路产生控制后续电路的输出电压。温度检测电路由亚阈值区的MOS镜像电流源和电阻网络组成，电压比较器采用推挽式两级电压比较器。电路中不使用三极管，提高了温度保护电路的精度，并且适用于普通CMOS工艺。
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公开(公告)号：CN102867845A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210366193.3
申请日：2012-09-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种N型纵向高耐压的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：P型硅衬底，在P型硅衬底上设有N-漂移区及P型体区，且P型硅衬底的上表面为N-漂移区及P型体区覆盖，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在N-漂移区上方设有N型缓冲层，在N型缓冲层上方设有N型漏区，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、多晶硅栅、N-漂移区、N型漏区上方设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区上接有穿通场氧化层的第一金属引线，多晶硅栅接有穿通场氧化层的第二金属引线，N型漏区接有穿通场氧化层的第三金属引线，其特征在于，在P型硅衬底上设有超结结构，超结结构由连接漏区及衬底方向相间分布的N型区和P型区构成。
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公开(公告)号：CN102006036B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010602270.1
申请日：2010-12-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公布了一种扩频时钟抖动信号的产生方法，所述方法包括如下步骤：将低频信号的控制电压VL通过第一振荡器调制，产生一个低频三角波VSAW1，高频信号的控制电压VH通过第二振荡器调制，产生一个高频三角波VSAW2；将所述低频三角波VSAW1和高频信号的控制电压VH共同经过振荡器产生抖频CLK信号，也可以将所述低频三角波VSAW1和高频三角波VSAW2通过调制模块产生抖频CLK信号。本发明两个振荡器可以相同，电路简单节约成本。
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公开(公告)号：CN102832232A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210289462.0
申请日：2012-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区和N型体接触区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在P型阳区和N型体接触区正下方设有深N型阱区，在浅P型阱区正下方设有深P型阱区，这两个区域均能有效地抑制载流子双注入效应，使得在漂移区中自由载流子中和的数目减少，从而提高了器件维持电压，降低了泄放静电过程中闩锁发生的风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102769454A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210224755.0
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明提供了一种可抗噪声干扰的高侧栅驱动电路，主要包括可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路，脉冲滤波电路，RS触发器，输出驱动级电路，其中，可抗共模噪声干扰的高压电平位移电路将低侧的脉冲产生信号转换成高侧的高压脉冲信号，并消除在应用中产生的共模噪声，脉冲滤波电路滤除剩余的差模噪声成分，只留下正常工作的脉冲信号，经过RS触发器还原为正常信号并经过输出驱动级电路后输出方波信号，驱动外部的高侧功率管。
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公开(公告)号：CN101662312B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200810244020.8
申请日：2009-04-03
Applicant: 东南大学
CPC classification number: Y02D70/42
Abstract: 本发明涉及一种超低功耗短距离无线数据传输系统，该系统在保证数据可靠性传输的同时，也极大的降低了设备的功耗。该系统包括一个主设备和若干从设备，还包括：将系统的一个时间周期分为通信时间段和休眠时间段的装置，在通信时间段，无线数据传输模块处于正常工作状态，在休眠时间段，微处理器处于低功率的模式，在低功率的模式下，主设备和从设备的微处理器进入休眠模式，处理器的CPU停止工作，只有微处理器的串口模块仍然处于工作状态，这时候微处理器的电流小于550uA；而无线收发单元在该低功耗模式下将停止工作；所述从设备中设有自动跟踪主设备同步装置，该装置用于根据主设备的对时帧来调整从设备的时间，使之与主设备时钟同步。
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公开(公告)号：CN102710907A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201110285910.5
申请日：2011-09-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种工作于线性模式APD阵列的主动成像读出电路，设有探测器、高压保护电路、注入电路、比较器及电压保持电路，探测器输出与高压保护电路的输入连接，高压保护电路的输出与注入电路的输入连接，注入电路的输出与比较器电路的输入连接，比较器电路的输出与电压保持电路的输入连接，电压保持电路的输出连接注入电路及后续处理缓冲器电路，注入电路的输出还连接后续处理缓冲器电路。
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公开(公告)号：CN102683262A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210133735.2
申请日：2012-04-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L21/762
Abstract: 一种基于绝缘体上硅的高压隔离结构，包括：在绝缘体上硅结构中的N型外延层上设有表面钝化层，N型外延层中设有高压电路区域、多深槽隔离结构以及低压电路区域，高压电路区域被多深槽隔离结构所包围，所述多深槽隔离结构由2～20个深槽隔离结构组成，其特征在于，在表面钝化层上设有高阻多晶硅场板，在高压电路区域和低压电路区域的N型外延层上均电连接有电极接触孔，在各个相邻的深槽隔离结构之间的N型外延层及各个深槽隔离结构上均电连接有中间电极接触孔，所述高阻多晶硅场板的两端分别与高、低压区中的电极接触孔电连接，并且，所述高阻多晶硅场板按照由内向外的顺序依次与各个电极接触孔电连接。
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公开(公告)号：CN101742801B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200910262849.5
申请日：2009-12-11
Applicant: 东南大学
IPC: H05B41/36
Abstract: 一种用于电子镇流器的CMOS功率因数校正控制电路，设有包括用于接收输入交流电压的电磁干扰滤波电路、用于将交流电压转换为脉动直流电压的整流桥、升压型电路以及负载，交流电源经过电磁干扰滤波电路后，输入给整流桥，整流桥将输入的交流电变换为脉动的直流电输入到升压型电路，经升压变换成高压直流电输出给负载；其特征在于：设置一用于控制升压型电路中开关功率管的开通或关断，以使电感电流达到预定波形的控制电路取代现有技术采用双环控制的有源控制电路，使电感电流的包络波形跟随输入交流电压波形，完成功率因数校正，提供稳定的直流母线电压输出。
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