公开(公告)号：CN115985687A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310074453.8

申请日：2023-01-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 沈洋 ,  杨敏铮 ,  王训 ,  任伟斌 ,  李昊阳 ,  袁丰 ,  南策文

IPC: H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01G13/00

Abstract: 本发明公开了一种用于储能电容器的亚纳米材料‑聚合物复合电介质薄膜及其制备方法和应用。该复合电介质薄膜包括聚醚酰亚胺和亚纳米材料，亚纳米材料至少有一个维度上的尺寸低于1nm。该复合电介质薄膜缺陷少，在高温环境中具有高击穿场强，高充放电效率和高能量密度。

公开(公告)号：CN115863052A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211543251.5

申请日：2022-12-02

Applicant: 清华大学

Inventor： 沈洋 ,  杨敏铮 ,  任伟斌 ,  南策文

IPC: H01G4/18

Abstract: 本发明公开了一种用于储能电容器的复合电介质薄膜及其制备方法和应用。用于储能电容器的复合电介质薄膜包括聚醚酰亚胺和有机助剂，有机助剂的带隙能不低于3.5eV。该复合电介质薄膜质地均匀，缺陷少，在高温环境中具有高击穿场强，高充放电效率和高能量密度。

公开(公告)号：CN115010493B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210615524.6

申请日：2022-05-31

Applicant: 清华大学(CN)

Inventor： 林元华 ,  张旻昊 ,  罗子茜 ,  陈怡颖 ,  南策文

IPC: C04B35/50 ,  C04B35/49 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种高熵焦绿石介电陶瓷材料及其制备方法与应用，所述高熵焦绿石介电陶瓷材料的化学式为Bi1.5+xLa0.5Ti0.5Zr0.5Hf0.5Sn0.5O7，其中，0.045≤x≤0.15。发明人发现，具有该化学式的高熵焦绿石介电陶瓷材料同时具备线性电介质中较高的介电常数和较为优异的介电储能性能；而且，该高熵焦绿石介电陶瓷材料具有制备工艺简单的优点，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN114956816A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210640955.8

申请日：2022-06-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  罗子茜 ,  张旻昊 ,  陈怡颖 ,  南策文

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种高性能烧绿石储能陶瓷材料及其制备方法与应用，所述高性能烧绿石储能陶瓷材料的化学组成通式为：(1‑x)Cd2Nb2O7‑xBi2Ti2O7，其中，0＜x≤0.2。发明人发现，具有上述化学组成通式的烧绿石储能陶瓷材料同时具有较大的极化和较高的击穿场强，具有优良的储能性能，此外该材料还具有结构稳定的特点，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN114914353A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210656309.0

申请日：2022-06-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  周志方 ,  南策文

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明公开了一种BiCuSeO/石墨烯复合热电材料及其制备方法和应用，其中，该BiCuSeO/石墨烯复合热电材料的化学表达式为Bi0.88Pb0.06Ca0.06CuSeO/石墨烯，该BiCuSeO/石墨烯复合热电材料具有较高的电导率，较低的热导率和较高的热电性能，具有广阔的应用前景。具体的，该BiCuSeO/石墨烯复合热电材料ZT值不低于1.13。

公开(公告)号：CN113735577A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110902617.2

申请日：2021-08-06

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  杨岳洋 ,  刘超 ,  南策文

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种钛氧化合物热电陶瓷材料及其制备方法，该方法包括：(1)将Ti3AlC2块体夹持在电极上，以含有铵盐的水溶液为电解液进行电解，以便得到悬浊液；(2)将所述悬浊液进行氧化处理，固液分离后获取沉淀，对沉淀进行洗涤和干燥，以便得到干燥材料；(3)将所述干燥材料研磨后进行放电等离子烧结，以便得到钛氧化合物热电陶瓷材料。该方法实现了对MAX刻蚀废料的有效利用，并且制备得到具有很低的热导和较好的热电性能的钛氧化合物热电陶瓷材料，在废热发电和电热制冷等领域具有潜在的应用价值。此外，该方法工艺简单，成本低，操作过程灵活，产率高，可适用于钛氧化合物热电陶瓷材料的批量化生产，进而实现工程化应用。

公开(公告)号：CN113493345A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202110737237.8

申请日：2021-06-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  蓝顺 ,  潘豪 ,  刘亦谦 ,  南策文

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 一种掺钐的铁酸铋‑钛酸钡陶瓷薄膜及其制备方法和应用，属于介电材料技术领域。该薄膜的化学通式为x(Bi1‑ySmy)FeO3‑(1‑x)(Ba1‑ySmy)TiO3，其中，x、y为摩尔分数，且0

公开(公告)号：CN108570201B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201810441260.0

申请日：2018-05-10

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 沈洋 ,  张涛 ,  南策文

IPC: C08L27/16 ,  C08K9/10 ,  C08K3/24 ,  D01F6/48 ,  D01F1/10 ,  D01D5/00

Abstract: 本发明涉及一种介电复合材料及其制备方法。上述介电复合材料的制备方法及介电复合材料，对钛酸钡颗粒表面进行羟基化处理，再加入含氟单体引发聚合得到具有核壳结构的改性钛酸钡，再将改性钛酸钡与偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物配制得到静电纺丝溶剂，再利用静电纺丝的工艺得到介电复合材料。钛酸钡颗粒具有着很高的介电常数而偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物有着良好的击穿性能，引入了含氟单体，这类单体分子链上均带有一定数量的氟原子与基体聚合物PVDF‑HFP类似，将这一类单体包覆在颗粒表面，起到了温和过渡的效果，可以增加颗粒与基体间的相容性，进而使得颗粒有着好的分散性，从而使得介电复合材料兼具有高介电常数、高击穿场强和低介电损耗。

公开(公告)号：CN109873075A

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201711271098.4

申请日：2017-12-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 于浦 ,  李好博 ,  鲁年鹏 ,  马静 ,  南策文

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明涉及一种磁电耦合器件，包括：导电基底、过渡金属氧化物层和磁性金属层。所述过渡金属氧化物层设置于所述导电基底的表面。所述过渡金属氧化物层为SrCoO2.5和HSrCoO2.5组成的混合物，其中所述SrCoO2.5所占的比例为0％-100％。所述磁性金属层设置于所述过渡金属氧化物层的表面，所述过渡金属氧化物层设置于所述导电基底与所述磁性金属层之间。所述磁电耦合器件通过氢离子和/或氧离子的迁移实现所述磁电耦合器件磁性的调控。本申请中提供的所述磁电耦合器件能够实现低功耗、响应快、室温可调的磁电耦合效应。所述磁电耦合器件能够极大的降低器件成本、提高集成度，促进离子调控的磁电耦合器件向应用领域迈进。

公开(公告)号：CN108866819A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201710317660.6

申请日：2017-05-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 沈洋 ,  江建勇 ,  张鑫 ,  林元华 ,  南策文

IPC: D04H1/728 ,  D01D5/00 ,  D04H1/44 ,  D01F6/48 ,  D01F1/10 ,  C08K3/24 ,  H01G4/18

Abstract: 本发明公开了一种聚合物纳米复合材料及其制备方法。该方法包括如下步骤：(1)采用静电纺丝法制备纳米填料和聚合物基体的复合无纺布；构成所述复合无纺布的复合纤维以所述聚合物基体为主体纤维骨架，所述纳米填料分散在所述主体纤维中；(2)对所述复合无纺布进行热压，即可得到所述聚合物纳米复合材料。相对于一般的制膜工艺，本发明方法不仅更加简单高效，而且制备出的复合材料具有更好的均匀性和均一性。本发明复合材料可以实现复合材料内部填料材料粒分散均匀，表面平整，内部致密无气孔，厚度均一且大范围内精细可控，同时具有优异的介电性能以及很高的性能稳定性，有望在电介质材料方面得到广泛的应用。