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公开(公告)号：CN112458438B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202011417101.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C16/511 , C23C16/34 , C23C16/02 , C23C28/00
Abstract: 本发明提供一种铬基氮化物梯度复合涂层结构及其原位制备方法。其结构包括镀在基体表面的铬缓冲层和沉积在铬缓冲层表面的铬基氮化物梯度层。将镀有铬缓冲层的基体置于微波等离子体化学气相沉积设备，通过调节含氮气体量以及微波功率，利用N等离子体团与铬离子的反应快速生成铬基氮化物层。在微波对金属微区表面的趋肤效应、氮化物陶瓷层透射损耗以及金属基体的反射效应的协同作用下，产生热量‑温度梯度，使反应活性由陶瓷‑铬缓冲层的界面前沿向残余铬缓冲层纵深不断衰减，实现化学反应和速率的梯度变化，从而获得结构和成分呈连续梯度分布的铬基氮化物涂层。所得的连续梯度结构能够显著降低层间应力，提高涂层的力学性能，降低涂层摩擦系数。
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公开(公告)号：CN115215663A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210847324.3
申请日：2022-07-19
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/626
Abstract: 本发明提供一种高致密纯相CrN陶瓷的制备方法，属于陶瓷技术领域。本发明为一种高致密纯相CrN陶瓷的制备方法，包括以下步骤；（1）将CrN粉体置于气氛炉中，在氨气气氛下进行氮化处理，得到高纯CrN粉体原料；（2）将高纯CrN粉体原料装入石墨模具中，进行等离子活化烧结，得到高致密纯相CrN陶瓷，等离子活化烧结过程中升温速率为100~200℃/min，烧结温度为1100~1300℃，保温时长为1~10min，烧结压力为50~100MPa。本发明首先以CrN粉体为原料，利用氨解氮化工艺，进行纯化处理，使粉体中的Cr2N杂相氮化为CrN相，得到物相单一的高纯CrN粉体原料；再利用等离子活化烧结，在1100~1300℃下实现CrN粉体的快速致密化并抑制烧结过程中的相分解，得到物相单一、结构致密的CrN陶瓷。
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公开(公告)号：CN114686803A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210279445.2
申请日：2022-03-22
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C23C12/00
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体化学气相沉积制备的三元氮化物涂层及方法，属于涂层制备技术领域。一种微波等离子体化学气相沉积的三元氮化物涂层，所述三元氮化物涂层的分子形式为M1‑xDxNy。一种微波等离子体化学气相沉积制备三元氮化物涂层的方法，包括以下步骤；（1）基体清洗、预处理；（2）进行第一次微波等离子体化学气相沉积，金属基体表面形成固溶体和或金属间化合物；（3）进行第二次微波等离子体化学气相沉积，开始沉积三元氮化物涂层。本发明中的三元氮化物涂层中均匀分布微量固溶体或金属间化合物，起到弥散强化、增强涂层性能的作用，涂层表现出更优的高温服役特性；本发明中的方法具有更高的沉积效率，能获得较厚的三元氮化物涂层。
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公开(公告)号：CN110004419B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910152980.X
申请日：2019-02-28
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种可控靶材表面磁场强度的非平衡磁控溅射沉积方法制备Fe‑Si薄膜的工艺，采用改进的双靶非平衡磁控溅射沉积技术，以Fe‑Si合金靶为磁控对靶，在沉积过程中调节磁控对靶之间的相对距离，得Fe‑Si薄膜。本发明通过增加一对可以调整磁控对靶的相对距离的支架，且左右磁控管采用闭合非平衡磁场的设计，靶材的离化率高，有利于制备电阻率高的Fe‑Si薄膜，并可通过改变对靶间距离调整样品电阻率，产品质量稳定，电阻率高，且涉及的沉积工艺简单、重现性好，适合推广应用。
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公开(公告)号：CN111294996A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010013827.1
申请日：2020-01-07
Applicant: 武汉理工大学
IPC: H05B6/02
Abstract: 本发明提供一种梯度银基感应导磁膜及其制备方法，该梯度银基感应导磁膜，包括基体、底层银膜、外层银膜；所述底层银膜丝印在所述基体上，所述外层银膜丝印在所述底层银膜上；所述外层银膜中银粉含量高于所述底层银膜中银粉含量，且所述外层银膜中玻璃粉含量低于所述底层银膜中玻璃粉含量。本发明的梯度银基感应导磁膜创新性地采用梯度结构，在保证导磁膜良好导电、导热性能的前提下，通过缓和界面热应力，避免了因热膨胀系数差异悬殊、界面热应力大而带来的开裂、脱落风险，解决了传统银基感应导磁膜加热功率不稳定、使用寿命短等问题，制备的梯度结构导磁膜兼具良好的结合强度和产热导热效果，具有优良的综合性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109207829A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811185685.6
申请日：2018-10-11
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明提供了一种高熵合金与多组元碳化物共晶型复合材料及其原位制备方法。采用真空电弧熔炼的方法，将Re、Mo、Nb、W纯金属粉体与TaC粉体进行高温熔炼，原位生成高熵合金相与多组元碳化物相形成共晶型复合材料。该复合材料由枝晶初生晶和细小规则的层片状共晶组织组成，相界面干净且结合强度高；表现出良好的室温强韧性综合性能，屈服强度高于1.1GPa，平均极限抗压强度高于1.8GPa，室温塑性应变高于5％，硬度高于5.8GPa，可用于核电技术、国防军工等领域。
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公开(公告)号：CN106191479B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201610519550.3
申请日：2016-07-04
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种钨合金的非自耗电弧熔炼制备方法，其包括钨粉的初步净化、冷压成型及预制块体制备、抽真空、通氩气和电弧熔炼步骤。本发明与现有技术相比，工艺简单、效率高、成本低，且有提纯效果，可制得纯度高，无明显气孔，致密度高(98.1％～99.2％)的超高比重钨合金(钨比重含量达99.7％～99.9％，比重最高可达19.11)；可应用于电子工业、核工业、航空航天及动高压物理等领域。
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公开(公告)号：CN105149769B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510456474.1
申请日：2015-07-29
Applicant: 武汉理工大学
IPC: B23K20/14 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/24 , B23K103/18
Abstract: 本发明是叠层复合中间层的设计引入使镁合金与铝合金的连接方法，即：首先在镁合金与铝合金表面沉积CuNi合金薄膜作为防止铝镁基体表面氧化及金属间化合物生成的阻隔中间层，然后在CuNi合金薄膜层之间添加Ag降低CuNi中间层的连接温度，构成CuNi‑Ag‑CuNi叠层复合中间层，再将该复合中间层的镁合金与铝合金待连接件的装配，并在380～420℃条件下保温0s～750s即可。本发明利用所述复合中间层避免了连接界面脆性的Mg‑Al系金属间化合物以及其它金属间化合物的产生；采用电场活化连接技术，在真空下实现了镁合金与铝合金低温、快速、高强焊接，降低了连接温度、缩短连接工艺周期、提高了连接接头的可靠性。
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公开(公告)号：CN107841672A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711009543.X
申请日：2017-10-25
Applicant: 武汉理工大学
Abstract: 本发明公开了一种含Re的高密度ReWTaMoNbX高熵合金材料及制备方法，所述合金材料的组成为ReWTaMoNbX，合金中Re/W/Ta/Mo元素中任意两元素的摩尔比为0.95～1.05，Nb与其它任一元素的摩尔比x＝0～1。其制备方法如下：混料：称量Re、W-Mo、Ta、Nb金属粉末，球磨混合均匀；制备预制块：采用冷高压成型技术将步骤一制得的混合粉体制成预制块；电弧熔炼制备高熵合金：采用高真空非自耗电弧熔炼炉在高纯氩气保护下将预制块熔炼成母合金锭。所得高熵合金材料具有高密度和高硬度，密度不低于15g/cm3，硬度不低于5700MPa，可用于核工业、航空航天及高压物理等领域。
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公开(公告)号：CN105218087B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201510749781.9
申请日：2015-11-06
Applicant: 武汉理工大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/50 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种织构化的高居里点Pr2Ti2O7陶瓷的制备方法，其采用的技术方案是两次等离子活化热处理技术，具体包括以下步骤：1)第一次等离子活化热处理：将Pr2Ti2O7原料填充于石墨模具中，移入等离子活化烧结炉中，活化10～30s，再以50～100℃/min的升温速率升温至1100～1250℃，保温1～3min并施加20～50MPa的压力，经致密化烧结后得到Pr2Ti2O7陶瓷块体；2)第二次等离子活化热处理：将Pr2Ti2O7陶瓷块体放入更大尺寸的石墨模具中心，移入等离子活化烧结炉中，活化10～30s，再以50～100℃/min的升温速率升温至1200～1350℃，保温3～5min并施加40～80MPa的压力，经织构化成型后得到织构的Pr2Ti2O7陶瓷。本发明有效克服了现有热锻、热压等织构化技术存在的热处理周期长、烧结温度高、生产效率低等不足，制备的Pr2Ti2O7陶瓷可满足高温压电领域的应用需求。
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