知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

164 records (took 0.033 seconds)

    一种高温无铅压电与介电储能陶瓷及其制备方法
    141.
    发明公开
    一种高温无铅压电与介电储能陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104671766A

    公开(公告)日：2015-06-03

    申请号：CN201510103536.0

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

    IPC: C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

    Abstract: 本发明公开了一种高温压电性能、高储能密度无铅陶瓷介电材料，成分以通式(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeNbO3 +0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeTaO3 +0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeSbO3 +0.005 (0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)来表示，其中Me为碱金属元素Li、Na、K中的一种或两种，x、y表示摩尔分数，0.1≤x≤0.5，0.05≤y≤0.3。本发明采用分步合成结合两歩烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的高温压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达1.1J/cm3，压电常数d33可达282pm/V、应变可达0.22%，居里温度可达501oC，绿色环保，实用性好。

    一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法
    142.
    发明授权
    一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103342466B

    公开(公告)日：2015-05-20

    申请号：CN201310262140.1

    申请日：2013-06-27

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 陈国华 ,  宋俊 ,  刘涛涌 ,  袁昌来

    IPC: C03C10/02

    Abstract: 本发明涉及一种铌酸锶钡基微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法为：以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为起始原料，按照aSrO·bBaO·cNb2O5·dB2O3摩尔比配料，经球磨混料8h后烘干，在1300℃熔化保温30min，再经快速冷却、退火得到无气孔的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在21-143范围内可调，直流击穿场强最高达1300kV/cm，储能密度最高可达5.71J/cm3。

    一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法
    145.
    发明公开
    一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN103956266A

    公开(公告)日：2014-07-30

    申请号：CN201410146863.X

    申请日：2014-04-14

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 袁昌来 ,  刘勇 ,  杨涛 ,  周昌荣 ,  陈国华 ,  许积文 ,  周星星 ,  张小文

    IPC: H01G4/33 ,  H01G4/08

    Abstract: 本发明涉及一种无铅Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜电容器及其制备方法，包括衬底硅片上溅射金属下电极、溅射Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜中间层、薄膜上溅射金属上电极形成三层结构。Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层具体由(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3（0.01≤x≤0.1）组成；金属上、下电极材料为金属Ag、Au、Pt中的一种。先制备(1-x)(0.94Bi0.5Na0.5TiO3-0.06BaTiO3)-xK0.5Na0.5NbO3陶瓷靶材，然后采用磁控溅射工艺将其溅射到已溅射有金属下电极的硅片衬底上形成Bi0.5Na0.5TiO3基高储能密度薄膜层；再在薄膜上使用溅射工艺制备金属上电极。本发明制备的高储能密度薄膜电容器体积小，薄膜层厚度0.5~1.5μm，其储能密度为20~45J/cm3。

    一种薄膜热敏电阻及其阻值调节方法
    146.
    发明公开
    一种薄膜热敏电阻及其阻值调节方法 无效

    公开(公告)号：CN103646739A

    公开(公告)日：2014-03-19

    申请号：CN201310651609.0

    申请日：2013-12-06

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  张廷玖 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  马家峰

    IPC: H01C17/245 ,  H01C7/00

    Abstract: 本发明公开了一种薄膜热敏电阻及其阻值调节方法。所述的薄膜热敏电阻包括绝缘衬底，设置在绝缘衬底上的一对电极对，以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案。本发明通过设计特殊结构的电极对，同时在用于调节阻值的金属性图案上同时设计有用于微调阻值的微调切割部和用于粗调阻值的粗调切割部，并将所述的粗调切割部分别穿插于电极对中的第一电极的凸部结构中，使得在将所述的粗调切割部切削后可以起到较大范围的调整阻值的作用；而微调切割部则可以起到微调阻值的作用，因此，本发明所述薄膜热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。

    一种片式热敏电阻及其阻值调节方法
    147.
    发明公开
    一种片式热敏电阻及其阻值调节方法 失效

    公开(公告)号：CN103632780A

    公开(公告)日：2014-03-12

    申请号：CN201310654586.9

    申请日：2013-12-06

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  张廷玖 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰

    IPC: H01C7/02 ,  H01C7/04 ,  H01C1/14

    Abstract: 本发明公开了一种片式热敏电阻及其阻值调节方法。所述的片式热敏电阻，包括设置在片式热敏陶瓷表面上的一对电极对，以及从一对电极中的至少一个上伸出用于阻值调节的金属性图案；其中，电极对包括第一电极和第二电极，所述第一电极包括均具有重复凹凸结构特征的第一分支和第二分支，所述第二电极包括具有重叠“工”字形结构特征的工字形分支，所述工字形分支的横端的两端分别穿插于第一电极上第一分支的凹部中和第二分支的凹部中；所述的金属性图案具有至少一个粗调焊接端和至少一个微调焊接端，粗调焊接端设置于金属性图案上与第一电极的第一分支和/或第二分支的凸部对应的区域中。本发明所述片式热敏电阻可同时实现阻值的粗调和微调功能。

    一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法
    148.
    发明授权
    一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN102964119B

    公开(公告)日：2014-01-22

    申请号：CN201210470746.X

    申请日：2012-11-20

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 袁昌来 ,  冯琴 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  洛颖 ,  周昌荣

    IPC: H01C7/04 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法，它是先合成(1-x)BiFeO3-xMeMO3粉体，再不掺入或掺入少量SiO2，经压制成型、烧结制成掺SiO2的(1-x)BiFeO3-xMeMO3热敏陶瓷材料。本发明制备的可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料，烧结温度低于950℃且性能稳定，性能测试表明能够获得较好的综合热敏性能：热敏常数β25/85大于5000K，室温电阻率ρ25小于106Ω·cm，老化率η低于5%。制备过程采用传统的陶瓷固相烧结制备工艺，采用工艺相对简单、稳定，因而具有较高的实用性和推广应用前景。

    一种稀土激活的白光荧光玻璃材料及其制备方法
    149.
    发明公开
    一种稀土激活的白光荧光玻璃材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103435262A

    公开(公告)日：2013-12-11

    申请号：CN201310372577.0

    申请日：2013-08-23

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 陈国华 ,  王家鑫 ,  袁昌来 ,  杨云 ,  邹夏俊

    IPC: C03C4/12 ,  C03C3/16

    Abstract: 本发明公开了一种稀土激活的白光荧光玻璃材料及其制备方法，它是先称取以摩尔百分比计的：ZnO=40-42，SrO=20-22，P2O5=36-40。稀土外加，放入玛瑙研钵中，加入适量无水乙醇后充分研磨均匀制成配合料；待配合料干燥后倒入坩埚中，先在500℃保温0.5h，然后快速升温至1200-1250℃保温2h；随后将熔化好的玻璃液倒入模具中成型，然后将成型好的玻璃迅速放进马弗炉中退火后，随炉冷却到室温；将块状玻璃经切割、研磨、抛光成为透明状玻璃片。该稀土共掺的玻璃发光性能优异，可以有效地被358nm或377nm紫外光激发。通过调控玻璃组成和稀土离子浓度可方便地调节荧光玻璃的光色品质。制备工艺简单，不需要还原气氛，熔化温度低，降低了制备成本。有望与半导体芯片直接组装成白光器件，简化封装工艺。

Patent Agency Ranking