公开(公告)号：CN101364656B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200810051199.5

申请日：2008-09-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董玮 ,  陈维友 ,  张歆东 ,  刘彩霞 ,  阮圣平 ,  周敬然 ,  郭文滨 ,  瞿鹏飞

IPC: H01P1/18 ,  H01P11/00 ,  G02B6/12 ,  G02B6/28

Abstract: 本发明属于微波光子器件领域，涉及一种基于SOI光波导的单片集成的微波光子移相器及其制备方法。微波光子移相器由三个Y分支组成的级联波导分路器、四根波导延时线组成的固定延时单元、在波导延时线上的四个可变液晶光衰减单元和三个Y分支组成的级联波导合路器构成；级联波导分路器、固定延时单元和级联波导合路器是由制作在SOI衬底上的脊型光波导构成，由上到下依次为顶层硅、埋层二氧化硅、硅衬底。根据需要移相的微波信号的频率的不同，通过设计固定延时线的长度，可以对2GHz～20GHz的微波信号实现0～360°的连续相移。本专利所述器件具有集成度高、结构紧凑、尺寸小等特点。

公开(公告)号：CN101915998A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010234943.2

申请日：2010-07-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董玮 ,  瞿鹏飞 ,  周敬然 ,  陈维友 ,  张歆东 ,  刘彩霞 ,  阮圣平 ,  郭文滨 ,  沈亮

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器及其制备方法。该器件是在SOI衬底的顶层硅一侧制作，为一体脊型结构，沿着输入光的方向顺次是输入单模波导1、第一单模渐变波导2、多模波导3、第二单模渐变波导4、输出单模波导5；在各段波导的上表面制备有一层二氧化硅上包层204，在二氧化硅上包层的上面制备有用于热光调制的平行四边形金属电极205。本发明所述基于SOI光波导的反射型热光可变光衰减器采用光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀、生长金属膜和金属膜的腐蚀等工艺制作。该可变光衰减器可以在0～30dB范围内，实现对光信号的连续可变衰减。

公开(公告)号：CN101364656A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810051199.5

申请日：2008-09-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董玮 ,  陈维友 ,  张歆东 ,  刘彩霞 ,  阮圣平 ,  周敬然 ,  郭文滨 ,  瞿鹏飞

IPC: H01P1/18 ,  H01P11/00 ,  G02B6/12 ,  G02B6/28

Abstract: 本发明属于微波光子器件领域，涉及一种基于SOI光波导的单片集成的微波光子移相器及其制备方法。微波光子移相器由三个Y分支组成的级联波导分路器、四根波导延时线组成的固定延时单元、在波导延时线上的四个可变液晶光衰减单元和三个Y分支组成的级联波导合路器构成；级联波导分路器、固定延时单元和级联波导合路器是由制作在SOI衬底上的脊型光波导构成，由上到下依次为顶层硅、埋层二氧化硅、硅衬底。根据需要移相的微波信号的频率的不同，通过设计固定延时线的长度，可以对2GHz～20GHz的微波信号实现0～360°的连续相移。本技术所述器件具有集成度高、结构紧凑、尺寸小等特点。

公开(公告)号：CN100424908C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200510017007.5

申请日：2005-07-28

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈维友 ,  刘自然 ,  郭文滨 ,  刘彩霞 ,  董玮 ,  张歆东 ,  薛海林 ,  沈亮 ,  徐宝琨

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本发明具体涉及一种以导电态聚苯胺为P型半导体材料、纳米晶体TiO2为N型半导体材料的P-N异质结二极管及该异质结二极管的制备方法。该P-N异质结二极管的组装制备方法是：首先采用溶胶-凝胶技术在ITO玻璃衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜，然后用另一片ITO玻璃以双面胶作为粘合材料和隔垫物覆盖在纳米晶体TiO2薄膜的表面，最后利用毛细作用在纳米晶体TiO2薄膜与ITO玻璃之间注入导电态聚苯胺的溶液，常温下将溶剂挥发掉。本发明采用有机高分子导电材料作为P型半导体材料与N型的纳米晶体TiO2组装制备了具有良好整流特性(2V时，整流比大于160)的异质结二极管，并且其制备方法简单便于掌握。

公开(公告)号：CN1180286C

公开(公告)日：2004-12-15

申请号：CN02144511.7

申请日：2002-10-30

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董玮 ,  陈维友 ,  刘彩霞 ,  张歆东 ,  孙东明 ,  贾翠萍 ,  潘建旋 ,  徐宝琨

IPC: G02B6/35 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明涉及一种具有倾斜下电极结构的扭臂式静电驱动微机械光开关及其制作方法。光开关由扭臂1、微反射镜2、上电极3、绝缘层4、倾斜下电极5组成。其中，微反射镜的镜面和上电极相垂直，扭臂、微反射镜和上电极为一体结构，在同一硅片上制作；倾斜下电极平面相对于上电极平面向下倾斜一定的角度x°，下电极在(111)硅片上制作，硅片的法线方向为由 方向向最近的 方向偏转一定角度x°具有倾斜下电极结构的扭臂式静电驱动光开关在与平面下电极结构的光开关具有相同结构尺寸的情况下，可以使静电驱动电压有明显的下降。本发明所述具有倾斜下电极结构的扭臂式静电驱动光开关采用光刻、反应离子刻蚀、湿法化学法腐蚀等常规技术制备。

公开(公告)号：CN1402034A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02133096.4

申请日：2002-09-29

Applicant: 吉林大学

Inventor： 董玮 ,  陈维友 ,  刘彩霞 ,  张龙 ,  徐宝琨

IPC: G02B6/35 ,  G02B26/08 ,  H04B10/12 ,  H04J14/02

Abstract: 本发明涉及一种利用(110)硅片制作的静电驱动微反射镜型扭臂结构的微光电子机械系统(MOEMS)光开关、光开关阵列及制作方法。微机械光开关由在硅片(1)上制作的上电极(2)、微反射镜(3)、扭臂(4)和自对准光纤槽(5)以及玻璃片(6)、氮化硅或二氧化硅绝缘层(7)，作为下电极的铝膜(8)组成。微反射镜(3)的镜面沿硅片的{111}面，与硅片表面相垂直。微反射镜(3)的厚度为3～5微米，长度和高度分别为100～200微米，上电极(2)的厚度为10～20微米，扭臂宽度为10～15微米，长度为500～700微米。本发明所述及的微机械光开关具有镜面平整垂直、各单元的反射镜面平行、扭臂的结构尺寸能够准确控制，制作工艺简单，成品率高，制作成本低等特点。