一种IGBT过流保护电路
    142.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112653436B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202011504155.0

    申请日:2020-12-18

    Abstract: 本发明公开了一种IGBT过流保护电路,包括解耦保护电路、基准电平生成电路、故障信号生成电路和硬件封锁电路;解耦保护电路用于根据采集的IGBT下管的栅极和漏极电压生成保护电压信号;故障信号生成电路将保护电压信号与基准电压信号进行比较,当保护电压信号大于基准电压信号时形成故障信号;硬件封锁电路在故障信号的触发下将下管的栅极电压钳位至下管驱动电源的负电源,使下管关断;本发明采用分离的模拟电路器件配置可解耦的过流保护电路的三种工作模式,在IGBT发生过流故障时、正常工作时、不工作时的三种现实工况中灵活切换,在不使用驱动芯片的情况下实现过流保护,并可通过调节电路参数来调节执行电压范围和响应时间值。

    自对准结构及其制备方法、半导体器件

    公开(公告)号:CN119133056A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411182066.7

    申请日:2024-08-27

    Abstract: 本发明涉及一种自对准结构及其制备方法、半导体器件。上述自对准结构的制备方法包括以下步骤:通过选择性原子层沉积工艺,在基底的第一区域上沉积自对准功能薄膜;之后,通过等离子体原子层刻蚀工艺,对所述基底的所述第一区域之外的第二区域进行刻蚀处理。通过创新地将选择性原子层沉积与后处理等离子体原子层刻蚀相结合,达到去除ASD缺陷,提高ASD的选择性,可以无需光刻工艺制备自对准结构的目的,对半导体器件结构的制备有积极意义。

Patent Agency Ranking