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公开(公告)号：CN104182202A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310192755.1
申请日：2013-05-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了集成电路设计领域中的一种振荡器及其构成的真随机数发生电路。振荡器采用新型结构，主回路采用的结构可以为四边形、八边形、十二边形等结构，即4n边形结构，其中n为大于零的整数，真随机数发生电路包括快速振荡器、慢速振荡器、异或电路、时钟电路、系统时钟电路和采样电路。振荡器为真随机数发生电路提供随机源，构成快速振荡器和慢速振荡器并受两个外部使能信号a和b控制，快速振荡器和慢速振荡器的输出端信号相异或输出初级随机数种子，时钟电路和系统时钟电路控制采样电路对初级随机数种子进行两次采样，产生真随机数序列，该真随机数发生电路解决了真随机数序列随机性差、周期性出现的问题。
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公开(公告)号：CN104091194A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201410319700.7
申请日：2014-07-07
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06K19/077
Abstract: 本发明公开了一种用于无源超高频RFID标签芯片解调电路，包括整流电路、取包络电路、低通滤波电路、均值产生电路、比较器、整形电路、使能控制电路、偏置电路。整流电路由主级和辅助级构成，采用阈值补偿实现，取包络电路在使能控制电路控制下提取包络，低通滤波电路直接采用RC结构，均值产生电路由运算放大器、二极管和电容构成，利用峰值检测的原理实现，比较器采用开环的运算放大器实现，整形电路由两个级联的反相器构成，使能控制电路采用三级反相器级联的方式控制均值产生电路、比较器、整形电路，极大降低了解调电路不工作的功耗，偏置电路对整流电路、均值产生电路、比较器提供nA级电流。解调电路具有高灵敏度、宽输入范围、低功耗、面积小和低成本的特点。
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公开(公告)号：CN100573570C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710052018.6
申请日：2007-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06K19/073 , H05F3/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路，该电路包括电压比较器电路和电流泄放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1，P3和电阻R2，R3，用于检测和比较电压值；电流泄放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1，用于泄放静电脉冲和射频高压。本发明减小了输入节点寄生电容，避免了出现高频信号的延时效应，并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况，提高了电路的稳定性。此外，本发明不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用，仅用一个电路就实现了两种功能，特别适合应用于无源RFID标签芯片。本发明在减少面积降低功耗的同时，还提升了ESD保护电路的保护性能，进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN100505101C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610124853.1
申请日：2006-10-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2，检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3，N4，N5；其中PMOS管P1和NMOS管N1、NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构。本发明利用了MOS管的双向导通性，从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起，大大减少了充电电路的数目；利用电压检测的方式进行信息的区分，通过修改反相器的反相阈值，降低充电电压，从而提高读出的速度。本发明特别适合无源RFID标签芯片的嵌入式EEPROM应用，在保证数字逻辑工作电压的情况下，降低整个芯片的复位阈值，较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。
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公开(公告)号：CN101221814A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810046620.3
申请日：2008-01-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明公开了一种用于EEPROM的灵敏放大器及由其构成的读电路。本发明提供的用于EEPROM的灵敏放大器包括充电控制电路、检测电路和保持整形输出电路；充电控制电路由相同的二个充电控制子电路构成；检测为一个同或门；保持整形输出电路对检测电路的输出进行保持并整形为标准数字电平。由上述的灵敏放大器构成的读电路，包含两个完全对称的第一、第二存储模块，各灵敏放大器的两根位线分别接到第一、第二存储模块的对应位线上。该灵敏放大器电路结构简单，不需要偏置电路，占用面积小，读取速度快，动态功耗低，静态功耗几乎为0；工作电压范围大；由上述的灵敏放大器构成的读电路具有抗器件特性退化，性能稳定的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1932835A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610124662.5
申请日：2006-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种射频识别系统中的安全认证方法，认证过程基于散列运算，并加入随机数掩码和密钥更新等方法。读卡器和电子标签双方均存有相同的密钥对K1、K2。K1和随机数R进行散列运算对电子标签进行认证，K2和唯一标识符C进行散列运算对读卡器进行认证。本发明提供的安全认证方法对于射频识别系统中存在的几种安全和隐私问题的防护能够有效地解决，并能够满足电子标签芯片的低成本、低功耗的需求。本发明具有防止地点隐私泄露、防止标签信息被窃取、防止伪造标签和防止中间人攻击等特点，并且对于电子标签的低成本实现更具意义。
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公开(公告)号：CN218335970U
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202221325218.0
申请日：2022-05-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种运算放大电路，包括：运放单元；偏压提供单元，连接所述运放单元，所述偏压提供单元接收偏置调节电压，基于所述偏置调节电压为所述运放单元提供偏置电压；偏压调节单元，连接所述偏压提供单元，所述偏压调节单元为所述偏压提供单元提供所述偏置调节电压。本实用新型设置偏压调节单元，该偏压调节单元输出偏置调节电压，利用偏置调节电压调整偏压提供单元提供给运放单元的偏置电压，以此能够降低运放相位裕度的恶化，避免PVT波动对电路性能的影响。
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公开(公告)号：CN201242868Y
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200820067149.1
申请日：2008-05-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本实用新型公开了一种用于EEPROM的灵敏放大器及由其构成的读电路。本实用新型提供的用于EEPROM的灵敏放大器包括充电控制电路、检测电路和保持整形输出电路；充电控制电路由相同的二个充电控制子电路构成；检测为一个同或门；保持整形输出电路对检测电路的输出进行保持并整形为标准数字电平。由上述的灵敏放大器构成的读电路，包含两个完全对称的第一、第二存储模块，各灵敏放大器的两根位线分别接到第一、第二存储模块的对应位线上。该灵敏放大器电路结构简单，不需要偏置电路，占用面积小，读取速度快，动态功耗低，静态功耗几乎为0；工作电压范围大；由上述的灵敏放大器构成的读电路具有抗器件特性退化，性能稳定的特点。
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公开(公告)号：CN214228205U
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202023332732.0
申请日：2020-12-30
Applicant: 华中科技大学 , 浙江驰拓科技有限公司
IPC: H03F3/45
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于STT‑MRAM的预充式比较器电路，包括电压输入模块、负载输出模块和预充模块；所述电压输入模块用于输入差分信号；所述负载输出模块连接至所述电压输入模块和电源电压，用于输出差分信号；以及所述预充模块与所述负载输出模块并联，用于在预充阶段将差分输出信号预充至电源电压。该比较器电路通过预充电路，与灵敏放大器的预充电阶段同步，并且与灵敏放大器采用同一控制信号，从而对读出结构的整体读取时间达到协调统一，降低甚至消除了电压失调，减小传输延迟。
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公开(公告)号：CN202331539U
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201120461512.X
申请日：2011-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06K19/077 , G06K7/00
Abstract: 本实用新型公开了一种高频无源RFID模拟前端电路，其结构为：保护电路和整流电路均与天线接口相连，它获取能量，存储在内部的一个大电容中，输出一个高电压到电源产生电路；电源产生电路连接到整流电路，它将输入的电压整合为适合电路内部工作的电平，输出接到复位电路，解调电路，时钟电路，调制电路，为它们提供电源；解调电路连接到天线接口，作用是解调出天线上接收到的信号，并将它输出；时钟电路连接到天线，作用是从天线上接收到的信号中恢复出时钟，输出时钟信号；复位电路连接到整流电路，它在上电和掉电时，都能进行复位。本实用新型通过接入接收天线和谐振电容后，能够完成RFID系统中的信号传输，且具有高可靠性，低成本等诸多优点。
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