公开(公告)号：CN1949394A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610124853.1

申请日：2006-10-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 邹雪城 ,  刘冬生 ,  刘政林 ,  张帆 ,  童乔凌 ,  邓敏

IPC: G11C16/26

Abstract: 本发明公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2，检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3，N4，N5；其中PMOS管P1和NMOS管N1、NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构。本发明利用了MOS管的双向导通性，从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起，大大减少了充电电路的数目；利用电压检测的方式进行信息的区分，通过修改反相器的反相阈值，降低充电电压，从而提高读出的速度。本发明特别适合无源RFID标签芯片的嵌入式EEPROM应用，在保证数字逻辑工作电压的情况下，降低整个芯片的复位阈值，较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。

公开(公告)号：CN100505101C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610124853.1

申请日：2006-10-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 邹雪城 ,  刘冬生 ,  刘政林 ,  张帆 ,  童乔凌 ,  邓敏

IPC: G11C16/26

Abstract: 本发明公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2，检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3，N4，N5；其中PMOS管P1和NMOS管N1、NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构。本发明利用了MOS管的双向导通性，从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起，大大减少了充电电路的数目；利用电压检测的方式进行信息的区分，通过修改反相器的反相阈值，降低充电电压，从而提高读出的速度。本发明特别适合无源RFID标签芯片的嵌入式EEPROM应用，在保证数字逻辑工作电压的情况下，降低整个芯片的复位阈值，较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。

公开(公告)号：CN200983267Y

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200620163365.7

申请日：2006-12-01

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 邹雪城 ,  刘冬生 ,  刘政林 ,  张帆 ,  童乔凌 ,  邓敏

IPC: G11C16/26

Abstract: 本实用新型公开了一种用于电可擦除可编程只读存储器的灵敏放大器，包括充电控制电路和检测输出电路两部分。充电控制电路包括PMOS管P1和NMOS管N1、N2，检测输出电路包括PMOS管P2、P3和NMOS管N3，N4，N5；其中PMOS管P1和NMOS管N1、NMOS管N4和PMOS管P2、NMOS管N5和PMOS管P3分别为反相器结构。本实用新型利用了MOS管的双向导通性，从浮栅管的源极、而不是选择管的漏极进行充电。由于浮栅管的源极都连接在一起，大大减少了充电电路的数目；利用电压检测的方式进行信息的区分，通过修改反相器的反相阈值，降低充电电压，从而提高读出的速度。本实用新型特别适合无源RFID标签芯片的嵌入式EEPROM应用，在保证数字逻辑工作电压的情况下，降低整个芯片的复位阈值，较好的抗阈值退化能力提高整个标签芯片的使用寿命。