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公开(公告)号：CN102502613B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110382636.3
申请日：2011-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明是一种采用激光辐照碳化硅直接制备石墨烯的方法，属于材料制备领域。与其他制备石墨烯的方法相比，激光辐照SiC直接制备石墨烯具有制备工艺简单、易操作、可以通过掩膜或激光扫描路径设计获得面积可控的图形化的石墨烯层等特点，更有望直接制成电子器件，进行批量生产。本发明先将SiC晶片进行预处理，去除表面污染及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用308nm-532nm的激光器对SiC进行辐照，单脉冲能量密度1.0-1.33J/cm2，在表面几nm的深度内获得石墨烯层，经测试鉴定，具有石墨烯拉曼频谱特征峰：D峰(～1350cm-1)、G峰(～1580cm-1)、2D峰(～2710cm-1)。经辐照后的样品表面电阻由MΩ级下降到Ω级，导电性能提高了近6个数量级。
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公开(公告)号：CN102912438A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210353144.6
申请日：2012-09-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种无坩埚快速生长厘米量级Ti:Ta2O5晶体的方法，属于Ti:Ta2O5晶体生长领域。先将TiO2和Ta2O5粉料混合球磨、预烧，压制成棒状的多晶棒；将多晶棒分别作为料棒和籽晶安装在单晶炉中，设置升温速率，进行晶体生长，设置降温时间，将生长完的晶体冷却至室温。本发明方法是一种快速生长厘米量级、无宏观缺陷、高质量Ti:Ta2O5晶体的无坩埚生长技术。
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公开(公告)号：CN102814590A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210254948.0
申请日：2012-07-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/36 , C04B35/638
Abstract: 本发明是一种脱落正畸托槽底板粘结剂的激光去除方法。本发明将正畸托槽通过夹具放置于激光光路路径中，利用指示激光，通过变动正畸托槽夹具与光束整形聚焦系统之间的位置来调整指示光斑，使指示激光光斑能够完全覆盖正畸托槽；根据正畸托槽的类型和底板结构，设定准分子激光器输出特性后对正畸托槽进行辐照，并通过实时监控系统观察正畸托槽表面状况，粘结剂去除完成后结束辐照。该发明能够直接实现各类型正畸托槽，装配、拆卸方便，去除工艺简单，整个过程快速有效，无需任何冷却条件配置，单件正畸托槽底板粘结剂的整个去除过程最快仅约30秒左右，且不引入外来污染，绿色环保。
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公开(公告)号：CN102115911B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110068628.1
申请日：2011-03-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种不同气氛下无坩埚生长蓝宝石晶体的方法，属于蓝宝石晶体生长领域，包括以下步骤：用高纯原料Al2O3、FeTiO3和Fe2O3制备多晶棒；将多晶棒放入晶体生长炉中，并套上石英管，向其中通入氧气或氩气到一定压力，关闭气体阀门；用0.5-1h升温至料棒和籽晶融化，设置晶体生长速度进行晶体生长；将生长完的晶体冷却至室温；打开气体阀门，气体放出至正常大气压。本发明生长的蓝宝石晶体尺寸大、无宏观缺陷，颜色更加均匀，晶体质量得到提高。
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公开(公告)号：CN102030486B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201010515828.2
申请日：2010-10-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: C03C27/00
Abstract: 本发明公开了一种玻璃-可伐合金激光焊接方法及其专用夹具，属于激光焊接技术领域。该装置包括夹具底座、弹簧、中间件和夹具罩；弹簧置于夹具底座上表面的圆形槽内；中间件通过下表面的圆形槽置于弹簧上，上表面施焊区设有通道，通道通过气孔与外界相通；夹具罩下表面设的凹槽可与中间件间隙配合，凹槽侧面的通气孔与夹具罩上的通道连通，在夹具罩设有微调螺母；夹具底座与夹具罩通过活扣固定加紧。焊接方法为：将可伐合金表面的杂质和氧化层除去并制备具有微结构的新氧化层，然后将玻璃和可伐合金用上述夹具进行焊接。本发明适用范围广，可进行大尺寸硼硅3.3.玻璃-可伐合金焊接，对材料的没有特殊机械结构的要求，焊接条件要求简单。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102502613A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110382636.3
申请日：2011-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明是一种采用激光辐照碳化硅直接制备石墨烯的方法，属于材料制备领域。与其他制备石墨烯的方法相比，激光辐照SiC直接制备石墨烯具有制备工艺简单、易操作、可以通过掩膜或激光扫描路径设计获得面积可控的图形化的石墨烯层等特点，更有望直接制成电子器件，进行批量生产。本发明先将SiC晶片进行预处理，去除表面污染及有机残留等，改善表面晶格缺陷，采用308nm-532nm的激光器对SiC进行辐照，单脉冲能量密度1.0-1.33J/cm2，在表面几nm的深度内获得石墨烯层，经测试鉴定，具有石墨烯拉曼频谱特征峰：D峰(～1350cm-1)、G峰(～1580cm-1)、2D峰(～2710cm-1)。经辐照后的样品表面电阻由MΩ级下降到Ω级，导电性能提高了近6个数量级。
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公开(公告)号：CN102294543A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110169436.X
申请日：2011-06-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明是一种观察激光切割材料过程中透明熔融层的方法，属于材料加工领域。本发明所用装置包括可见光波段指示用激光器、衰减镜、扩束准直系统、光阑、由待切割材料、垫片、透明材料构成的楔状物、扩束镜、光屏、每秒拍摄1000帧以上高速摄像机和同步装置。将楔状物固定在机床上，其他装置固定在平台上，经调试使指示用激光器发射的激光照射到待切割材料切面，在反射光方向透过扩束镜，使用光屏接收干涉条纹，并由同步装置使切割开始时高速摄像机拍摄光屏，记录反应熔融层形成与形貌变化的干涉条纹，实现对激光切割中，透明熔融层的观察。该发明能够直接应用于现有激光切割设备上，能方便进行在线观察切割中的熔融层变化，且装配、拆卸简单。
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公开(公告)号：CN101439968B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200810240894.6
申请日：2008-12-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/64
Abstract: 一种实现(Ta2O5)1-x(TiO2)x基陶瓷介电温度系数热补偿的方法属于陶瓷材料制备领域。采用引入新组元调节介电温度系数的方法造成杂质污染的同时影响材料的其他介电性能。本发明通过采用二氧化碳激光器作为热源原位直接烧结(Ta2O5)1-x(TiO2)x基陶瓷坯体后，0.35≤X≤0.6，再于氧气氛中退火调节介电温度系数，烧结工艺参数为：将激光功率密度在10-30s内从初值10-30W/cm2提高至500-800W/cm2，烧结10-30s后，再于10-60s内降到初值；退火温度750-1100℃，0.1-0.5MPa的氧气氛，退火时间6-10小时。本发明方法简单易行，实现无污染调和。
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公开(公告)号：CN101928810A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010249145.7
申请日：2010-08-10
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种激光辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金的方法属于纳米材料技术领域，特别涉及一种激光辐照制备环状铁基非晶纳米晶软磁合金的方法。其特征在于利用波长为10.6μm的CO2激光或波长为1.07μm的掺镱光纤激光辐照环状铁基非晶合金(Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9)，材料会产生定量纳米晶化相。本发明介绍的方法能够在常温常压下，针对环状材料，快速、可控、环保、低能耗地制备出铁基非晶纳米晶合金。通过选择不同的激光辐照工艺参数，制备出不同含量的纳米α-Fe(Si)晶化相加剩余非晶的双相组织结构材料。纳米晶α-Fe(Si)的平均尺寸在15nm以下，晶化比例小于20％，材料的综合磁性能得到了改善。
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