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公开(公告)号：CN108333803A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810064229.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国计量大学
IPC: G02F1/13
CPC classification number: G02F1/1313 , G02F2203/13
Abstract: 本发明公开了一种可调太赫兹超材料吸收器。它包括基底层、下电介质层、液晶材料层、上电介质层和金属圆盘谐振器阵列层；基底层为二硫化钼膜层，二硫化钼膜层的上层为下电介质层，下电介质层上层为液晶材料层，液晶材料层上层为上电介质层，上电介质层的上层为金属圆盘谐振器阵列层；金属谐振器阵列层由3×3个金属圆盘和椭圆盘组成的互补单元结构排列组成，在每个互补单元结构结构，圆盘位于中心，并且被四个椭圆盘围绕；太赫兹信号从吸收器上方垂直输入；通过给上下两个电介质层施加电压来改变液晶的折射率，从而使吸收器的吸收峰发生偏移，实现可调功能。本发明有结构简单紧凑、吸收性能好，太赫兹波吸收原理新颖，尺寸小，易加工等优点。
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公开(公告)号：CN108281737A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810064247.8
申请日：2018-01-23
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的高透射型太赫兹移相器。它包括硅基底层、3层无裂环谐振结构、4层BCB材料介质，第一BCB材料介质层附在硅基底层上方，第一BCB材料介质层上方依次为第一无裂环谐振结构层、第二BCB材料介质层、第二无裂环谐振结构层、第三BCB材料介质层、第三无裂环谐振结构层和第四BCB材料介质层；每层无裂环谐振结构由两层BCB材料夹持形成三明治夹层结构，每层无裂环谐振结构是由一层铝薄膜挖去四个呈2×2阵列分布的缺角正方形而形成的，四个缺角正方形均贯通该层铝薄且缺角一侧均朝向该层铝膜中心。本发明实现了太赫兹波的移相，具有结构简单，损耗小，设计原理简单等优点。
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公开(公告)号：CN107515440A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710891577.X
申请日：2017-09-27
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种本征砷化镓波导结构的太赫兹波单偏振输出器。它包括砷化镓层、砷化镓输入波导、砷化镓第一锥形波导、砷化镓多模干涉波导、砷化镓第二锥形波导、砷化镓定向耦合波导、砷化镓第三锥形波导、砷化镓第一弧形波导、砷化镓第二弧形波导、砷化镓第三弧形波导、砷化镓第一输出波导、砷化镓第二输出波导，当输入TE偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波直接从砷化镓第二输出波导输出，没有发生偏振模式转换，当输入TM偏振模式的太赫兹波时，太赫兹波经过砷化镓多模干涉波导转换为TE偏振模式，经砷化镓定向耦合波导耦合从砷化镓第一输出波导输出，从而实现太赫兹波单偏振输出的功能。本发明具有结构新颖，高消光比，超宽带等优点。
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公开(公告)号：CN107039748A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201710271219.9
申请日：2017-04-24
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种用于5G的可穿戴微带天线。它包括基板、阻抗匹配输入传输线、右上侧缺口矩形辐射贴片、左侧矩形金属接地板、右侧矩形金属接地板；基板的上表面设有右上侧缺口矩形辐射贴片、左侧矩形金属接地板、右侧矩形金属接地板，阻抗匹配输入传输线的下端与基板的底端相连，阻抗匹配输入传输线的上端与右上侧缺口矩形辐射贴片的下端中部相连，左侧矩形金属接地板的左端与基板的左端相连，右侧矩形金属接地板的右端与基板的右端相连。本发明结构紧凑，设计原理简单，可以应用于可穿戴微带天线领域，并且能够很好地满足第五代移动通信系统对天线的设计要求。
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公开(公告)号：CN106785254A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611206659.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 中国计量大学
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼薄膜条带结构可调太赫兹波滤波器。它包括基底层、二氧化硅层、右端矩形二硫化钼薄膜、条状二硫化钼薄膜、左端矩形二硫化钼薄膜、第一圆形开槽、第二圆形开槽、第三圆形开槽、第四圆形开槽、第五半圆形开槽、第六半圆形开槽、第七圆形开槽、第八圆形开槽、第九圆形开槽、第十圆形开槽、信号输入端、信号输出端，通过调节施加在二硫化钼薄膜层与基底层之间的偏置直流电压，调节二硫化钼薄膜的有效介电常数，实现太赫兹信号的可调滤波功能。本发明具有结构简单，尺寸小，响应快，操控方法灵活易实现等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106707560A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611160711.0
申请日：2016-12-15
Applicant: 中国计量大学
CPC classification number: G02F1/0102 , H01P1/10
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯薄膜结构电控太赫兹波开关，它包括基底层、石墨烯层、堆叠棱形金属层；基底层的上层为石墨烯层，石墨烯层的上层为堆叠棱形金属层，堆叠棱形金属层包括9个堆叠棱形金属周期单元；太赫兹信号在堆叠棱形金属层上方从几何中心处垂直输入，依次经过堆叠棱形金属层、石墨烯层、基底层后垂直输出，石墨烯层与基底层之间设有一个偏置直流电压源，调节外加偏置直流电压源的电压会改变石墨烯介电常数，实现不同外加电场时控制输出端太赫兹波传输的通断，进而实现开关的功能。本发明具有结构简单紧凑，尺寸小，易于控制，便于加工等优点。
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公开(公告)号：CN106405735A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611160713.X
申请日：2016-12-15
Applicant: 中国计量大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明公开了一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器。它包括基底层、中央矩形硅波导、左一长矩形硅波导、左二长矩形硅波导、左三长矩形硅波导、中一短矩形硅波导、中二短矩形硅波导、中三短矩形硅波导、下一长矩形硅波导、下二长矩形硅波导、右一长矩形硅波导、倒L形硅波导、右二长矩形硅波导、L形硅波导、信号输入端、第一信号输出端、第二信号输出端，信号从信号输入端输入，第一信号输出端输出TE波，第二信号输出端输出TM波，获得偏振分束性能。本发明具有结构简单、分束率高，尺寸小，成本低、易于集成等优点。
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公开(公告)号：CN106405734A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611160076.6
申请日：2016-12-15
Applicant: 中国计量大学
IPC: G02B6/126
Abstract: 本发明公开了一种硅孔阵列结构的太赫兹波偏振分束器。它包括孔状镂空平板、二维周期排列的圆形空气孔、第一直线波导、第二直线波导、第三直线波导、第一折线波导、第二折线波导、第一谐振区域、第二谐振区域、第三谐振区域、第四谐振区域、TE信号输入端、TM信号输入端、TE信号输出端、TM信号输出端，TE信号输入端输入的太赫兹波仅有TE模式能从TE信号输出端输出，TM模式无法从TE信号输出端或TM信号输出端输出，TM信号输入端输入的太赫兹波仅有TM模式能从TM信号输出端输出，TE模式无法从TE信号输出端或TM信号输出端输出，获得偏振分束性能。本发明具有结构简单、分束率高，尺寸小，成本低、易于集成等优点。
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公开(公告)号：CN119581811A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411592085.7
申请日：2024-11-08
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种多频点太赫兹同步与异步双模态开关，其结构包括第一石墨烯条带、第二石墨烯条带、第三石墨烯条带、第四石墨烯条带、第一六边形石墨烯图案、第二六边形石墨烯图案、硅基体。由于不同结构的石墨烯在太赫兹波照射下能够相互作用产生等离子体诱导透明效应，本发明可以通过调节石墨烯的费米能级，实现二频点同步开关、三频点同步开关和四频点异步开关。本发明的多频点太赫兹同步与异步双模态开关具有结构简单、可控性强、尺寸小、成本低、易于集成等优点，满足在太赫兹波通信等领域应用的要求。
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公开(公告)号：CN119391189A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411984648.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 中国计量大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹屏蔽器及其制备方法和应用，属于太赫兹波屏蔽材料领域。本发明将100~105质量份的羟基硅油（PDMS‑OH）和20~25质量份的含氢硅油（PDMS‑H）充分混合得到预混物，再将预混物与Karstedt催化剂以及40~45质量份的乙烯基硅油（PDMS‑Vi）充分混合形成复合介质，最后将复合介质置于模具中发泡和固化，得到太赫兹屏蔽器。该太赫兹屏蔽器在0.4‑1.4THz太赫兹波段范围，对太赫兹波吸收率超过99.9%，吸收屏蔽效能超过62.7dB，反射屏蔽效能低于0.01dB。本发明在太赫兹探测、太赫兹通信、太赫兹传感等系统中具有广阔的应用前景。
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