-
公开(公告)号：CN115188884B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210706282.1
申请日：2022-06-21
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供一种三维相变存储器及其制备方法，包括多个相变存储器单元；相变存储器单元由下到上依次包括：底电极层、选通材料层、缓冲层、存储材料层以及顶电极层；选通材料层和存储材料层为同质材料，均为X元素和Te元素的化合物；其中，X元素为In、Ge、Ga、As、Sn及Sb中的一种；选通材料的化学通式为XnTe100‑n，5≤n≤25；存储材料的化学通式为XmTe100‑m，30≤m≤60；将多个相变存储器单元在三维方向上进行堆叠，得到三维相变存储器。本发明同质集成三维相变存储单元中的选通材料和存储材料为同一种体系的不同组分，简化了工艺，实现了工艺的完美兼容，且这种三维同质集成结构能极大地提高存储密度，降低漏电流。
-
公开(公告)号：CN115084368B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210706263.9
申请日：2022-06-21
Abstract: 本发明提供一种基于导电丝电极的相变存储器及其制备方法，通过在底电极层施加正电压脉冲，顶电极层接地，使相变材料在晶态与非晶态之间实现相变过程，进而对器件的阻态进行调节。在施加脉冲后，活性电极中金属阳离子会被氧化，在介质层半导体材料中的缺陷中快速迁移，并在介质层中形成稳定的导电丝。由于介质层导电性能差，形成的导电丝作为底电极与相变材料层的接触点，使得相变材料层在相变过程中的升温区域减小，器件的有效相变面积减小，因此使其工作电流减小。该结构可以有效降低相变存储器的功耗，提高了相变存储器的性能，具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN117371171B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311125674.X
申请日：2023-08-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F119/14
Abstract: 本申请实施例提供一种密封环可靠性的评估方法，该方法包括：根据密封环实际结构构建密封环的仿真模型；仿真模型至少包括沿第一方向延伸、沿第二方向堆叠的多层金属层，以及位于相邻两层所述金属层的金属过孔；定义仿真模型的测试应力和测试温度；在一定测试温度下，向仿真模型的受力面施加不同方向的测试应力，以确定密封环中金属层的形变性能；其中，仿真模型的受力面与第一方向和第二方向构成的平面平行；在形变性能满足预设条件的情况下，确认密封环的可靠性满足要求。
-
公开(公告)号：CN117788456A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410087783.5
申请日：2024-01-22
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: G06T7/00 , G06V10/764 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06N3/08
Abstract: 本申请提供了一种缺陷检测方法、缺陷检测模型训练方法设备、存储介质及计算机程序产品；该缺陷检测方法包括：对待检测PCB图像进行特征提取处理，得到待检测PCB图像的待检测特征图；基于待检测特征图进行背景建模处理，得到待检测特征图对应的背景掩码；基于背景掩码去除待检测特征图中的背景特征，得到缺陷特征图；基于缺陷特征图进行分类处理，确定待检测PCB的缺陷类别。
-
公开(公告)号：CN114959773B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210454476.7
申请日：2022-04-27
IPC: C25B11/089 , C25B1/04
Abstract: 本发明提供了一种NiFeZn LDHs/NF及其制备方法和应用，属于电解水制氢技术领域。本发明提供了一种NiFeZn LDHs/NF的制备方法，本发明采用水浴法在泡沫镍(NF)电极上原位生长NiFeZn LDHs，Zn的加入改变了Ni与Fe元素的电子云排布，从而提升催化剂的析氧催化性能，有效降低了电解电位。实施例结果表明，本发明制备得到的层状氢氧化物催化剂在电流为10mA/cm2时，电压为1.355V，低于同等电流下NiFe LDHs/NF电极的电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114050281B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202111290349.X
申请日：2021-11-02
Abstract: 本发明提供了一种空心碳纳米球复合催化剂及其制备方法和应用，该复合催化剂的制备方法，包括以下步骤：制备碳空心球；将Pt前驱物、乙酰丙酮金属化合物，加入至醇溶剂中，然后再加入碳空心球混合均匀后，得到混合粉末；将混合粉末置于管式炉中在还原气体下热解还原即得空心碳纳米球复合催化剂。本发明制备得到的复合催化剂，在还原气体下采用化学气相沉积方法，将各类前驱物金属原子热解还原后原位同步沉积在碳空心球上，获得了尺寸、成分可控的Pt基纳米合金‑碳空心球复合电催化剂；该方法不仅有效地控制了合金颗粒的尺寸，而且实现了纳(56)对比文件Chen, ZY等.Iron and Nitrogen Co-dopedCarbon Spheres as High Efficiency OxygenReduction Catalyst《.INTERNATIONAL JOURNALOF ELECTROCHEMICAL SCIENCE》.2021,第16卷(第5期),第1-8页.
-
公开(公告)号：CN117174660A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311131082.9
申请日：2023-08-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括器件区以及合围所述器件区的密封环；所述密封环包括：多层链状金属环；所述链状金属环包括间隔交替排布的第一金属图案和第二金属图案；在所述链状金属环的任意一条边上，所述第一金属图案与所述第二金属图案均沿第一方向延伸，且所述第二金属图案沿所述第一方向延伸至所述第一金属图案的内部；所述第一金属图案与相邻的所述第二金属图案在垂直于所述第一方向的第二方向上的投影部分重叠；所述第一方向以及所述第二方向垂直于厚度方向；多个金属过孔，连接于相邻两层所述链状金属环之间。
-
公开(公告)号：CN116613080A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310649974.1
申请日：2023-05-31
Applicant: 湖北江城实验室科技服务有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/492
Abstract: 本公开实施例公开了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一半导体结构，包括：具有多个第一键合触点的第一键合层；合围多个第一键合触点的第一密封环；第一密封环贯穿至少部分第一键合层；第二半导体结构，包括：具有多个第二键合触点的第二键合层，具有多个第三键合触点的第三键合层；合围多个第二键合触点的第二密封环，第二密封环贯穿至少部分第二键合层；合围多个第三键合触点的第三密封环，第三密封环贯穿至少部分第三键合层；第三半导体结构，包括：具有多个第四键合触点的第四键合层；合围多个第四键合触点的第四密封环，第四密封环贯穿至少部分第四键合层；第一键合层与第二键合层键合；第三键合层与第四键合层键合。
-
公开(公告)号：CN116306857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
-
公开(公告)号：CN116382624A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310390694.3
申请日：2023-04-13
Abstract: 本申请属于加法器技术领域，提供了一种有限域加法器电路及集成电路，采用高频小信号作为激励，利用忆阻低通滤波器实现信号相位的调制，通过级联即可实现各个忆阻器的阻值映射到相位上的加法。由于相位本身的周期性，基于相位的加法可自然实现有限域的循环特性，而无需在相加之后判断其大小再做减法，这使得其电路结构更为简化，可应用于计算机编码、密码学以及神经元电路等相关领域的应用研究，具有重要意义。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
184
records
(took 0.039 seconds)
