-
公开(公告)号：CN103526263B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310494834.8
申请日：2013-10-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 具有室温铁磁效应的Cr掺杂TiO2纳米磁性薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。本发明采用电化学阳极氧化工艺但不限于阳极氧化工艺制备的TiO2纳米管阵列薄膜作为起始材料，首先采用CrNO3水溶液浸泡方式的新型均相低温Cr掺杂，然后结合高温退火处理，在TiO2纳米管阵列薄膜引入复合空位和氧气空位缺陷，得到具有室温铁磁性能、可控性高、成本低廉、重复性好、且可大规模制造的TiO2纳米磁性薄膜。本发明具有工艺简单、成本低、可控性好和适于大批量生产的特点。
-
公开(公告)号：CN103424131B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310374512.X
申请日：2013-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01D5/12
Abstract: 本发明提供一种垂直偏置传感单元的制备方法，属于磁性材料与元器件技术领域，涉及磁传感技术。此制备方法包括在第一外磁场H1的作用下，采用薄膜沉积工艺制成磁传感单元，然后外加与外磁场H1的方向呈90度的第二外磁场H2，同时在该磁传感单元的薄膜表面沿第二外磁场H2方向施加一脉冲电流，作用完成后即得垂直偏置的磁传感单元。本发明利用自旋转移效应改变磁传感单元中常规交换偏置结构的交换偏置场方向，可在室温下方便地实现磁场感知层与磁矩参考对比层的磁矩取向相互垂直的要求，无需通过两次退火处理的方式来制备，该方法减少了工艺步骤，降低了制备难度，在保证传感单元优良性能的基础上，有利于降低传感单元的制备成本。
-
公开(公告)号：CN103915565A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410133503.6
申请日：2014-04-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供了一种多级阻变存储器单元及其制备方法，包括从下往上依次设置的基片、底电极、阻变层、顶电极；其特征在于，所述底电极与阻变层之间还设置有隔离层。本发明通过增加纳米级隔离层，使阻变存储器的存储窗口提高到105量级以上，达到多级存储所需的首要条件；并且采用电化学活性材料作为顶电极，利用电化学活性材料的漂移特性实现不同电压激励下不同的电阻状态，达到多级存储的目的。同时，隔离层的加入减小了氧离子移动过程中的耗散，有效的保护了底电极，增大了器件的稳定性。另外，该多级阻变存储器单元的制备方法工艺简单、易控制。
-
公开(公告)号：CN103526263A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310494834.8
申请日：2013-10-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 具有室温铁磁效应的Cr掺杂TiO2纳米磁性薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。本发明采用电化学阳极氧化工艺但不限于阳极氧化工艺制备的TiO2纳米管阵列薄膜作为起始材料，首先采用CrNO3水溶液浸泡方式的新型均相低温Cr掺杂，然后结合高温退火处理，在TiO2纳米管阵列薄膜引入复合空位和氧气空位缺陷，得到具有室温铁磁性能、可控性高、成本低廉、重复性好、且可大规模制造的TiO2纳米磁性薄膜。本发明具有工艺简单、成本低、可控性好和适于大批量生产的特点。
-
公开(公告)号：CN102408202A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201110235563.5
申请日：2011-08-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种微带天线复合基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述复合基板材料由70～90质量份数的主相材料和10～30质量份数的辅助相材料复合而成；其中：主相材料为Co2Z型六角铁氧体，其配方分子式为Ba3-xSrxCo2Fe24O41(x的取值范围为0～1.5)；辅助相材料为聚丙烯树脂。其制备方法包括1)称料、混料、一次球磨后烘干；2)预烧；3)二次球磨、烘干；4)烧结；5)三次球磨、烘干；6)复合、造粒；7)热压成型等步骤。所述复合基板材料，在300MHz～3GHz的频率范围内具有等磁介性和低损耗性；同时具有一定的柔韧性；其制备方法简单易操作，便于掌握和推广。采用所述复合基板材料作为微带天线基板，有助于降低微带天线重量和体积，有利于提高微带天线的带宽以及辐射效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101909419B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010218948.6
申请日：2010-07-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种传输线电磁噪声抑制器及其制备方法，属于电子技术领域。产品包括介质基片，往上依次是微带传输线或共面波导传输线、绝缘层、过渡层和磁性薄膜，所述磁性薄膜具有非均匀的厚度。制备方法是首先在介质基片上制备传输线，然后沉积绝缘层，再利用胶体球掩模方法和薄膜沉积工艺制备过渡层和磁性薄膜。本发明依据铁磁共振理论和双磁子自旋散射模型，将常规传输线电磁噪声抑制器中均匀厚度的磁性薄膜变成非均匀厚度的磁性薄膜，从而大幅提高了传输线电磁噪声抑制器的工作带宽。本发明提供的传输线电磁噪声抑制器，具有更宽的工作带宽，能够满足宽频带范围内对电磁噪声进行抑制的需求；其制备方法工艺简单、能够与微波集成电路工艺兼容。
-
公开(公告)号：CN101917121A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010227266.1
申请日：2010-07-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/335
CPC classification number: Y02B70/1475
Abstract: 一种有源钳位同步整流正激变换器，属于电子技术领域。该变换器包括直流输入电源、输入电容、主变压器T1、同步整流电路、滤波电路、电压采样电路、光耦反馈电路、PWM控制电路和有源钳位电路；所述同步整流电路由整流管及其驱动电路和续流管及其驱动电路组成，其中整流管驱动电压由一个主变压器的次级辅助绕组产生，该驱动电压与有源钳位电路中的第一开关管的驱动电压同相；而续流管驱动电压由有源钳位电路中的第二开关管的驱动电压耦合产生，因而与有源钳位电路中的第二开关管的驱动电压同相。故本发明提供的正激变换器同步整流电路采用固定驱动电压，且具有与有源钳位电路相同的死区时间，能够提高有源钳位同步整流正激变换器的转换效率并降低损耗。
-
公开(公告)号：CN1681077A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410022261.X
申请日：2004-04-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/203 , C23C14/34 , B82B3/00
Abstract: 本发明公开了一种制备纳米结的方法，它是通过RF(射频)溅射方法在硅基片上依次镀制两种异质薄膜，然后采用传统慢扩散热处理方法或快速循环热处理方法获得复合成分的纳米结；按照本发明方法可以制备出通过不同的激励源(如：电场、磁场、光场、超声、微波等场)来控制自旋向上、自旋向下电子输运浓度的纳米结，进而制备出高密度量子存储器，纳米二极管，纳米三极管等纳米结器件，这些纳米结器件可广泛用于电子技术领域。
-
公开(公告)号：CN1157742C
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN01107299.7
申请日：2001-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜变压器及其制作工艺，该薄膜变压器是由初级绕组、次级绕组和磁芯薄膜组成，初、次级绕组分别与水平方向倾斜15°和20°，以交叉互绕的方式镀制在薄膜磁芯上；该薄膜变压器的制作工艺采用掩膜或光刻技术制作上、下电极，磁芯膜采用磁控溅射工艺制备，绝缘层采用蒸发镀方法即采用钨舟蒸发块状SiOx材料；最后对变压器的磁芯膜磁场真空取向和纳米晶化。该薄膜变压器由于采用倾斜交叉互绕，增大了耦合系数和效率。该薄膜变压器是磁性电子元器件的最基本元件，它的薄膜化将极大促进电子元器件的片式化步伐。
-
公开(公告)号：CN1378221A
公开(公告)日：2002-11-06
申请号：CN01107299.7
申请日：2001-03-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种薄膜变压器及其制作工艺,该薄膜变压器是由初级绕组、次级绕组和磁芯薄膜组成,初、次级绕组分别与水平方向倾斜15°和20°,以交叉互绕的方式镀制在薄膜磁芯上;该薄膜变压器的制作工艺采用掩膜或光刻技术制作上、下电极,磁芯膜采用磁控溅射工艺制备,绝缘层采用蒸发镀方法即采用钨舟蒸发块状SiOx材料;最后对变压器的磁芯膜磁场真空取向和纳米晶化。该薄膜变压器由于采用倾斜交叉互绕,增大了耦合系数和效率。该薄膜变压器是磁性电子元器件的最基本元件,它的薄膜化将极大促进电子元器件的片式化步伐。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
261
records
(took 0.028 seconds)
