公开(公告)号：CN101508560B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200910119881.8

申请日：2009-03-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  兰金叻 ,  方辉 ,  南策文

IPC: H01L35/34 ,  C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01L35/22

Abstract: 一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法，涉及氧化物陶瓷材料及其制备。该方法首先按In2-2xZnxGexO3(0＜x≤0.20)的化学计量比称取ZnO、GeO2和In2O3的粉末，混合后在250℃～700℃条件下煅烧，完成物相的成相阶段。把煅烧后的粉体放入石墨模具，压实，用放电等离子体烧结成块体材料，烧结温度为850～1000℃，即得到Zn，Ge双掺杂In2O3氧化物热电材料。本发明与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，能有效克服现有技术反应温度高，反应时间长，能耗大，化合物偏离化学比等缺点；并且烧结的样品性能有很大的提高，在700℃下其ZT值可以达到0.6。

公开(公告)号：CN101876691A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200910237886.0

申请日：2009-11-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 李峥 ,  南策文 ,  马静 ,  林元华

IPC: G01R33/12

Abstract: 一种多铁性薄膜材料的磁电性能测试系统及测试方法，涉及材料的性能测试领域。其特征在于：该测试系统包括直流偏置磁场发生装置、交流磁场发生装置、薄膜样品探针夹持装置以及微小信号采集放大装置；并提供了多铁性薄膜材料磁电性能的测试方法。本发明可以通过精确测量薄膜微小电响应信号，识别电磁感应干扰信号与多铁性磁电响应信号的区别，获取真实的多铁性薄膜材料在不同频率和偏置磁场下的磁电系数的幅值，还可以获得薄膜样品电极化随交变磁场的变化规律。

公开(公告)号：CN101508560A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910119881.8

申请日：2009-03-20

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  兰金叻 ,  方辉 ,  南策文

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01L35/34 ,  H01L35/22

Abstract: 一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法，涉及氧化物陶瓷材料及其制备。该方法首先按In2－2xZnxGexO3(0＜x≤0.20＝的化学计量比称取ZnO、GeO2和In2O3的粉末，混合后在250℃～700℃条件下煅烧，完成物相的成相阶段。把煅烧后的粉体放入石墨模具，压实，用放电等离子体烧结成块体材料，烧结温度为850～1000℃，即得到Zn，Ge双掺杂In2O3氧化物热电材料。本发明与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，能有效克服现有技术反应温度高，反应时间长，能耗大，化合物偏离化学比等缺点；并且烧结的样品性能有很大的提高，在700℃下其ZT值可以达到0.6。

公开(公告)号：CN101050120A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710099070.7

申请日：2007-05-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 南策文 ,  姜庆辉 ,  林元华 ,  沈志坚

IPC: C04B35/63 ,  C04B35/645 ,  C04B35/40

Abstract: 本发明涉及一种铁酸铋基多功能氧化物陶瓷材料的制备方法，属于陶瓷材料制备领域。所述方法是将BLTFO8粉体预压成片后，将保护性粉体Al2O3、CeO2、ZrO2或FeO放入石墨模具内，压实；把压片移入模具内的氧化物保护性粉体层上；继续往模具内添加氧化物保护性粉体，将BLTFO8圆片包埋，压实；将模具移入SPS烧结炉中，3分钟内升至600℃，再以50℃/min的速度升至烧结温度，保温，烧结。由于BiFeO3具有G－型反铁磁结构，通过掺杂La、Tb等稀土元素或Ba、K等金属元素破坏其反铁磁结构，使BiFeO3基陶瓷具有室温铁磁性。采用包埋放电等离子烧结，控制烧结参数，可以抑制元素的变价，降低损耗，使掺杂BiFeO3基陶瓷在室温下同时具有良好的铁电和铁磁性能。

公开(公告)号：CN1924095A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610112791.2

申请日：2006-09-01

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  南策文 ,  赵荣娟

IPC: C23C30/00 ,  C23C18/02

Abstract: 本发明公开了属于材料科学领域的一种具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法。所述薄膜的组成用LixNi1－x－yMyO来表示，o≤x≤0.1，o＜y≤0.1。采用溶胶一凝胶法，在Si衬底上用旋涂甩胶的方法制备Li及过渡族金属离子M的NiO薄膜，然后在快速热处理炉中处理，即获得室温铁磁性薄膜材料。本发明通过使用新型的宽带隙基体材料，和改变载流子浓度，得到具有可调控室温铁磁性的过渡族元素掺杂的氧化物基稀磁半导体材料。薄膜在室温下具有铁磁性和很高的电导率，薄膜的室温铁磁性的大小和电导率可以通过改变掺杂的过渡族金属的种类，以及Li离子的含量来调节。该技术工艺简单，重复性强，产品性能稳定。

公开(公告)号：CN1621389A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410088597.6

申请日：2004-11-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘宇恒 ,  南策文 ,  沈志坚 ,  林元华 ,  施展

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/624 ,  C04B35/64 ,  C04B35/01

Abstract: 本发明属于材料处理技术领域的一种热电陶瓷材料的新型取向织构处理工艺。以Ca－Co－O和La－Ca－Co－O两种体系的热电材料作为实验对象，先采用溶胶凝胶法合成前驱粉体，经过放电等离子烧结炉(SPS)烧结成瓷后，利用陶瓷材料高温时塑性和延展性较好的特点，在高温下热锻取向处理，获得致密度为98％~99％的高度定向织构的氧化物热电材料。对于Ca－Co－O体系，700℃时电导率提高了13％，功率因子提高了28％，而对于La－Ca－Co－O体系，700℃时电导率提高29.3％，功率因子提高了61.3％。该处理工艺方法简单、处理时间短，可以显著改善热电陶瓷性能。

公开(公告)号：CN1133710C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN01130656.4

申请日：2001-08-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 张中太 ,  林元华 ,  彭劲松 ,  唐子龙 ,  张俊英

IPC: C09K11/77 ,  C04B38/00

Abstract: 本发明涉及一种球状超长余辉光致发光多孔陶瓷材料及其制备方法，首先按材料的化学组分对原料配比称重，通过搅拌机均匀混合后干燥、预烧，加入溶有有机无机分散剂的溶液，利用喷雾造粒塔进行喷雾造粒、干燥，在还原气氛的高温炉中进行烧成，即可合成松散度非常好的球状超长余辉光致发光多孔陶瓷材料。本发明方法解决了以往传统陶瓷烧结法烧成材料的硬团聚问题，并首次合成出了球形的多孔蓄光陶瓷材料。不仅使以往铝酸盐体系光致发光磷光体材料的吸光性能大大增加，并且使其抗水解特性也有大幅度的改善。通过该方法制得的光致发光多孔陶瓷材料经自然光或其它光源短时间照射后，在人眼可视亮度范围内，可以在黑暗中持续发光20小时以上。

公开(公告)号：CN1123621C

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN01130655.6

申请日：2001-08-17

Applicant: 清华大学

Inventor： 张中太 ,  张俊英 ,  彭劲松 ,  唐子龙 ,  林元华

IPC: C09K9/00

Abstract: 本发明涉及一种铝酸盐基荧光粉的制备方法，首先按照所要制备的荧光粉的化学组成称量各原料，然后溶于柠檬酸制成溶液，在80-98℃下保温，使其逐渐形成溶胶、凝胶，最后成为干凝胶，预烧，过300目筛，最后在还原气氛中煅烧，即得微米级荧光粉。本发明的优点是：制备工艺较简单，易于操作，且周期较一般的溶胶-凝胶工艺较短；制得的荧光粉的均匀性较好，粉体颗粒在0.1-10μm之间，不经球磨可直接用于各种显示器；不采用价格较贵的金属有机物从而生产成本较低。

公开(公告)号：CN119263815A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411270711.0

申请日：2024-09-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  宋燕 ,  蓝顺 ,  刘亦谦

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  H01G4/12

Abstract: 本申请公开了钛酸钡基介电陶瓷及其制备方法。制备钛酸钡基介电陶瓷的方法包括：将BaCO3、Bi2O3、TiO2、CaCO3、MgO、Sc2O3混合，以得到第一混合料；对第一混合料进行第一焙烧处理，以得到第二混合料，第一焙烧处理的焙烧温度为800℃‑900℃；将第二混合料与助烧剂混合，以得到第三混合料；将第三混合料与粘结剂混合后进行造粒压片，以得到成型片；对成型片进行排胶处理，以得到陶瓷生胚，排胶处理的温度为500℃‑700℃；对陶瓷生胚进行第二焙烧处理，以得到钛酸钡基介电陶瓷，第二焙烧处理的焙烧温度为1000℃‑1200℃；其中：BaCO3、Bi2O3、TiO2、CaCO3、MgO、Sc2O3的混合摩尔比为0.8y:0.5(100‑y):0.5(100+y):0.2y:0.5(100‑y):x，2

公开(公告)号：CN119263814A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411368539.2

申请日：2024-09-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 林元华 ,  陈怡颖 ,  戚俊磊 ,  南策文

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供了一种高介电常数NP0型介质陶瓷材料及制备方法和应用。该高介电常数NP0型介质陶瓷材料通过包含下述物质的原料制备而成：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，2摩尔％～6摩尔％的Nd2O3，2摩尔％～6摩尔％的Sm2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3，和55摩尔％～70摩尔％的TiO2。所提供的陶瓷介质材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻，满足NP0型介质陶瓷规格要求。