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公开(公告)号：CN203071073U
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201220699713.8
申请日：2012-12-18
Applicant: 江南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种纵向NPN触发的高维持电压的高压ESD保护器件，可用于片上IC高压ESD保护电路。主要由衬底Psub，N埋层，P外延，N下沉阱，高压深N阱，第一N+注入区，第一P+注入区，第二N+注入区，第三N+注入区，多晶硅栅，栅薄氧化层和若干场氧隔离区构成。该保护器件在高压ESD脉冲作用下，内部纵向NPN结构的反向PN结被触发导通，形成并联连接的多条ESD电流泄放路径，可以提高器件的二次击穿电流，降低导通电阻，增强器件的鲁棒性。通过拉升LDMOS器件多晶硅栅的长度，增大NPN结构的基区宽度，以及利用N埋层和N下沉阱，延长器件触发导通后的电流路径，改变器件内部的电场分布，提高器件的耐压能力和维持电压。
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