-
公开(公告)号：CN111378960A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202010346236.6
申请日：2020-04-27
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明属于集成电路制造技术领域，具体为一种微波辅助原子层沉积方法及反应器。本发明的原子层沉积反应器包括：反应腔，其顶部设有石英窗口、内部设置有基片托盘，侧壁设有励磁线圈；微波源，设置在石英窗口上方；真空泵，对反应腔的真空度进行调节；气体管路，包括第一路反应源输气管道、第二路反应源输气管道以及惰性气体管道，分别用于输送第一反应源、第二反应源和惰性气体；其中，微波源对第一反应源进行微波辐照分解，微波源与励磁线圈联合产生微波电子回旋共振源，激发第二反应源形成高能等离子体。本发明能够有效改善薄膜的导电性和延展性，具有理想的台阶覆盖率和精确的薄膜厚度控制能力，能够满足先进CMOS集成电路工艺的需求。
-
公开(公告)号：CN110148525A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910316705.7
申请日：2019-04-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于能量存储器件技术领域，具体为一种基于富氢氧化硅固态电解质的超级电容及其制备方法。本发明超级电容包含衬底、设置在衬底表面上的下金属电极、富氢氧化硅电解质以及上金属电极。本发明提供的超级电容与传统的硅基集成电路工艺兼容，制备工艺简单，成本低廉，可以用作硅基电子设备的能量存储部件；富氢氧化硅内部含有大量可自由移动的氢质子，因此可以作为固态电解质，而且充放电稳定性好。富氢氧化硅是利用等离子体增强原子层沉积技术直接生长在电极表面，厚度可以灵活改变，利于在高深宽比的硅纳米结构表面填充。
-
公开(公告)号：CN108315717A
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201810068633.4
申请日：2018-01-24
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/34 , C23C16/4554 , C23C16/45553
Abstract: 本发明公开了一种氮化锰薄膜的制备方法，其是在反应腔中的衬底上进行至少一次反应循环，包含以下步骤：步骤1，以脉冲的方式向反应腔中通入前驱体Mn(EtCp)2蒸气；步骤2，通入吹洗用气体；步骤3，以脉冲的方式向反应腔中通入NH3气体，同时开启等离子体发生器使其电离产生NH3等离子体，并与吸附于衬底表面的Mn(EtCp)2发生化学反应；步骤4，通入吹洗用气体；氮化锰薄膜厚度依反应循环次数而定。本发明的制备方法工艺简便，制得的氮化锰薄膜中Mn和N的原子比为1.9~2.4，金属含量比例较高，且具有均匀性好、表面平整度高、电阻率低等优点，不需后退火便可在介质表面形成阻挡层薄膜，与集成电路后道互连工艺和CMOS器件制造工艺有很好的兼容性，有很好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102290332B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201110293135.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种制备高密度硅纳米孔阵列的方法，采用金属辅助化学刻蚀工艺，以Pt纳米晶作为催化剂，在氢氟酸和双氧水的混合溶液中刻蚀硅片，从而制备出高密度硅纳米孔阵列；其中，该Pt纳米晶是通过对磁控溅射生长的厚度为纳米级的超薄Pt薄膜进行高温快速热退火获得的。本发明以金属辅助化学刻蚀工艺制备高密度硅纳米孔阵列，工艺简单，其中高温快速热退火持续时间短，热预算低，同时金属辅助化学刻蚀无需外加电源，可以自发进行，可以获得密度超过1.0×1010cm-2的硅纳米孔阵列，整个工艺制备成本较低，有望大批量生产。
-
公开(公告)号：CN102290332A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201110293135.8
申请日：2011-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种制备高密度硅纳米孔阵列的方法，采用金属辅助化学刻蚀工艺，以Pt纳米晶作为催化剂，在氢氟酸和双氧水的混合溶液中刻蚀硅片，从而制备出高密度硅纳米孔阵列；其中，该Pt纳米晶是通过对磁控溅射生长的厚度为纳米级的超薄Pt薄膜进行高温快速热退火获得的。本发明以金属辅助化学刻蚀工艺制备高密度硅纳米孔阵列，工艺简单，其中高温快速热退火持续时间短，热预算低，同时金属辅助化学刻蚀无需外加电源，可以自发进行，可以获得密度超过1.0×1010cm-2的硅纳米孔阵列，整个工艺制备成本较低，有望大批量生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112466845B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202011327453.7
申请日：2020-11-24
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种硅通孔结构及其制备方法，所述硅通孔结构包括：衬底结构；通孔结构，所述通孔结构贯穿所述衬底结构上下两端；沟槽结构，所述沟槽结构设置在所述通孔结构内壁；金属互连结构，所述金属互连结构设置在所述沟槽结构内壁；其中，所述金属互连结构上下两端分别设置有顶部金属接触层和底部金属接触层，所述顶部金属接触层和底部金属接触层均与所述金属互连结构电连接，本发明的硅通孔结构不仅能够实现芯片之间的上下互连，而且具有良好的散热效果。
-
公开(公告)号：CN113506775B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202110720222.0
申请日：2021-06-28
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H10B12/00
Abstract: 本发明提供了一种动态随机存取存储器，包括衬底、晶体管、介质叠层、电容器和导电柱，所述晶体管设置于所述衬底的上表面，所述介质叠层设置于所述衬底的上表面，且部分所述介质叠层包覆所述晶体管，所述导电柱设有若干个，且所述导电柱分别与所述晶体管和所述电容器电接触，所述电容器设置于所述介质叠层，且所述电容器的底部与所述衬底的上表面的最小轴向距离大于0，使得降低了半导体衬底对电容器的电学干扰，从而可以增大电容器的品质因子，减少漏电流，避免了动态随机存取存储器占据较大空间，保证了动态随机存取存储器具有较大的存储密度。本发明提供了所述动态随机存取存储器的制作方法。
-
公开(公告)号：CN113035809B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110240264.4
申请日：2021-03-04
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅通孔结构，包括：硅衬底，硅衬底设有通孔，隔离介质，设于通孔的内侧面和通孔之间，将通孔间隔分成若干安装孔；扩散阻挡层，设于安装孔内，覆盖所述隔离介质；第一籽晶层，覆盖扩散阻挡层；导电层，覆盖第一籽晶层，将安装孔填充，且隔离介质、扩散阻挡层、第一籽晶层和导电层依次层叠将通孔填充。通过在通孔内设置隔离介质形成安装孔，使硅通孔结构更加紧凑，且避免了硅通孔之间可能存在的短路情况，且每个安装孔以并联的形式均可进行电信号传输，所以当其中部分安装孔内出现短路或损坏，仍然可以进行电信号传输，从而增加了硅通孔结构的可靠性。另外，本发明还提供了封装结构及其制造方法。
-
公开(公告)号：CN112652621B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202011531343.2
申请日：2020-12-22
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L21/822
Abstract: 本发明提供了一种三维集成结构,包括：第一纳米电容，第一纳米电容设有显露出部分第一底部金属电极层的第一底部连电接孔和显露出第一顶部金属电极层的第二底部连接孔；第二纳米电容，垂直设于第一纳米容且位于第一底部连接孔和第二底部连接孔之间，包括第二底部金属电极层和第二顶部金属电极层，第二纳米电容设有显露出部分第二底部金属电极层的第一顶部连接孔和显露出部分第二顶部金属电极层的第二顶部连接孔。本发明通过第一纳米电容和第二纳米电容垂直并联，且第一纳米电容且位于第一底部连接孔和第二底部连接孔之间，显著增大电容密度，减少纳米电容所占据三维集成结构的平面面积。另外，本发明还提供了一种三维集成结构的制造方法。
-
公开(公告)号：CN111769097B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202010562315.0
申请日：2020-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于集成电路封装技术领域，具体为一种用于三维互连的硅通孔结构及其制造方法。本发明硅通孔结构采用低介电常数材料作为硅衬底和导电金属材料之间电学隔离的绝缘介质，可以降低硅衬底和导电金属材料之间的寄生电容，从而可以减少信号延迟。此外，在低介电常数材料表面覆盖一层极薄的二氧化硅，可以阻止后续铜扩散阻挡层沉积过程中导电阻挡层渗入多孔结构内部，从而可以抑制漏电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
168
records
(took 0.019 seconds)
