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公开(公告)号：CN104927761B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510245661.5
申请日：2015-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种SiC@C核壳结构纳米线的制备方法，它涉及一种核壳结构纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有SiC存在频散特性低的问题。制备方法：一、混合得到混合物；二、反应得到反应物；三、分离干燥得到固体粉末；四、高温碳化处理得到SiC@C核壳结构纳米线。优点：一、整个工艺简单，操作方便，使用设备简单，成本低，不会造成污染；二、避免了杂质的引入和结构缺陷问题，制备的SiC@C核壳结构纳米线外壳表面光滑，包覆层致密均一；三、所用碳源原料廉价易得，可以通过调节反应液浓度来有效地控制包覆壳层的厚度；四、有良好的吸波性能。本发明主要用于制备SiC@C核壳结构纳米线。
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公开(公告)号：CN104005073B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410255650.0
申请日：2014-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，它涉及一种钛合金TC4表面陶瓷膜层的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的钛合金热控涂层存在太阳吸收率高，发射率低，成本高，对复杂形状的表面难获得均匀的涂层，工艺复杂和涂层与基体结合度弱的问题。制备方法：一、钛合金TC4前处理；二、微弧氧化。本发明制备的涂层粗糙度为4.056μm～13.66μm，涂层厚度达到68.1μm～200μm，且厚度可调，由于是原位生长，故具有结合力好，并且在强酸性的锆酸盐体系的工艺条件下膜层的发射率大于0.96，吸收率小于0.32。本发明可获得一种钛合金TC4表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法。
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公开(公告)号：CN106206079A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610652897.5
申请日：2016-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/13 , H01G11/86 , C25B1/00 , C25B1/21 , H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/46
Abstract: 一种利用电化学还原法制备氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的方法，它涉及一种制备超级电容器复合材料的方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的氧化钛纳米管复合材料电容器容量小的问题。方法：将表面负载碳的氧化钛纳米管、Pt电极和饱和甘汞电极组成三电极体系，使用CHI660D电化学工作站，采用恒电位沉积法进行化学沉积，得到氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料。本发明采用电化学还原的方法，使得渗碳后二氧化钛纳米管表面沉积一层锰氧化物，制得氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料，相比于TiO2NT/C复合材料具有更高的电容性能。本发明可获得一种氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料。
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公开(公告)号：CN106206062A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610652898.X
申请日：2016-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用水热法制备氧化钛纳米管/碳/氧化镍复合材料的方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有方法制备的氧化钛纳米管复合材料存在电容器容量小和性能稳定性差的问题。方法：制备含有Ni(NO3)2·6H2O和CO(NH2)2的水溶液；将含有Ni(NO3)2·6H2O和CO(NH2)2的水溶液加入到水热反应釜中，然后将表面负载碳的氧化钛纳米管放入水热反应釜中，再进行水热反应，得到氧化钛纳米管/碳/氧化镍复合材料。本发明制备的氧化钛纳米管/碳/氧化镍复合材料具有很高的电容值，电容值高达120.87F/m2。本发明可获得一种利用水热法制备氧化钛纳米管/碳/氧化镍复合材料的方法。
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公开(公告)号：CN106000296A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610330872.3
申请日：2016-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B01J20/165 , B01J20/0229 , B01J23/745 , B01J2220/42 , B01J2220/4806 , C02F1/281 , C02F1/725 , C02F2101/345
Abstract: 一种碾子山麦饭石改性的方法和应用，它涉及一种麦饭石的改性方法和应用。本发明的目的是要解决现有芬顿氧化技术中存在Fe离子溶出而产生铁泥，多次循环后性能严重下降，且产生的铁泥又影响水体降解的问题。碾子山麦饭石改性的方法：一、制备悬浊液；二、水热反应，制备反应物；三、清洗；四、干燥，得到改性后的碾子山麦饭石。改性后的碾子山麦饭石用于吸附废水中的苯酚或用于降解废水中的苯酚。使用本发明制备的改性后的碾子山麦饭石可吸附废水中大于15％的苯酚；使用本发明制备的改性后的碾子山麦饭石可降解废水中大于99％的苯酚。本发明可获得一种碾子山麦饭石改性的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105568343A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511018840.1
申请日：2015-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26 , B01J23/745 , B01J37/02 , C02F1/72
CPC classification number: C25D11/26 , B01J23/745 , B01J37/0225 , C02F1/72 , C02F1/722 , C02F2101/345 , C02F2305/026
Abstract: 利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法和应用，它涉及制备类芬顿催化剂的方法和应用。本发明的目的是要解决现有类芬顿催化剂分离回收难和基体的溶出问题。方法：一、钛合金表面前处理；二、将步骤一中得到的抛光后的钛合金置于不锈钢电解槽中的电解液中，与电源正极相连，作为阳极；不锈钢电解槽与电源负极相连接，作为阴极；三、采用方波电源供电反应，得到铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂。本发明可获得利用等离子体电解氧化法在钛合金表面制备铁氧化物陶瓷膜层类芬顿催化剂的方法。
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公开(公告)号：CN103194780B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310111042.8
申请日：2013-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/26
Abstract: 一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层的制备方法，本发明涉及钛合金表面涂层的制备方法。本发明是要解决钛合金材料太阳吸收率高，发射率低，且与基底的结合力和热稳定性差的问题。方法：一、打磨清洗钛合金；二、微弧氧化。本发明所制得的涂层外貌为白色或灰白色，均匀美观。涂层厚度达到30μm～120μm，且厚度可调，由于是原位生长，故具有结合力好，抗热震性能好的特性，并且太阳吸收率为0.35～0.6，发射率为0.8～0.95，是性能优良的低太阳吸收率高发射率热控涂层。本发明用于制备一种钛合金表面低太阳吸收率高发射率涂层。
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公开(公告)号：CN105140049A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510451104.9
申请日：2015-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，本发明涉及一种复合材料的方法。本发明的目的是要解决氧化钛纳米管进行碳掺杂，存在掺杂不均匀，浓度不易控制和材料的总体性能波动较大的问题，并且提高氧化钛纳米管的电化学性能。方法：一、阳极氧化法制备二氧化钛纳米管；二、将处理后的钛片作为阳极，铜片作为阴极，在电压为20V～60V下反应；三、将反应后的钛片进行烘干；四、向实验室滴渗电炉中滴入渗剂，排出空气后的实验室滴渗电炉；五、滴入甲醇，再进行气相扩渗，即完成。本发明可获得一种利用气相扩渗法在氧化钛纳米管上负载碳的方法，并且气相扩渗负载碳后的氧化钛纳米管的导电性提高了三个数量级，比电容提高了20倍。
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公开(公告)号：CN105047434A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510381811.5
申请日：2015-07-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用气相扩渗法制备氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有二氧化钛纳米管的电阻大和电容性能差的问题。制备方法：一制备表面光亮的钛片；二、对表面光亮的钛片进行清洗；三、对钛片进行电解反应；四、取出钛片后烘干得到氧化钛纳米管；五、排空气；六、气相扩渗，得到氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料。本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电容值是氧化钛纳米管的近乎10倍；本发明得到的氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的电阻减小了三个数量级，显著地提高了导电性。本发明可以获得一种氧化钛纳米管/碳/氧化锰复合材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN104900867A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510271300.8
申请日：2015-05-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M4/52 , H01M4/58 , H01M4/583 , B01J27/051
CPC classification number: H01M4/362 , H01M4/139 , H01M4/5815 , H01M4/583
Abstract: 一种CNT/Co/MoS2复合材料的制备方法，它涉及一种硫化钼的改性方法。本发明的目的是要解决现有硫化钼的表面改性处理方法存在改性后的硫化钼仍然存在疏水性的问题，或者表面改性处理方法因涉及大量有机溶剂，引起严重的环境污染问题。制备方法：一、酸处理，得到酸化后碳纳米管；二、制备CNT/Co；三、负载MoS2，得到CNT/Co/MoS2复合材料。优点：硫化钼在碳纳米管表面的包覆比较均匀。本发明主要用于制备CNT/Co/MoS2复合材料。
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